SH79Fxxx Flash use as EEPROM
79Fxxx的flash可以当EEPROM用
原理：79Fxxx的flash rom是由数个sector组成，每个sector大小为2kB
如 79F161，有16K rom, 则有8个sector
可以划分一个sector作为flash eeprom，节省外围的eeprom器件，如24C02
从而节省成本。
79Fxxx Flash ROM的擦写寿命最少有1万次，若每次只需要保存8个字节，
可以把整个sector 2k空间划分为256页，每页8个字节，
当写满256页才进行擦除，这样理论上寿命可以达到128万次，大大提高可靠性能
由于每次写保存到flash rom的地址都不一样，例如采用sector 6
第一次保存数据是保存到 0x3000～0x3007，第二次写flash后数据则保存到0x3008～0x300f，
例子中通过二分法算法查询上次保存的那8个数据保存到第几页，以便读出最新写入的数据，或者继续写数据到后续空页处，
二分法算法大大提高索引效率。
程序提供2个函数，方便对flash读写操作
void WriteFlash(Byte *ptr) //ptr is the head pointer of the write buffer
void ReadFlash(Byte *ptr) //ptr is the head pointer of the read buffer
注意的地方：
Flash ROM的第一个sector和最后一个sector不能用作flash eeprom
因为第一个sector（即程序code区0x0000~0x0fff)包含中断向量入口，
最后一个sector的最后64个Bytes被硬件屏蔽，
eg:对于79F161,Sector 1,2,3,4,5,6可以用作flash eeprom，而Sector0和Sector7则不能用作flash eeprom
振荡器频率为8M，写周期为30us(写入一个Byte)，擦周期为60ms（擦除整个Sector)
也可以根据需要使用其它振荡器频率，擦Flash和写Flash周期设置为符合规格书要求即可
具体说明及设置请查看源程序注释
程序解釋
SSP實現Flash當EEPROM驅動：
79Fxxx的flash rom是由数个sector组成，每个sector大小为2kB，79F161有16K rom, 共8个sector
程序中劃分sector6作为flash eeprom，节省外围的eeprom器件，如24C02，从而节省成本。
Flash ROM的第一个sector和最后一个sector不能用作flash eeprom用途
因为第一个sector包含中断向量入口，最后一个sector的最后64个Bytes被硬件屏蔽，对于79F161,Sector 1,2,3,4,5,6可以用作flash eeprom，而Sector0和Sector7则不能用作flash eeprom
#define SECTOR1 0x0800 //0800~0fff
#define SECTOR2 0x1000 //1000~17ff
#define SECTOR3 0x1800 //1800~1fff
#define SECTOR4 0x2000 //2000~27ff
#define SECTOR5 0x2800 //2800~2fff
#define SECTOR6 0x3000 //3000~37ff
#define SECTOR SECTOR6 //劃分SECTOR6作為EEPROM
79Fxxx Flash ROM的擦写寿命有1萬次，程序中把整个sector 2k空间划分为256页，每页8个字节，当写满256页才进行擦除，这样理论上數據保存可以达到128万次，大大提高壽命及可靠性能
#define FLASH_PAGE_BYTES 8 // this value divide exactly by 2048
#define FLASH_PAGE_COUNT 2048/FLASH_PAGE_BYTES
//allocate flash eeprom area at ROM sector 6 (C:0x3000~C:0x37ff)
typedef struct
{
Byte ROM[FLASH_PAGE_BYTES];
}FLASH_MEMORY; //flash Page datastructure
FLASH_MEMORY code Flash[FLASH_PAGE_COUNT] _at_ SECTOR; //flash eeprom datastructure
每次寫數據即寫一個Byte時間必須設定在30us左右，每次擦除即整個Sector清零時間必須設定在60ms左右
#define PROGRAM_CLK (65536 - 30) //*** 30us/(8*125ns) = 30us
#define ERASE_CLK (65536 - 60000) //*** 60ms/(8*125ns) = 60000us
每次寫時寫到上次寫的那頁的后一頁，每次讀時返回最新寫的那一頁的數據，由于每次写保存到flash rom的地址都不一样，采用sector 6,第一次保存数据是保存到 0x3000～0x3007，第二次写flash后数据则保存到0x3008～0x300f，通过二分法算法求得上次保存的数据保存到第几页，以便读出最新写入的数据，或者继续写数据到后續的空页处，二分法算法大大提供索引效率。
判斷某一頁是否為NULL
bit CheckFlashPageNull(Byte index)
{
Byte i;
for(i=0;i<FLASH_PAGE_BYTES;i++)
{
if(Flash[index].ROM)
{
return 1;
}
}
return 0;
}
二分法求得有效數據的頁索引號，并返回有效數據是否為NULL標記
bit GetFlashPageIndex(Byte *index)
{
Byte low = 0;
Byte high = FLASH_PAGE_COUNT-1;
Byte mid;
bit flag;
while(1)
{
mid = low+(high-low)/2;
flag = CheckFlashPageNull(mid);
if(mid == low)
{
break;
}
if(flag)
{
low = mid;
}
else
{
high = mid;
}
}
if(CheckFlashPageNull(high))
{
*index = high;
return 1;
}
else
{
*index = low;
return flag;
}
}
SSP寫Flash函數
void ProgramFlash(Byte pageIndex,Byte *ptr)
{
Word FlashAddr=Flash;
Byte i;
Bit EA_BAK = EA;
//---------------------------------------
for(i=0;i<pageIndex;i++)
{
FlashAddr +=FLASH_PAGE_BYTES;
}
EA = 0; //step 1
IB_CLK1 = (PROGRAM_CLK>>8)&0xff; //step 2
IB_CLK0 = (PROGRAM_CLK)&0xff;
for(i=0;i<FLASH_PAGE_BYTES;i++)
{
XPAGE = HIBYTE(FlashAddr); //step 3
IB_OFFSET= LOBYTE(FlashAddr);
IB_DATA = *(ptr+i); //step 4
IB_CON1 = 0x6E; //step 5
IB_CON2 = 0x05;
IB_CON3 = 0x0A;
IB_CON4 = 0x09;
IB_CON5 = 0x06;
_nop_(); //step 6
_nop_();
_nop_();
_nop_();
FlashAddr ++; //step 7
}
//---------------------------------------
EA = EA_BAK;
}
SSP擦除Flash函數
void EraseFlash(void)
{
Word FlashAddr=Flash;
Bit EA_BAK = EA;
//---------------------------------------
EA = 0; //step 1
IB_CLK1 = (ERASE_CLK>>8)&0xff;
IB_CLK0 = (ERASE_CLK)&0xff; //step 2
XPAGE = HIBYTE(FlashAddr); //step 3
IB_OFFSET= LOBYTE(FlashAddr);
IB_CON1 = 0xE6; //step 4
IB_CON2 = 0x05;
IB_CON3 = 0x0A;
IB_CON4 = 0x09;
IB_CON5 = 0x06;
_nop_(); //step 5
_nop_();
_nop_();
_nop_();
//---------------------------------------
EA = EA_BAK;
}
寫數據
第1次寫數據時，由于之前從未寫過數據，返回的索引號為0，且該頁為NULL，于是便把數據寫到第0頁。
第2次寫數據時，返回的索引號為0，該頁非NULL，于是便把數據保存到第1頁
….
第256次寫數據時，返回的頁索引號為0xff，該頁非NULL，先擦除整個SECTOR，再把數據寫到第0頁
void Driver_WriteFlash(Byte *ptr)
{
bit flag;
Byte index;
flag = GetFlashPageIndex(&index);
if(index == (FLASH_PAGE_COUNT-1))
{
EraseFlash();
index =0;
}
else if(flag)
{
index ++;
}
ProgramFlash(index,ptr);
}
讀數據
根據索引值讀出有效數據，有待后續校驗
void Driver_ReadFlash(Byte *ptr)
{
Byte i;
Byte index;
GetFlashPageIndex(&index);
for(i=0;i<FLASH_PAGE_BYTES;i++)
{
*ptr = Flash[index].ROM;
ptr ++;
}
}
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