MOT50N03C 系列是仁懋针对[color=rgb(0, 0, 0) !important]开关应用场景开发的 N 沟道增强型功率 MOSFET，以低导通电阻、低电容、大脉冲电流能力为优势，适配各类开关应用场景，兼容 TO-252（贴片）和 TO-251（直插）封装，满足不同安装需求。
MOT50N03C 系列基本信息MOT50N03C 本质为 [color=rgb(0, 0, 0) !important]N 沟道增强型功率 MOSFET，核心定位是 “中低压开关应用功率器件”，适用于各类开关应用场景。其核心特性包括：
- 电压适配：支持 30V 漏源电压（VDS），适配中低压供电系统；
- 电流能力：连续漏极电流（ID）可达 50A，脉冲漏极电流（Ipk）达 100A，满足大电流开关需求；
- 导通特性：导通电阻（RDS (on)）典型值 8mΩ（Vgs=10V 时）、10mΩ（Vgs=4.5V 时），降低导通损耗；
- 封装形式：提供 TO-252（贴片）、TO-251（直插）两种封装，覆盖不同安装场景；
- 技术特性：具备低电容、大脉冲电流能力，雪崩能量明确，且为无铅引脚镀层。
引脚图与引脚定义MOT50N03C 采用 TO-251（直插）和 TO-252（贴片）封装，引脚功能定义如下（以 TO-251 直插封装俯视视角为例）：
- Gate（栅极，引脚 1）：通过输入正电压（VGS）控制漏源极之间的导通 / 关断，N 沟道需输入正电压（如 4.5V~10V）；
- Drain（漏极，引脚 2）：电流流入端，接负载或电源正极（因 N 沟道特性，电源正极接漏极）；
- Source（源极，引脚 3）：电流流出端，TO-251 封装背面金属部分与源极连通，可辅助散热。
TO-252 贴片封装的引脚功能与 TO-251 一致，需注意贴片封装的引脚布局以确保正确连接。
关键性能参数（典型值：TA=25℃，除非特殊说明）1. 绝对最大额定值参数类型 参数符号 值 单位 测试条件 / 备注
漏源电压 VDS 30 V ——
栅源电压 VGS ±20 V ——
连续漏极电流 ID 50 A TA=25℃
脉冲漏极电流（注 2） Ipk 100 A 重复脉冲额定值受最大结温限制
单脉冲雪崩能量（注 3） EAS 60 mJ VDS=20V，RG=25Ω，起始 TJ=25℃
功率耗散 Pd 150 W TA=25℃
结温与存储温度范围 TJ、Tstg -55~150 ℃ ——2. 产品特性参数参数类型 参数符号 典型值 测试条件 备注
导通电阻（Vgs=10V） RDS(on) 8mΩ —— 导通时漏源间电阻，损耗低
导通电阻（Vgs=4.5V） RDS(on) 10mΩ —— ——
连续漏极电流 ID 50A —— ——3. 应用场景典型性能应用场景 关键优势 适配原因
开关应用 低电容、大脉冲电流能力 满足开关场景下的快速切换与大电流需求
功率管理 低导通损耗 降低功率传输过程中的能量损失封装及型号释义MOT50N03 系列通过后缀区分封装类型，适配从 “贴片紧凑设计” 到 “直插传统安装” 的场景，具体型号与封装对应关系如下：
完整型号 封装类型 封装特点 适用场景
MOT50N03D TO-252 贴片 小体积贴片封装，适配高密度电路 消费电子、开关电源模块
MOT50N03C TO-251 直插 直插封装，安装便捷 工业设备、大电流开关电路- 型号释义（以 “MOT50N03D” 为例）：
- MOT：品牌标识（仁懋科技）；
- 50N03：主型号（“50” 代表电流能力，“N” 代表 N 沟道，“03” 代表电压等级 30V）；
- D：封装类型（TO-252 贴片封装）。
信息来源基于仁懋科技（MOT Technology）提供的 MOT50N03D/C 产品信息整理，实际应用需以最新版官方手册及具体器件批次测试数据为准。
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