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我想用铁电存储器,不知铁电存储器到底咋样?有没有用过的说

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楼主: 音乐乐乐
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楼上这个问题要问问厂家了……

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mapleyang| | 2007-12-30 12:39 | 只看该作者

我得到的观点

楼上这些有多少人看过FRAM的datasheet了呢?
我咨询到的观点:3.3v的低压FRAM的读写都是无限制的,没有100亿次读限制的说法,5v的FRAM有这限制。
看过几个datasheet,也是跟这个相符的。

另外如果使用的是并行FRAM,需要注意控制信号的时序问题,因为FRAM的机制,读后需要预充电一下,如果时序不当有可能造成数据丢失。

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来与君| | 2007-12-30 15:01 | 只看该作者

和铁电无关

前段时间,我曾经对公司所采购的Atmel 2007年产的AT24C512B抽了几个样品进行写寿命测试。

方法比较简单:往该EEPROM的十个字节连续地址之间反复写入0x55/0xAA,然后读回检验。
结果:按照上述方法,所有样品在失效前都能超过200万次写操作。

不过,在此之前,采购由于各方面原因曾经买回打磨过的旧片,那些旧片的寿命不值一提。

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qingheworkshop| | 2008-1-1 14:02 | 只看该作者

抗干扰性能不如EEPROM,在强干扰环境不如EEPROM

抗干扰性能不如EEPROM,在强干扰环境不如EEPROM,使用中软件需要处理,加校验,数据备份什么的都得好好考虑。其读写寿命有限,100亿次,当RAM用很快就完了

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音乐乐乐|  楼主 | 2008-1-1 14:31 | 只看该作者

22楼,看了datasheet还真是,3.3V的没有读写次数限制

 不过还是有点想不明白,为何5V有3V就没有限制?

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NE5532| | 2008-1-1 17:35 | 只看该作者

写要算寿命

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qinyp| | 2008-1-1 22:06 | 只看该作者

对其抗干扰性能不放心

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hotpower| | 2008-1-1 22:25 | 只看该作者

对铁电的看干扰对WP的控制也很关键~~~

这个例程实际是一个铁电EEPROM的读写中断事件处理函数源码~~~

不过是做成了通用的EEPROM读写程序...
相关链接:https://bbs.21ic.com/club/bbs/list.asp?boardid=27&t=2809345

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mxh0506| | 2008-1-1 23:16 | 只看该作者

FRAM的高温稳定性如何?

比EEPROM好还是差?有人有这方面的经验吗?

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音乐乐乐|  楼主 | 2008-1-6 14:00 | 只看该作者

28楼,写保护固然重要,但光靠软件控制开关还不够

 电源稳定后这么 处理问题不大,但更多的可能要考虑存储器的上电过程。

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ypj005| | 2010-2-27 14:23 | 只看该作者
用了好长时间fm24c512,挺好用的,就是贵,写与写之间几乎没有等待时间(EEPROM典型5ms),可靠性主要使用软件保证:一式3份且定期检查,还有故障检查等,结合硬件wp(应用中几乎没用)

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wishriver| | 2017-8-29 18:42 | 只看该作者
mapleyang 发表于 2007-12-30 12:39
楼上这些有多少人看过FRAM的datasheet了呢?我咨询到的观点:3.3v的低压FRAM的读写都是无限制的,没有100亿 ...

真能无限制吗?我是不相信的

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wishriver| | 2017-8-29 18:45 | 只看该作者
mapleyang 发表于 2007-12-30 12:39
楼上这些有多少人看过FRAM的datasheet了呢?我咨询到的观点:3.3v的低压FRAM的读写都是无限制的,没有100亿 ...

请问你是查看的哪个品牌的铁电存储器标注了无限制的读写寿命?确实需需要一款无限制读写的的存储器

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