有没有什么办法优化存储速度

发表于 2026-7-13 09:51

单次更新要2 次 128KB 扇区擦除+ 4 次整片 128KB Flash 读写，擦除是耗时大头

发表于 2026-7-13 11:55

你当前的流程包含了 2次擦除

发表于 2026-7-13 15:43

纯软件优化，挖掘芯片潜力

发表于 2026-7-13 19:06

优化分块交叉更新流程

发表于 2026-7-13 21:00

如何评估不同优化方案的实施难度？

发表于 2026-7-13 22:58

外部SPI Flash/SRAM 扩展

发表于 2026-7-14 07:36

使用“部分擦除”技巧

发表于 2026-7-15 12:06

固定先备份全扇区到临时扇区，全部搬运完成再写新数据，两次大扇区擦除不可避免

发表于 2026-7-15 14:38

相比软件实现，CRC 硬件加速可使校验速度明显提升。

发表于 2026-7-15 16:26

把"临时扇区擦 + 全量搬"省掉

发表于 2026-7-15 18:55

哪种方案对系统稳定性影响最小？

发表于 2026-7-15 21:21

榨干全部 RAM，拼凑最大可用缓存

发表于 2026-7-16 10:01

DMA 双缓冲

发表于 2026-7-16 12:10

关闭 Flash 读取等待周期

发表于 2026-7-16 14:08

双扇区轮换机制

发表于 2026-7-16 16:04

擦 Flash 前关全局中断

发表于 2026-7-16 17:47

使用双扇区备份策略

发表于 2026-7-16 18:07

使用内部的flash是不是会更快一下

发表于 2026-7-16 20:21

另一个方法是优化你的数据存储策略，比如使用更高效的数据压缩算法，减少需要写入FLASH的数据量。

发表于 2026-7-17 12:03

每写完一块 Flash，在扇区头部 4 字节写入 CRC 校验标记；全部块写完再置有效标志，上电检测标记失效自动回滚 Temp_Sec 备份，不会丢失原始数据。

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