IC旁边的去耦电容一般都是0.1uF,但老师说这是错的

发表于 2007-8-7 20:59

不同的地方采用不同的方法,不要说的那么武断,哪个老师说的也不是不对,但他至少要讲明白为什么,也许搞理论的多了就跟实际有点差距.好多东西都是经验值没必要那么死

发表于 2014-8-3 17:32

电源去耦电容一方面是集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。
数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5nH。0.1μF的去耦电容有5nH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。
去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。

发表于 2014-8-4 10:19

hypcb 发表于 2007-8-7 19:44
大家讨论的很激烈啊，忍不住也想来说两句，白老师的这个课我也听了，很多资料上介绍的去耦电容0.1uf，不是 ...

只能说在要求较高的情况下1000pf并上22pf效果更好。5楼的说法在书里也见到过，但印象中同时提到，这些谐波一般不会影响到芯片正常工作。可能某些情况下会导致EMC问题，但很多项目EMC要求没那么高。事实上是，大量的设计使用0.1uf电容工作的很好。直接说0.1uf的用法是错的就有点哗众取了。不知道原话是怎么说的，是不是LZ传歪了。不过这类培训班，话说的夸张点好突出自己的水平，也是常有的事。

IC旁边的去耦电容一般都是0.1uF,但老师说这是错的

dd

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