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LC振荡问题

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楼主: feju
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feju|  楼主 | 2013-4-19 10:49 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
maychang 发表于 2013-4-18 20:49
1、这两支电阻仅在电容充电时起作用,影响充电时间,在晶闸管触发后,这两支电阻与晶闸管或二极管并联, ...

谢谢老师的回答。
注:ROBE脉冲的时间,远远大于阻尼振荡的时间。所以本次LC振荡中,可控硅的门极一直是高电平,所以可控硅的应该是一直都处于触发状态的,能否直接把可控硅看成一个普通二极管?
疑问:
1 针对我刚才的前提,参考上述我20#的分析,我觉得其衰减损耗电阻没法直接得出。因为充电回路和放电回路的电阻不一样。

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maychang| | 2013-4-19 11:07 | 只看该作者
feju 发表于 2013-4-19 10:49
谢谢老师的回答。
注:ROBE脉冲的时间,远远大于阻尼振荡的时间。所以本次LC振荡中,可控硅的门极一直是 ...

“能否直接把可控硅看成一个普通二极管?”
看成进入饱和状态的三极管更准确一些。

确实无法直接得出,也没有太大必要。二极管正向电阻本来就是近似说法,严格地说只能用曲线表示,而且在阻尼振荡的逐个周期中也在变化。要计算阻尼振荡衰减,比较实际的办法仍是测量衰减速度求平均值。

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feju|  楼主 | 2013-4-19 11:30 | 只看该作者
maychang 发表于 2013-4-19 11:07
“能否直接把可控硅看成一个普通二极管?”
看成进入饱和状态的三极管更准确一些。

嗯啊,好的,谢谢啊,不过在讨论中,已经得到自己想要的答案楼,谢谢您的解答。:):)

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