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关于三极管作为开关作用下饱和状态的疑问?

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楼主: wang9321321
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StanWu| | 2012-12-2 16:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
楼主的计算方法好呀

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shalixi| | 2012-12-2 16:29 | 只看该作者
楼主的计算方法没有错.

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xmar| | 2012-12-3 15:57 | 只看该作者
三极管浅饱和时,开关速度最快。对硅管而言,更准确饱和条件:

(Vsignal-0.7)/ R2 > (Vcc-0.7) / (β* R1)

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yuyi21ic| | 2012-12-3 21:20 | 只看该作者
LZ今天算的结果感觉太小是因为你集电极电阻R1选的太大了。
实际使用中,你若是选这么大的电阻,
对于后级的电路而言你这个开关电路相当于一直出于关状态了。

LZ的计算还是正确的。

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googlee88| | 2012-12-4 10:47 | 只看该作者
仔细看看。。

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ETjason| | 2012-12-4 11:14 | 只看该作者
xapple21 发表于 2012-11-28 13:09
LZ对三极管的理解不对。要记住三极管进入饱和状态的必要条件:1,发射结正偏:2,集电结反偏。发射结正偏就 ...

应该是发射结正偏,集电结正偏

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leaflaylay| | 2012-12-4 11:37 | 只看该作者
xmar 发表于 2012-12-3 15:57
三极管浅饱和时,开关速度最快。对硅管而言,更准确饱和条件:

(Vsignal-0.7)/ R2 > (Vcc-0.7) / (β*  ...

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