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为什么PMOS 和NMOS 场效应管都要反向并联一个二极管

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大道至简|  楼主 | 2012-10-20 11:09 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, 二极管, 场效应管, 并联, 电动
为什么功率稍大一些的PMOS 和NMOS 场效应管在D和S之间都要反向并联一个类似肖特基二极管那样的东西。？
不并联不行吗？

我知道这样的管子在驱动电动机的时候蛮好，但是我现在一个设计不需要这个二极管

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沙发
半个苹果| | 2012-10-20 11:56 | 只看该作者
本帖最后由 半个苹果 于 2012-10-20 11:58 编辑

如果是NMOS，就是防止在应用的时不让漏极的电压变得很负而损坏MOS管。一般设计良好的电路不会出现漏极电压变得很负的情况，算是一个保护措施吧。就和芯片IO口上的钳位二极管一样吧。

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板凳
maychang| | 2012-10-20 12:08 | 只看该作者
功率MOS管中的二极管，是生产工艺自然形成的，想不要是不行的，不要也得要。

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地板
PowerAnts| | 2012-10-20 12:18 | 只看该作者
那个二极管不是类似于肖特基二极管, 其特性比肖特基差多了, 界于工频与普通快速管之间, 不过现在也有晶片上并一个肖特基的, 用来屏蔽体二极管.
如果很讨厌那个二极管, 要么用两个同型的背靠背串联, 要么使用英飞凌的功率型JFET, 目前有1200V/10A的型号, Ron仅70mohm, 指标很吓人, 价格当然也很吓人

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nongfuxu + 1
5楼
coody| | 2012-10-20 18:59 | 只看该作者
那就用三极管好了

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6楼
946051973| | 2012-10-20 19:01 | 只看该作者
这样不错哦

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7楼
firewolf火狼| | 2012-10-20 19:22 | 只看该作者
4# PowerAnts

“不过现在也有晶片上并一个肖特基的, 用来屏蔽体二极管.”有具体的datasheet看看么？

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8楼
chunyang| | 2012-10-21 00:04 | 只看该作者
一方面为保护，另一方面也是工艺制约的结果，生来如此。

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9楼
HORSE7812| | 2012-10-21 10:24 | 只看该作者
mark

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10楼
不亦心| | 2012-10-21 16:04 | 只看该作者
外部反向串一个肖特基或mos屏蔽体二极管

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11楼
xygyszb| | 2012-10-22 08:45 | 只看该作者
有个反向二极管不是挺好的吗？感性负载的时候比较管用，可以较快的泄放掉回路能量。

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12楼
大道至简|  楼主 | 2012-10-22 13:46 | 只看该作者
那就用三极管好了
coody 发表于 2012-10-20 18:59



三极管压降太高

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13楼
ttry135| | 2012-11-26 15:51 | 只看该作者
mark

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14楼
shuai37zhang| | 2012-11-27 17:21 | 只看该作者
:)

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15楼
locky_z| | 2012-11-27 23:15 | 只看该作者
看一下MOS物理结构就知道了，原因是衬底和漏极是一个NP结构，
封装时，衬底是需要接到S端，结果造成衬底-漏极二极管接在S-D之间了。

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16楼
Ryanhsiung| | 2012-11-28 08:32 | 只看该作者
学习一下

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17楼
宋业科| | 2012-11-28 08:51 | 只看该作者
英飞凌的功率型JFET, 目前有1200V/10A的型号？

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18楼
PowerAnts| | 2012-11-28 09:28 | 只看该作者
当然有, 虽然贵, 但还是很有市场. 比如哈工大8年前搞的动力电池"电容飞度均衡", 是用一个容量足够的电容, 并联在电压最高的一个电池单元上取电, 再切换到电压最低的一个电池单元上给电池充电. 每个电池要用4个MOS, 现在只需要两个JFET了, 大大简化电路及驱动.

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19楼
PowerAnts| | 2012-11-28 09:32 | 只看该作者
目前, 电容飞度均衡法已大量应用于超级电容及动力电池组均衡, 英飞凌的功率型SiC应运而生

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20楼
PowerAnts| | 2012-11-28 09:38 | 只看该作者
Atmel 于2009年也适时推出了"飞度电容均衡"控制器

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