N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN结隔离，因此，即使在D、S之间加
绝缘栅型N沟道增强型场效应管栅极g的电压一定比漏极d的电压小
截止时是这个情况，但是饱和时漏极电压几乎为零，此时栅极电压就会比漏极电压高。
N沟道增强型绝缘栅场效应管所加电压UGS为什么不能小于0
首先明确一点，这里说的UGS不能小于0不是说小于0是会出现什么问题，而是说小于0是它不工作。因为在实际电路中任何情况都是可能的。
N沟道增强型绝缘栅场效应管就是增强型NMOS。
先从NMOS的工作原理讲起：
对于增强型NMOS，绝缘层中没有电荷，所以栅不通电时，绝缘层下的沟道仍为P型半导体，而而NMOS的漏极和源极是N型的，则源极和漏极之间就相当于两个反接的二极管，这时源漏之间不管多大的电压也不能导通，没有导电沟道。
当栅加正电压时，绝缘层下的P衬底感应出电子，使栅下的P型半导体成为N型（这成为反型），而NMOS的漏极和源极也是N型的，所以当源漏之间有电压时就可以导电。
当栅上加负电压时，栅下的衬底感应出正电荷，这个区域仍为P型半导体，而NMOS的漏极和源极是N型的，则源极和漏极之间就相当于两个反接的二极管，这时源漏之间不管多大的电压也不能导通，除非击穿。
所以说UGS不能小于0
转载自http://cxtke.com/ |
楼主
标题置顶
标题高亮
