单片机上电复位状态，三极管电平转换

发表于 2013-3-13 21:28

这种情况的解决办法有两种：1.直接改软件，使复位过后各I/O马上清零，以缩短干扰信号的宽度，再在控制端口串一个限流电阻，在电阻后加一个电容去除干扰信号波。但这种做法只适合于控制输出频率不太高的信号，否则会增加输出波的失真度。2.就像楼主自己说的那样，用逻辑电阻做开机复位瞬间的开关，用于屏蔽干扰信号源。

发表于 2013-3-13 22:00

本帖最后由 kama_ya 于 2013-3-13 22:27 编辑

DianGongN 发表于 2013-3-13 21:21
be之间并联电阻即可。

谢谢，这是不改变电路的方法？
Vbe= 0.2V怎么算的？ 10uA*20K？ R2作用是什么？没有R2 行不？我仿真的时候没有加R2是BE电压0.5V，这是怎么算的呢？你用这个方法成功了？ Datasheet上没有提到，端口上电复位是输入啊？

登录 · 发表于 2013-3-13 22:32

DianGongN 发表于 2013-3-13 21:21
be之间并联电阻即可。

看到了只要（crossbar）交叉开关不允许都是输入.

发表于 2013-3-13 22:35

kama_ya 发表于 2013-3-13 17:04
版主你讲的负逻辑是我画右图意思吗？

我想单片机上电OUTPUT输出12V，左图由于单片机复位一上电8050导 ...

1.右图的图是不能使用的，因为负载端会出现悬空态。
2. 建议，NPN驱动的，一般都是加下拉电阻，或者，基极加一个二极管。

发表于 2013-3-13 22:43

kama_ya 发表于 2013-3-13 22:00
谢谢，这是不改变电路的方法？
Vbe= 0.2V怎么算的？ 10uA*20K？ R2作用是什么？没有R2 行不？我仿真的 ...

我的系统是这样用的，没有问题。
Vbe你算的正确。
R2保证上电到crossbar使能之前这段时间，Vbe=0.2v。没有R2不行。

发表于 2013-3-13 22:46

本帖最后由 DianGongN 于 2013-3-13 23:04 编辑

DianGongN 发表于 2013-3-13 22:43
我的系统是这样用的，没有问题。
Vbe你算的正确。
R2保证上电到crossbar使能之前这段时间，Vbe=0.2v。没 ...

这个不一定能仿真，因为端口实际输出和程序初始化顺序有关

点错位置了，变成自己回复自己了。:'(

发表于 2013-3-13 23:24

kama_ya 发表于 2013-3-13 22:32
看到了只要（crossbar）交叉开关不允许都是输入.

因为上电时XBARE=0，所以PORT0，1，2，3为输入状态。
PORT4，5，6，7上电时工作在open drain模式，端口锁存器数据为0xFF，是准输入状态。

发表于 2013-3-14 08:19

be之间并联电阻，好办法。

发表于 2013-3-14 08:45

DianGongN 发表于 2013-3-13 23:24
因为上电时XBARE=0，所以PORT0，1，2，3为输入状态。
PORT4，5，6，7上电时工作在open drain模式，端口锁 ...

谢谢这么晚的回复准输入状态和输入状态区别？

发表于 2013-3-14 08:57

学习

发表于 2013-3-14 09:56

kama_ya 发表于 2013-3-14 08:45
谢谢这么晚的回复准输入状态和输入状态区别？

对于C8051F021来说，外部特性没有区别。
P0，1，2，3与crossbar有关。
P4，5，6，7与crossbar无关。

但是，P0，1，2，3，4，5，6，7在上电复位期间，特性和INTEL标准的CMOS工艺8051类似。就是说默认的情况下，可以认为端口兼容标准的51

发表于 2013-3-14 10:05

LZ三极管基极的电阻可能需要优化一下，阻值计算要考虑β的离散性和温度系数。

另外，IREST_OUT也可以用两个8050来复合，少一个品种更好。

发表于 2013-3-14 10:31

负逻辑是的意思是电路设计成低电平导通，你现在是高电平导通，单片机刚上电当然会误动作，程序再怎么快速清零有用么？

发表于 2013-3-15 11:02

DianGongN 发表于 2013-3-14 10:05
LZ三极管基极的电阻可能需要优化一下，阻值计算要考虑β的离散性和温度系数。

另外，IREST_OUT也可以用两 ...

我两个电阻选用的都是10K，示波器测量，一上电250ms的三极管B电平波动，加上电阻和波动小了。

单片机上电复位状态，三极管电平转换

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