mSiC技术相比传统SiC MOSFET在材料和制造工艺上有何独特之处？

发表于 2026-9-11 14:57

传统SiC MOSFET的结终端扩展工艺复杂，占用大量芯片面积；mSiC技术采用一体化的终端成型工艺，终端区域面积占比减少25%，进一步提升单位晶圆的芯片产出数量。

发表于 2026-9-11 19:59

传统SiC MOSFET普遍采用4H-SiC单晶衬底，位错密度高，晶圆尺寸提升过程中良率控制难度大；mSiC技术大多采用改性的复合SiC材料体系，通过特殊的材料重构工艺降低晶体缺陷密度，衬底位错密度比传统4H-SiC单晶衬底低一个数量级以上。

发表于 2026-9-11 20:47

mSiC技术的核心材料优势是什么？

发表于 2026-9-12 11:11

Microchip强调其拥有多个外延片来源和两座SiC晶圆厂，这有助于保障长期稳定的供应链。

发表于 2026-9-12 13:33

mSiC沟槽处理技术独到，沟道迁移率高，稳定性好。模块集成能力强，适合系统级应用。

[模拟产品/SiC] mSiC技术相比传统SiC MOSFET在材料和制造工艺上有何独特之处？