功率MOS简单问题1

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 楼主| magic_yuan 发表于 2012-10-11 10:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 magic_yuan 于 2012-10-11 10:26 编辑

各位老师,
   近来想用分立器件设计一个推挽功率级,选了一个PMOS,2SJ377, DATASHEET上写得有20W的功率,一看其封装(见附件—),貌似个头挺小,请高手说下这个封装能否做到20W,或者说加散热片能否做到20W,可靠性如何?
  十分感谢!

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宋业科 发表于 2012-10-11 12:02 | 显示全部楼层
airwill 发表于 2012-10-11 21:40 | 显示全部楼层
很多功率管的参数都很大, 但是条件是要有理想的散热条件为基础的.
这就要求有良好的热设计.
否则, 功率还没有到, 就过热损坏了.
firewolf火狼 发表于 2012-10-11 23:31 | 显示全部楼层
那得多大散热片啊
 楼主| magic_yuan 发表于 2012-10-12 09:26 | 显示全部楼层
3# airwill
多谢!
  实际应用中我用到5W就差不多了,看这个头实在是小啊。
ShakaLeo 发表于 2012-10-12 09:26 | 显示全部楼层
器件手册上给出的最大功率20W是在器件的壳温为25℃的时候测出的,应用的时候要根据实际情况来计算。重点看几个关于热阻的参数,沟道与外壳间的热阻R(ch-c),外壳与散热器之间的热阻R(c-s). 散热器与环境之间的热阻R(s-a). 如果散热片的面积很大且与器件接触良好,R(c-s)和R(s-a)可以近似认为是0. 那么只需关注R(ch-c),手册上给出的是6.25℃/W. 还有一个重要的参数是沟道温度Tch的上限,手册上给出的是150℃。
  如果使用环境的温度是25度,在器件功率为20W时,沟道的温度为Tch = Tc + P*R(ch-c) = 25 + 20*6.25 = 150度,恰好是沟道温度的上限。这也解释了为什么在Tc=25度是最大功率为20W.
  如果使用环境为50度,假设器件功率为20W,沟道温度为Tc + P*R(ch-c) = 50 + 20*6.25 = 175度,已经超过的Tch的上限,器件会损坏,所以如果环境温度为50度,器件的最大功率为P = (150 - 50)/6.25 = 16W.
  注意上面的计算都是在散热条件理想的情况下得出的结论,在应用中R(c-s)和R(s-a)很难做到是0,所以实际能够做到的功率比计算出的还要小一些。

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 楼主| magic_yuan 发表于 2012-10-12 10:49 | 显示全部楼层
6# ShakaLeo
多谢大侠!
   我使用的温度在25度左右,工作时有风扇散热。
   看了大侠对热阻的计算,佩服了,我平时一看到热阻的计算就回避,总觉得繁琐不愿意接受,看来还是要学习下。
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