单片机功耗与LDO选型

发表于 2026-7-5 15:13

选型优先选择静态电流IQ≤1μA的低温漂LDO，避免LDO自身静态功耗吃掉MCU的低功耗收益，适配电池供电场景。

发表于 2026-7-5 16:26

仅算 MCU 内部功耗，不含外部 LDO 损耗、外设耗电，只看 PCC 数值会低估整机电流，必须手动追加外部负载

发表于 2026-7-5 19:19

如何看懂并使用 STM32CubeMX 的 PCC 功耗计算工具

发表于 2026-7-5 20:07

如何配置低功耗模式参数？

发表于 2026-7-5 20:32

如果 LDO 为 STM32 的 VDDA供电，必须选择高 PSRR和低噪声的 LDO，防止电源噪声干扰 ADC 采样精度

发表于 2026-7-5 21:05

LDO选型需注意哪些关键指标？

发表于 2026-7-5 21:30

优选内置过流保护、短路保护和过热保护的型号，提高系统可靠性。

发表于 2026-7-5 21:59

通常要求至少 1µF 以上的陶瓷电容，且需关注电容的 ESR 值

发表于 2026-7-6 11:05

别只看200mA，加上外设和IO输出，至少300mA，万用表实测更靠谱。

发表于 2026-7-6 22:07

MCU 静态电流、外设峰值电流，区分平均工作电流与瞬时峰值电流，LDO 额定输出电流取最大峰值 ×1.2~1.5 余量

发表于 2026-7-7 13:03

烈建议选择带使能引脚的 LDO。

发表于 2026-7-8 12:50

你说的对，手册里的200mA确实是芯片内核极限，实际应用中确实要考虑外设和IO的电流。我之前项目里也是按内核+LED+IO电流总和的1.5倍来选LDO的，这样保险。

发表于 2026-7-8 13:53

各模式 MCU 裸片电流、外部负载总电流、整机平均电流、峰值瞬时电流

[STM32L4] 单片机功耗与LDO选型