奇怪的MOS管损坏问题

发表于 2012-12-10 22:36

栅极电阻必须要增加的，可以减弱外来杂讯的影响，保护栅极，同时防止自激，再者，PMOS管没有这个电阻的话，VGS在NMOS管导通后为15V左右，如果管子发热严重，VGS的20V是会下降的，15V就显得较为危险了。看数据手册，门槛电平最高为3V，3.3V的驱动电压，如楼上所说，导通电阻可能会比较大，管耗也随之增大。请留意一下管子的温升是否正常。

发表于 2012-12-10 22:47

rdhmjd 发表于 2012-12-10 22:36
栅极电阻必须要增加的，可以减弱外来杂讯的影响，保护栅极，同时防止自激，再者，PMOS管没有这个电阻的话， ...

就是，我也有点怀疑VGS的电压有点高，明天我去增加一个电阻试试，
另外，为什么温度上升后，期间的最大允许VGS会下降呢？

发表于 2012-12-11 00:34

不错

发表于 2012-12-11 07:57

有可能管子是假的

发表于 2012-12-11 09:04

那片蓝天发表于 2012-12-11 07:57
有可能管子是假的

应该不太可能是假的，是在厂家的代理商哪里买的

发表于 2012-12-11 09:20

1、按5楼的加电阻分压，是PMOS VGS的电压处在-7.5V；考虑安全还可以加个10V的稳压二极管到PMOS的G,S端
2、NMOS，应这款MOS不是低压导通的MOS，但驱动PMOS的栅极是足够了。建议3.3V全部加到NMOS的GS端，否则NMOS的导通内阻大就会影响PMOS的VGS的电压。
3、既然负载的电流小，考虑PMOS的D端到CT12和C28间加个合适的限流电阻，防止导通瞬间PMOS承受的脉冲电流和功率太大而损坏。
4、工作时间长了,PMOS的温度就会高，那么能承受的功率也相对减小，因为CT12和C28和负载电容的存在，损坏的是几率是有的。
5、示波器查看各个点有没有异常脉冲的电压产生，有的话就需考虑脉冲是否超出MOS的承受范围，如果是就需做相应的防护，或者更换MOS。

发表于 2012-12-11 10:09

这种方式在导通和关断的瞬间存在交叉区域，这可能导致mos过热，也就是长时间工作损坏的可能原因

发表于 2012-12-11 11:45

EN信号不正常吧

发表于 2012-12-11 12:39

期待LZ将实验结果公布。。。

发表于 2012-12-11 13:26

可能是VGS太大导致管子击穿的。
虽然数据手册写的最大20V，你实际加了15V，可能余量不够，不知道15V是否稳定。

发表于 2012-12-11 17:21

gx_huang 发表于 2012-12-11 13:26
可能是VGS太大导致管子击穿的。
虽然数据手册写的最大20V，你实际加了15V，可能余量不够，不知道15V是否稳 ...

15V电源还算是比较稳定，她的纹波大致在30mV左右

登录 · 发表于 2012-12-11 17:26

现在也还没有测试出具体问题，应为一般要连续工作8个小时左右才会损坏，有时要1，2天才算坏，但在前段时间打样板卡时，我当时使用过另外一个封装兼容的MOS管来代替，用这个代替MOS管的板卡一个都没有损坏过，但我核对过两个MOS管，性能都基本一致，大家看看两个MOS管的主要差别呢？

发表于 2012-12-12 11:43

光看数据手册也不行，要实际测试一下耐压。

发表于 2012-12-12 11:44

或者，修改设计，串一个电阻，让VGS在8V左右。

发表于 2012-12-12 11:50

lczhoujq 发表于 2012-12-10 14:13
MOS管的安全区间左侧曲线是什么意思呢？同时存在一条水平的直线与一条斜线是什么意思呢？X轴的VDS电压应该 ...

左侧水平线为管子连续工作允许的安全电流。斜线为作图的延长线（Limited by rDS(on))。输入电压低时可以不予考虑。

查一下电源的纹波吧，后面有容性负载电源纹波要做控制。

发表于 2012-12-12 12:35

lczhoujq 发表于 2012-12-11 17:26
现在也还没有测试出具体问题，应为一般要连续工作8个小时左右才会损坏，有时要1，2天才算坏，但在前段时间 ...

基本上可以确定是电源纹波过大引起的。你带的又是容性负载。
ZXMC3AMC 的P管导通电阻是0.21，Si5504BDC的的导通电阻式0.14，后者的冲击电流比前者高，但安全工作区只是前者的一半。

想办法降低电源纹波，把CT13加大到100u或更大一些试试。

发表于 2012-12-12 12:44

呵呵，忘了，加大CT13可能会加重开关时的负担。看看能不能串一个电阻或电感限流。当然最好的办法还是降低电源的纹波。

发表于 2012-12-13 08:06

降低MOS导通速度，以降低脉冲电流；

发表于 2012-12-13 09:13

NMOS管G可以不串电阻,但PMOS管的G串一电阻,同5楼的做法.MOS对电压比较敏感,在电源部分先加一个保护器件测试一下,瞬态二极管,看是不是电压脉冲搞坏的.

发表于 2012-12-13 19:37

等等看结果

奇怪的MOS管损坏问题

本帖子中包含更多资源

浏览过的版块

社区建设奖章

欢快之小溪

伴坛终老

技术高手奖章

技术新星奖章

技术奇才奖章

缘定三生

经常做客

核心会员奖章

坚毅之洋流

十世金身

技术领袖奖章

技术导师奖章

甘甜之泉水

以坛为家

希望之星奖章

精华达人奖章

涓涓之细流