我想用铁电存储器,不知铁电存储器到底咋样?有没有用过的说

发表于 2007-12-30 12:39

楼上这些有多少人看过FRAM的datasheet了呢？
我咨询到的观点：3.3v的低压FRAM的读写都是无限制的，没有100亿次读限制的说法，5v的FRAM有这限制。
看过几个datasheet，也是跟这个相符的。

另外如果使用的是并行FRAM，需要注意控制信号的时序问题，因为FRAM的机制，读后需要预充电一下，如果时序不当有可能造成数据丢失。

发表于 2007-12-30 15:01

前段时间，我曾经对公司所采购的Atmel 2007年产的AT24C512B抽了几个样品进行写寿命测试。

方法比较简单：往该EEPROM的十个字节连续地址之间反复写入0x55/0xAA，然后读回检验。
结果：按照上述方法，所有样品在失效前都能超过200万次写操作。

不过，在此之前，采购由于各方面原因曾经买回打磨过的旧片，那些旧片的寿命不值一提。

发表于 2008-1-1 14:02

抗干扰性能不如EEPROM，在强干扰环境不如EEPROM，使用中软件需要处理，加校验，数据备份什么的都得好好考虑。其读写寿命有限，100亿次，当RAM用很快就完了

发表于 2008-1-1 14:31

不过还是有点想不明白，为何5V有3V就没有限制？

发表于 2008-1-1 17:35

发表于 2008-1-1 22:06

发表于 2008-1-1 22:25

这个例程实际是一个铁电EEPROM的读写中断事件处理函数源码~~~

不过是做成了通用的EEPROM读写程序...
相关链接:https://bbs.21ic.com/club/bbs/list.asp?boardid=27&t=2809345

发表于 2008-1-1 23:16

比EEPROM好还是差?有人有这方面的经验吗?

发表于 2008-1-6 14:00

电源稳定后这么处理问题不大，但更多的可能要考虑存储器的上电过程。

发表于 2010-2-27 14:23

用了好长时间fm24c512，挺好用的，就是贵，写与写之间几乎没有等待时间（EEPROM典型5ms），可靠性主要使用软件保证：一式3份且定期检查，还有故障检查等，结合硬件wp（应用中几乎没用）

登录 · 发表于 2017-8-29 18:42

mapleyang 发表于 2007-12-30 12:39
楼上这些有多少人看过FRAM的datasheet了呢？我咨询到的观点：3.3v的低压FRAM的读写都是无限制的，没有100亿 ...

真能无限制吗？我是不相信的

发表于 2017-8-29 18:45

mapleyang 发表于 2007-12-30 12:39
楼上这些有多少人看过FRAM的datasheet了呢？我咨询到的观点：3.3v的低压FRAM的读写都是无限制的，没有100亿 ...

请问你是查看的哪个品牌的铁电存储器标注了无限制的读写寿命？确实需需要一款无限制读写的的存储器

我想用铁电存储器,不知铁电存储器到底咋样?有没有用过的说

楼上这个问题要问问厂家了……

我得到的观点

和铁电无关

抗干扰性能不如EEPROM，在强干扰环境不如EEPROM

22楼，看了datasheet还真是，3.3V的没有读写次数限制

写要算寿命

对其抗干扰性能不放心

对铁电的看干扰对WP的控制也很关键~~~

FRAM的高温稳定性如何?

28楼，写保护固然重要，但光靠软件控制开关还不够

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