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很多教材都没讨论的一个细节

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楼主: 披头士911
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披头士911|  楼主 | 2013-5-24 14:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
如顶楼我修改补充的问题,希望大家能不觉得我麻烦。提供思路即可。

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ansile| | 2013-5-24 14:24 | 只看该作者
感觉大家导论的乱乱的。

1:首先你的第一个疑问:当负载拉电流变大时,R0上的压降随之变大,当R0上的压降升到0.7V时,T2导通,那么T2的Vce大概有0.3V电压,因T2的Vce与(T1的Vbe和R0的支路)形成并联,那么T1的Vbe只有0.3V,T1变成截止,T1截止之后,那么T2进而也截止,T2截止之后,T1又变成导通,当电流又变大时,会反复上面的动作,因为导通的时间短,U0变成几乎是0V,所以曲线图是正确的。
2:第:二个疑问:直接短路是有可能烧了T1,当电源输出能力达不到晶体管的极限值也不会烧

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qzlbwang| | 2013-5-24 14:27 | 只看该作者
简单一句话:运放的输出电流是有限的!

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qzlbwang| | 2013-5-24 14:30 | 只看该作者
运放的低输出电阻是建立在输出电流在合适的范围内,超过此范围,输出电阻就不再保持低。

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披头士911|  楼主 | 2013-5-24 14:34 | 只看该作者
本帖最后由 披头士911 于 2013-5-24 14:38 编辑
Lgz2006 发表于 2013-5-24 14:11
回复挺快
很多教材不讨论这个细节,因为学到这个进度,理解已经不是问题
下图近似有:IL=Io=Ie1

在前辈的图中,
是否是认为Ibm过流保护前后都固定不变?(否则Ic2的值不能忽略)

如果是,那么如24楼所述,负载短路(稳压管Dz失效)之时呢?(显然此时Ibm变大许多)

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Lgz2006| | 2013-5-24 14:35 | 只看该作者
披头士911 发表于 2013-5-24 14:21
如顶楼我修改补充的问题,希望大家能不觉得我麻烦。提供思路即可。

你不是就想说这个(主题不宜编辑)

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Lgz2006| | 2013-5-24 14:37 | 只看该作者
披头士911 发表于 2013-5-24 14:34
是否是认为Ibm过流保护前后都固定不变?(否则Ic2的值不能忽略)

如果是,那么如24楼所述,负载短路(稳 ...

Ibm,最大设计基极电流
你能理解这个含义吧

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liusensen| | 2013-5-24 14:42 | 只看该作者
厉害  

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披头士911|  楼主 | 2013-5-24 14:43 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2013-5-24 14:37
Ibm,最大设计基极电流
你能理解这个含义吧

Ibmax,是否指的是稳压管刚好截止时(UI-Uz)/R  ? R是稳压管的采样电阻

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liusensen| | 2013-5-24 14:46 | 只看该作者
没有 

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披头士911|  楼主 | 2013-5-24 14:48 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2013-5-24 14:35
你不是就想说这个(主题不宜编辑)

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百川| | 2013-5-24 14:56 | 只看该作者
ansile 发表于 2013-5-24 14:24
感觉大家导论的乱乱的。

1:首先你的第一个疑问:当负载拉电流变大时,R0上的压降随之变大,当R0上的压降 ...

你在讲笑话,以你这么分析好象输出变成“振荡了”
因为还没等到T2饱和时T1管的基极电流已下降----->R0上的电流也下降----》最终会平衡在一个UZ-UO约=1.4V的地方。

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GavinZ| | 2013-5-24 22:10 | 只看该作者

这里讨论的就是个‘解决温饱’的电路,没有品质。
跟之前的那个7805垫桌脚一样的,我个人是这么看的。

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liub_2014| | 2013-5-24 22:19 | 只看该作者
当Io 增大时 T2的Vbe 越增大, 当Vbe增大使T2饱和导通时(就想数电中非门一样)Vo 跟Vz的差就会减小,
当差值小于T1的导通电压时,T1截止,所以Io也接近0,这样T2也会截止。最后Vo就处于高阻状态, 所以电压
变为0; 但这里有个前提是Io改变, 而不是由输入Vz的改变引起的,比如电源等等, Vz的增大会到达动态平衡状态,只要不破坏晶体管工作。

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披头士911|  楼主 | 2013-5-24 23:59 | 只看该作者
本帖最后由 披头士911 于 2013-5-25 00:07 编辑
Lgz2006 发表于 2013-5-24 14:11
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很多教材不讨论这个细节,因为学到这个进度,理解已经不是问题
下图近似有:IL=Io=Ie1

现在我想明白了: 不同意前辈此处的意见。(准确说是过流保护启动后, 不成立)

就您的27楼图而言,过流保护之后,Ie1基本不变(大小是0.7V/R0左右),这样IL的增量全部都加在了T2的Ic2身上,

冒犯了

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披头士911|  楼主 | 2013-5-25 01:33 | 只看该作者
本帖最后由 披头士911 于 2013-5-26 13:19 编辑

哈哈,我在各位的帮助下,彻底领悟了,哈哈结果发现“输出特性”曲线原来别有洞天啊,还可以再细分成4段,哈哈。下面是一个总结(我用multisim做了一个参数分析的扫描仿真:不太会用,就用了一个压控电流源代替Io,然压控着从0一直变化到100mA,在扫描100个点对应的Uo,最后在EXCEL中做曲线--我的multisim不自己做,不晓得是不是版本旧了)



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Lgz2006| | 2013-5-25 06:34 | 只看该作者
:dizzy:不晓得楼主现状态是45楼的“现在我想明白了”还是46楼的“彻底领悟了”
“前辈此处意见”错否?27楼问题要否讨论?33楼图问题要否追究?很多教材的细节要否继续讨论?

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mjc4404| | 2013-5-25 06:56 | 只看该作者
用DCSweep仿真的结果.
这是节点2,3,4的电压:

流过稳压管的电流(为了测量电流, 在稳压管支路串联了一个阻值为零的电阻:

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qrshi| | 2013-5-25 13:19 | 只看该作者
mark。

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Lgz2006| | 2013-5-25 19:10 | 只看该作者
回复33楼cjseng  点评
图中所示,乃是翻译揭示楼主的主题原意
咱在等候楼主似明不白的回复

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