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关于三极管作为开关作用下饱和状态的疑问？

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楼主
wang9321321|  楼主 | 2012-11-28 11:54 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
三极管, 开关, 饱和, 电流, ic

如上图所示，（R1为10K）先假设三极管处于饱和临界状态，假设CE压降为0，则Ic=VCC/R1=5V/10k=50uA，此电流即为饱和电流；则Ib此时为：Ib=Ic/B=50/300=160pA。是不是说只要Ib大于160pA三极管就处于饱和状态？
附：以前一直用三极管开关作用，只知道三极管处于饱和状态，没有计算过取值，但今天算了算觉得是不是太小了，请教我理解有错吗？

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沙发
forgot| | 2012-11-28 11:59 | 只看该作者
你可以那么去理解  但是Vb不要忽略了

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板凳
Lgz2006| | 2012-11-28 12:01 | 只看该作者
你想问：161pA进入饱和，159pA退出饱和吗

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地板
wang9321321|  楼主 | 2012-11-28 12:04 | 只看该作者
3# Lgz2006
不是 我就是想这进入饱和的条件是不是太低了，随便一个电阻都可以使得三极管进入饱和状态，不知理解是否有误

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5楼
maychang| | 2012-11-28 12:21 | 只看该作者
没有错。
很小的基极电流也可能使三极管进入饱和，只要集电极电流充份小。
当然，三极管在集电极电流很小时，电流放大倍数往往也比较小，不能拿集电极电流数mA时的电流放大倍数作为集电极电流仅50uA时的计算依据。要让三极管在比较小的集电极电流下进入饱和，基极电流应该放些余量。

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6楼
鸟鸟| | 2012-11-28 12:46 | 只看该作者
:)

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7楼
xapple21| | 2012-11-28 13:09 | 只看该作者
LZ对三极管的理解不对。要记住三极管进入饱和状态的必要条件：1，发射结正偏：2，集电结反偏。发射结正偏就是要达到开启电压分（硅管0.7V）（锗管0.3V）现在的工艺好了甚至有0.1-0.2V开启的管子。三极管又分PNP和NPN型这个相信都知道。所以LZ的说法有问题必须让Uce高于开启电压后Ic与Ib才有β倍的关系。又根据用途不同（是给开关信号还是做驱动）结合管子的最大功率决定Rb和Rc的取值。希望对LZ有帮助

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8楼
wang9321321|  楼主 | 2012-11-28 14:50 | 只看该作者
5# maychang
我觉得这种理解我可以接受，而且很符合我的理解，应该是说饱和的积极电流其实也取决于集电极电流的，然后Ib>BIc就可以了

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9楼
wang9321321|  楼主 | 2012-11-28 14:51 | 只看该作者
我的说法对不对呢

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10楼
maychang| | 2012-11-28 15:08 | 只看该作者
9楼：
对。
但需要注意：电流放大倍数不是常数，集电极电流很小时电流放大倍数往往也比集电极电流稍大时小一些。所以我在5楼说“基极电流应该放些余量”。

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11楼
jlass| | 2012-11-29 08:24 | 只看该作者
学习一下，说个题外话
如上图所示，（R1为10K）
图中的R1明明是100K

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12楼
qsk5678| | 2012-11-29 12:56 | 只看该作者
根本看不到图！

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13楼
noynot| | 2012-11-29 13:21 | 只看该作者
LZ对三极管的理解不对。要记住三极管进入饱和状态的必要条件：1，发射结正偏：2，集电结反偏。发射结正偏就是要达到开启电压分（硅管0.7V）（锗管0.3V）现在的工艺好了甚至有0.1-0.2V开启的管子。三极管又分PNP和NPN ...
xapple21 发表于 2012-11-28 13:09


正解

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14楼
dlliulu| | 2012-11-29 14:32 | 只看该作者
查了下三极管数据手册，好像是集电极电流比较大时，电流放大倍数hFE比较小吧？
10# maychang

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15楼
wang9321321|  楼主 | 2012-11-29 19:01 | 只看该作者
12# qsk5678
能把

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16楼
天神下凡| | 2012-11-29 20:18 | 只看该作者
集电极电流很小和很大时，hfe都较小。

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17楼
W_Controller| | 2012-11-29 20:32 | 只看该作者
LZ对三极管的理解不对。要记住三极管进入饱和状态的必要条件：1，发射结正偏：2，集电结反偏。发射结正偏就是要达到开启电压分（硅管0.7V）（锗管0.3V）现在的工艺好了甚至有0.1-0.2V开启的管子。三极管又分PNP和NPN ...
xapple21 发表于 2012-11-28 13:09
LZ的理解是正确的。事实上，LZ的观点与你的描述是一致的:)

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18楼
maychang| | 2012-11-29 20:45 | 只看该作者
回复14楼：
通常集电极电流很大和很小时，电流放大倍数都比较小。16楼说得是一般情况。
当然也有很少的例外。这与工艺有关。
下图是2N4400电流放大倍数随集电极电流和集电极电压以及温度变化的曲线。

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19楼
xukun977| | 2012-11-29 22:05 | 只看该作者
从电流角度无法给出确切界限，因为非理想因素多如牛毛，比如说不但Vce造成基宽调制，Vbe也会。
就算硬性给出（比如160.1pA）也没什么实际意义，特征太不明显，用甲类乙类丙类区别？
用欸波斯莫尔式可得到饱和时Vce表达式，非常复杂，极少有人用它计算的，除了脉冲电路用来优化速度。

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20楼
wang9321321|  楼主 | 2012-11-29 22:35 | 只看该作者
哇  高手越来越多了 为什么提出这个问题呢  因为我在实际运用中虽然都是当开关作用来用的，却很少进行计算，没有一个边界值，后来查了一下，发现可以根据集电极饱和电流进行计算，因此用它的临界情况反推Ib这样就能算出来基极电阻的大致范围

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