|
之前在展会薅了几颗SiC MOSFET的样片，回实验室测了一下，数据分享。 测试条件 测试对象：某国产650V/40mΩ SiC MOSFET。对比对象：英飞凌IMW65R039M1H（同规格）。测试设备：双脉冲测试台+示波器+高温烘箱。 静态参数对比 • Rds(on)：国产标称40mΩ，实测42mΩ（25度），英飞凌实测38mΩ。差距不大，在标称值误差范围内。 • Vgs(th)：国产2.8V，英飞凌2.5V。驱动兼容性没问题，但需要注意驱动电压裕量。 开关特性对比（双脉冲测试） • 开通损耗：国产比英飞凌高约15%。分析了一下，应该是栅极电阻和内部电容优化还不到位。在100kHz开关频率下，这15%的额外损耗意味着效率低0.5-0.8个百分点。 • 关断损耗：基本相当，甚至国产略优。关断波形更干净，没有明显的电压尖峰。 • dv/dt：国产的稍陡，EMI设计要更注意。在50V/ns左右，比英飞凌的35V/ns高了不少。 高温表现对比（125度） Rds(on)漂移：国产从42mΩ涨到58mΩ（+38%），英飞凌从38mΩ涨到52mΩ（+37%）。高温下两者漂移幅度接近，但国产的绝对值始终高4-6mΩ，在高功率应用中这个差距会被放大。 综合结论 能用，但在高效率、高功率密度的场景下和英飞凌还有差距。适合成本敏感、对效率要求不是极致的场合，比如某些储能逆变器、充电桩模块。展会上这家厂商的报价是英飞凌的60%，性价比确实可以。但建议先做充分验证，特别是长期可靠性。SiC的栅氧可靠性是隐藏雷区，短期测试看不出来。
| 
