功率MOS简单问题1

只看该作者 · 2012-10-11 10:24

本帖最后由 magic_yuan 于 2012-10-11 10:26 编辑

各位老师，
近来想用分立器件设计一个推挽功率级，选了一个PMOS，2SJ377, DATASHEET上写得有20W的功率，一看其封装（见附件—），貌似个头挺小，请高手说下这个封装能否做到20W，或者说加散热片能否做到20W，可靠性如何？
十分感谢！

1万 · 2012-10-11 12:02

能。

1万 · 2012-10-11 21:40

很多功率管的参数都很大, 但是条件是要有理想的散热条件为基础的.
这就要求有良好的热设计.
否则, 功率还没有到, 就过热损坏了.

只看该作者 · 2012-10-11 23:31

那得多大散热片啊

只看该作者 · 2012-10-12 09:26

3# airwill
多谢！
实际应用中我用到5W就差不多了，看这个头实在是小啊。

只看该作者 · 2012-10-12 09:26

器件手册上给出的最大功率20W是在器件的壳温为25℃的时候测出的，应用的时候要根据实际情况来计算。重点看几个关于热阻的参数，沟道与外壳间的热阻R(ch-c),外壳与散热器之间的热阻R(c-s). 散热器与环境之间的热阻R(s-a). 如果散热片的面积很大且与器件接触良好，R(c-s)和R(s-a)可以近似认为是0. 那么只需关注R(ch-c)，手册上给出的是6.25℃/W. 还有一个重要的参数是沟道温度Tch的上限，手册上给出的是150℃。
  如果使用环境的温度是25度，在器件功率为20W时，沟道的温度为Tch = Tc + P*R(ch-c) = 25 + 20*6.25 = 150度，恰好是沟道温度的上限。这也解释了为什么在Tc=25度是最大功率为20W.
  如果使用环境为50度，假设器件功率为20W，沟道温度为Tc + P*R(ch-c) = 50 + 20*6.25 = 175度，已经超过的Tch的上限，器件会损坏，所以如果环境温度为50度，器件的最大功率为P = (150 - 50)/6.25 = 16W.
  注意上面的计算都是在散热条件理想的情况下得出的结论，在应用中R(c-s)和R(s-a)很难做到是0，所以实际能够做到的功率比计算出的还要小一些。

只看该作者 · 2012-10-12 10:49

6# ShakaLeo
多谢大侠！
我使用的温度在25度左右，工作时有风扇散热。
看了大侠对热阻的计算，佩服了，我平时一看到热阻的计算就回避，总觉得繁琐不愿意接受，看来还是要学习下。

功率MOS简单问题1

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