为什么PMOS 和NMOS 场效应管都要反向并联一个二极管

发表于 2012-10-20 11:09

为什么功率稍大一些的PMOS 和NMOS 场效应管在D和S之间都要反向并联一个类似肖特基二极管那样的东西。？
不并联不行吗？

我知道这样的管子在驱动电动机的时候蛮好，但是我现在一个设计不需要这个二极管

发表于 2012-10-20 11:56

本帖最后由半个苹果于 2012-10-20 11:58 编辑

如果是NMOS，就是防止在应用的时不让漏极的电压变得很负而损坏MOS管。一般设计良好的电路不会出现漏极电压变得很负的情况，算是一个保护措施吧。就和芯片IO口上的钳位二极管一样吧。

发表于 2012-10-20 12:08

功率MOS管中的二极管，是生产工艺自然形成的，想不要是不行的，不要也得要。

nongfuxu · 发表于 2012-10-20 12:18

那个二极管不是类似于肖特基二极管, 其特性比肖特基差多了, 界于工频与普通快速管之间, 不过现在也有晶片上并一个肖特基的, 用来屏蔽体二极管.
如果很讨厌那个二极管, 要么用两个同型的背靠背串联, 要么使用英飞凌的功率型JFET, 目前有1200V/10A的型号, Ron仅70mohm, 指标很吓人, 价格当然也很吓人

发表于 2012-10-20 18:59

那就用三极管好了

发表于 2012-10-20 19:01

这样不错哦

发表于 2012-10-20 19:22

4# PowerAnts

“不过现在也有晶片上并一个肖特基的, 用来屏蔽体二极管.”有具体的datasheet看看么？

发表于 2012-10-21 00:04

一方面为保护，另一方面也是工艺制约的结果，生来如此。

发表于 2012-10-21 10:24

mark

发表于 2012-10-21 16:04

外部反向串一个肖特基或mos屏蔽体二极管

发表于 2012-10-22 08:45

有个反向二极管不是挺好的吗？感性负载的时候比较管用，可以较快的泄放掉回路能量。

发表于 2012-10-22 13:46

那就用三极管好了
coody 发表于 2012-10-20 18:59

三极管压降太高

发表于 2012-11-26 15:51

mark

发表于 2012-11-27 17:21

发表于 2012-11-27 23:15

看一下MOS物理结构就知道了，原因是衬底和漏极是一个NP结构，
封装时，衬底是需要接到S端，结果造成衬底-漏极二极管接在S-D之间了。

发表于 2012-11-28 08:32

学习一下

发表于 2012-11-28 08:51

英飞凌的功率型JFET, 目前有1200V/10A的型号？

发表于 2012-11-28 09:28

当然有, 虽然贵, 但还是很有市场. 比如哈工大8年前搞的动力电池"电容飞度均衡", 是用一个容量足够的电容, 并联在电压最高的一个电池单元上取电, 再切换到电压最低的一个电池单元上给电池充电. 每个电池要用4个MOS, 现在只需要两个JFET了, 大大简化电路及驱动.

发表于 2012-11-28 09:32

目前, 电容飞度均衡法已大量应用于超级电容及动力电池组均衡, 英飞凌的功率型SiC应运而生

发表于 2012-11-28 09:38

Atmel 于2009年也适时推出了"飞度电容均衡"控制器

为什么PMOS 和NMOS 场效应管都要反向并联一个二极管

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