看了avr的ADC评价，正好我要请教个问题。

4万 · 2008-5-4 12:27

对于AD用的基准，除了电压精度要求高外，更重要的是稳定性和抗干扰能力，
因为精度可以通过硬件或软件调校来解决，而对稳定性硬件或软件几乎是无能
无力的。

MCU内部带的AD，因为与MCU做在同一芯片上，MCU是个数字电路，会对AD产生很
大的干扰，同时还受芯片温度的影响，这就是MCU内部AD精度一般很难做得很高
的原因，而对AD结果有决定性作用的基准，同样会受影响，不然，也没必要引
出外接基准的引脚了。

将模拟电路和数字电路做在一个硅片上，要保证很好的兼容，这是个世界级的
难题。

如果MCU内部AD的精度那么容易解决，哪里还有那么多的厂家生产AD芯片？而且
许多的价格远远超过MCU本身！

1万 · 2008-5-4 14:57

双积分AD和并行AD之间，精度优于并行AD。最大的主要原因只要很少晶片面积就能达到目的。

副近形AD很简单，制作AD的关键技术就是模以电子开关同基准源，否定M8的精度换句话讲就是否定了ATMEL的集成制作一致性工艺。

2万 · 2008-5-4 15:58

怎么着？

谁不同意谁别用……

呵呵，等于没说……

从M8手册上看，VREF精度好象确实不高……

1万 · 2008-5-4 16:58

M8手册上省掉了必要一个条件（VCC=5V供电）。AVR的竟争对手就利用手册上的写作漏洞来攻击AVR！只是可怜了一帮将要应用AVR的菜鸟们。

2万 · 2008-5-4 17:40

那比ATMEL没做好芯片更糟糕。

出了这么长时间的CHIP了，也很多人反映过了，为什么AT连个基本的DATASHEET修订都不出？

那只能说明：它确实就是在2.3~2.7V范围内误差的。

尊重ATMEL给的DATASHEET才是对ATMEL芯片的尊重。

4万 · 2008-5-4 17:45

这是手册上的参数：

这是能带隙基准的说明：

这是基准随Vcc与温度的变化曲线：

4万 · 2008-5-4 17:52

不要说内部的基准的不准确，就是使用外部的基准，也不能将宝压在它的上
面，因为还有其它的电路参数影响，应该有一个整体的调校。

1万 · 2008-5-4 18:16

-40 到+85 都是极基稳定，VCC=5V的时候1.295~1.305 之间！！！何来差？
上面的图上标的85跟25应该换个位才对！AVR菜鸟们还不跪谢awey。

3万 · 2008-5-4 19:14

只看该作者 · 2008-5-4 21:49

-40度到+85度参考源 < 0.01的误差。VCC供电4.5V到5.1V的参考源的误差 < 0.01 ;所谓的高手们这回没话好说了！

1万 · 2008-5-4 22:33

加上电路上的不确定脉冲电流，纹波通常大于50mv，最主要的是7805的温度特性远远不如内置MCU内部参考源！这就是真正有经验的人与“菜鸟级”的区别。
俺公司产品除了16949的高周波测试，产品无一例外都要过-40到+85温度的测试关，读到这个贴子的AVR菜鸟们这回真走运了！捡了个大便宜。

2万 · 2008-5-5 08:58

另外，这个图片中的VBG范围和基准随Vcc与温度的变化曲线差的很多，到底是哪个部分错了？ATMEL为何不给出订正呢？

这个问题就如同M48的内部RC OSC和MEGA系列内部EE的首字节容易‘蒸发’的问题一样，ATMEL往往给不出解释或者不愿意给出解释。

AT在AVR系列上的技术支持非常有限，或者是根本找不到人解决问题，靠代理的FAE根本不能解决问题，代理的FAE没办法了只有转给ATMEL，但往往是无影无踪，不了了之……