关于STM32的FLASH编程可不可以在指定位置写入数据？

只看该作者 · 2013-1-26 14:43

我的思路是这样的，我有些参数希望保存在一个const定义的数组中，
不知道能不能实现，我试验过很多方法，都没成功。

只看该作者 · 2013-1-26 15:14

const数据可以初始化数据，但程序中不能随便修改。CONST定义是自动编程到FLASH区的，，，好像不占RAM的，，

只看该作者 · 2013-1-26 15:37

对const是自动编程到FLASH区的，
不知道能不能通过FLASH编程修改const区的数据？
有谁这样做成功了没？

只看该作者 · 2013-1-26 15:43

好像可以，但对地址有要求。

//u-easytech cache lee
//QQ:53755787
//MSN: uet_cache@msn.cn
//eeprom demo

//Programmed by Cache.Lee 2012/7/22

#include "stm32f0xx.h"
#include "stm32f0xx_adc.h"
#include "stm32f0xx_gpio.h"
#include "eeprom.h"

uint16_t VirtAddVarTab[NB_OF_VAR] = {0x5555, 0x6666, 0x7777};
uint16_t VarDataTab[NB_OF_VAR] = {0, 0, 0};
uint16_t VarValue = 0;

int main(void)
{
      FLASH_Unlock();

  /* EEPROM Init */
  EE_Init();

/* --- Store successively many values of the three variables in the EEPROM ---*/
  /* Store 0x1000 values of Variable1 in EEPROM */
  for (VarValue = 1; VarValue <= 10; VarValue++)
  {
EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[0], VarValue);
  }

  /* read the last stored variables data*/
  EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[0], &VarDataTab[0]);

  /* Store 0x2000 values of Variable2 in EEPROM */
  for (VarValue = 1; VarValue <=20; VarValue++)
  {
EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[1], VarValue);
  }

  /* read the last stored variables data*/
  EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[0], &VarDataTab[0]);
  EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[1], &VarDataTab[1]);

  /* Store 0x3000 values of Variable3 in EEPROM */
  for (VarValue = 1; VarValue <= 30; VarValue++)
  {
EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[2], VarValue);
  }

  /* read the last stored variables data*/
  EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[0], &VarDataTab[0]);
  EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[1], &VarDataTab[1]);
  EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[2], &VarDataTab[2]);

      while(1);
}

只看该作者 · 2013-1-26 16:32

这个貌似也只能对页写，
在论坛上看到匠人发表的问题中说是能够这样做的，我这样做确没成功，
关于问题1：答复香斑：
我说的数据区就是const数组，代码区就是指函数。
如果说是因为写保护，那我可以理解。不过如此一来，问题1就转变成了：同样是存放在FLASH中，为什么const数组可以被改写？

为了说明问题，我把相关的程序挑有用的放上来，请注意红色字体。

//--------------------------------------------------------
//数据表
//--------------------------------------------------------
const u32 R_tab[]=
{
0x12345678, //0
  //更多数据省略……
}
//--------------------------------------------------------
//函数
//--------------------------------------------------------
u32 CNT_v1(u32 data)
{
//代码省略……
}

改写数据区：
  FLASH_Unlock();                            //解锁FLASH编程擦除控制器
  Address=(vu32)&(R_tab);                   //获取表格地址
  FLASH_ProgramWord ((Address), 0);          //写32位数据(调用《stm32f10x_flash.c》的函数)（这一步能够成功）
  FLASH_Lock();                            //锁定FLASH编程擦除控制器

改写代码区：
  FLASH_Unlock();                            //解锁FLASH编程擦除控制器
  Address=(vu32)&(CNT_v1);                //获取某个函数函数地址
  FLASH_ProgramWord ((Address), 0);          //写32位数据(调用《stm32f10x_flash.c》的函数)（这一步失败）
  FLASH_Lock();                            //锁定FLASH编程擦除控制器

希望匠人出来说明下具体怎么做的。

只看该作者 · 2013-1-26 17:10

you need to erase flash first before you programming the flash.

只看该作者 · 2013-1-26 17:49

flash如果内容不是全FFFF，再想写入的话，需要先擦除

只看该作者 · 2013-1-26 18:43

用模拟EEPROM不就是了.....考虑那么多....

只看该作者 · 2013-1-27 11:17

zchong 发表于 2013-1-26 17:49
flash如果内容不是全FFFF，再想写入的话，需要先擦除

我在const数组初始化的时候写入ffff也不行。

只看该作者 · 2013-1-27 11:20

yyql008 发表于 2013-1-26 18:43
用模拟EEPROM不就是了.....考虑那么多....

对，我现在就是在模拟EEPROM。但是我模拟的EEPROM是只要写入，不需要擦除的，擦除需要整页擦，既然我不需要擦了。那我就没必要用整页来模拟EEPROM了。

只看该作者 · 2013-1-27 11:28

JasonWangFAE 发表于 2013-1-26 17:10
you need to erase flash first before you programming the flash.

3Q for your answer。
另外我想知道，FLASH数据的写入是不是还有其他的条件。比如是不是一定要整页没被初始化或都是0XFFFF，

只看该作者 · 2013-1-27 13:21

骂人咔咔咔咔咔咔咔咔咔咔咔咔

只看该作者 · 2013-1-27 21:15

本帖最后由 yyql008 于 2013-1-27 21:31 编辑

flash 写之前,需要擦除的,也就是说flash某个地址已经写入了数据,现在对该地址要写新数据,需要擦除(而且一擦除,就得擦除一页,好像是因为写数据,只能把1变为0,擦除可以把所有位擦为1,好像工艺原因,把0变成1,比1变成0要难,所有才有一擦除得整页擦除,写可以对指定地址操作)
如果按你的思路,对falsh指定位置存储数据,以后又修改该处数据,每更新一次就得擦除一页.
STM32模拟eeprom有虚拟地址的概念,调用上层的eeprom写函数,虽然虚拟地址没变,实际操作的flash地址变,目的就是尽量介绍擦除的次数了...,如果你用STM32的eeprom,可以把擦除flash次数减少到最少的.觉得你用模拟eeprom是最好的解决办法了...

只看该作者 · 2013-1-27 22:41

应该是可以的

只看该作者 · 2013-1-28 10:10

yyql008 发表于 2013-1-27 21:15
flash 写之前,需要擦除的,也就是说flash某个地址已经写入了数据,现在对该地址要写新数据,需要擦除(而且一擦 ...

模拟EEPROM只是保持的地址在变，但是依然占用这一页，也就是一页干不了其它事情，这一页写满后擦除，这样是能减少擦除次数，但是我想要的效果是减少占用的空间，而不是次数，因为我不需要擦除。

只看该作者 · 2013-3-8 10:01

再顶！

只看该作者 · 2013-6-25 17:22

非常好学习了

只看该作者 · 2013-6-25 19:39

不是很了解楼主帮你顶一个很好的学习方案

只看该作者 · 2014-4-25 11:45

不明白

只看该作者 · 2014-5-19 09:55

学习一下

关于STM32的FLASH编程可不可以在指定位置写入数据？

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