关于三极管作为开关作用下饱和状态的疑问？

只看该作者 · 2012-11-28 11:54

如上图所示，（R1为10K）先假设三极管处于饱和临界状态，假设CE压降为0，则Ic=VCC/R1=5V/10k=50uA，此电流即为饱和电流；则Ib此时为：Ib=Ic/B=50/300=160pA。是不是说只要Ib大于160pA三极管就处于饱和状态？
附：以前一直用三极管开关作用，只知道三极管处于饱和状态，没有计算过取值，但今天算了算觉得是不是太小了，请教我理解有错吗？

1万 · 2012-11-28 11:59

你可以那么去理解但是Vb不要忽略了

1万 · 2012-11-28 12:01

你想问：161pA进入饱和，159pA退出饱和吗

只看该作者 · 2012-11-28 12:04

3# Lgz2006
不是我就是想这进入饱和的条件是不是太低了，随便一个电阻都可以使得三极管进入饱和状态，不知理解是否有误

3万 · 2012-11-28 12:21

没有错。
很小的基极电流也可能使三极管进入饱和，只要集电极电流充份小。
当然，三极管在集电极电流很小时，电流放大倍数往往也比较小，不能拿集电极电流数mA时的电流放大倍数作为集电极电流仅50uA时的计算依据。要让三极管在比较小的集电极电流下进入饱和，基极电流应该放些余量。

只看该作者 · 2012-11-28 12:46

只看该作者 · 2012-11-28 13:09

LZ对三极管的理解不对。要记住三极管进入饱和状态的必要条件：1，发射结正偏：2，集电结反偏。发射结正偏就是要达到开启电压分（硅管0.7V）（锗管0.3V）现在的工艺好了甚至有0.1-0.2V开启的管子。三极管又分PNP和NPN型这个相信都知道。所以LZ的说法有问题必须让Uce高于开启电压后Ic与Ib才有β倍的关系。又根据用途不同（是给开关信号还是做驱动）结合管子的最大功率决定Rb和Rc的取值。希望对LZ有帮助

只看该作者 · 2012-11-28 14:50

5# maychang
我觉得这种理解我可以接受，而且很符合我的理解，应该是说饱和的积极电流其实也取决于集电极电流的，然后Ib>BIc就可以了

只看该作者 · 2012-11-28 14:51

我的说法对不对呢

3万 · 2012-11-28 15:08

9楼：
对。
但需要注意：电流放大倍数不是常数，集电极电流很小时电流放大倍数往往也比集电极电流稍大时小一些。所以我在5楼说“基极电流应该放些余量”。

1万 · 2012-11-29 08:24

学习一下，说个题外话
如上图所示，（R1为10K）
图中的R1明明是100K

只看该作者 · 2012-11-29 12:56

根本看不到图！

只看该作者 · 2012-11-29 13:21

LZ对三极管的理解不对。要记住三极管进入饱和状态的必要条件：1，发射结正偏：2，集电结反偏。发射结正偏就是要达到开启电压分（硅管0.7V）（锗管0.3V）现在的工艺好了甚至有0.1-0.2V开启的管子。三极管又分PNP和NPN ...
xapple21 发表于 2012-11-28 13:09

正解

只看该作者 · 2012-11-29 14:32

查了下三极管数据手册，好像是集电极电流比较大时，电流放大倍数hFE比较小吧？
10# maychang

只看该作者 · 2012-11-29 19:01

12# qsk5678
能把

只看该作者 · 2012-11-29 20:18

集电极电流很小和很大时，hfe都较小。

只看该作者 · 2012-11-29 20:32

LZ对三极管的理解不对。要记住三极管进入饱和状态的必要条件：1，发射结正偏：2，集电结反偏。发射结正偏就是要达到开启电压分（硅管0.7V）（锗管0.3V）现在的工艺好了甚至有0.1-0.2V开启的管子。三极管又分PNP和NPN ...
xapple21 发表于 2012-11-28 13:09

LZ的理解是正确的。事实上，LZ的观点与你的描述是一致的:)

3万 · 2012-11-29 20:45

回复14楼：
通常集电极电流很大和很小时，电流放大倍数都比较小。16楼说得是一般情况。
当然也有很少的例外。这与工艺有关。
下图是2N4400电流放大倍数随集电极电流和集电极电压以及温度变化的曲线。

2万 · 2012-11-29 22:05

从电流角度无法给出确切界限，因为非理想因素多如牛毛，比如说不但Vce造成基宽调制，Vbe也会。
就算硬性给出（比如160.1pA）也没什么实际意义，特征太不明显，用甲类乙类丙类区别？
用欸波斯莫尔式可得到饱和时Vce表达式，非常复杂，极少有人用它计算的，除了脉冲电路用来优化速度。

只看该作者 · 2012-11-29 22:35

哇高手越来越多了为什么提出这个问题呢因为我在实际运用中虽然都是当开关作用来用的，却很少进行计算，没有一个边界值，后来查了一下，发现可以根据集电极饱和电流进行计算，因此用它的临界情况反推Ib这样就能算出来基极电阻的大致范围

关于三极管作为开关作用下饱和状态的疑问？

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