有关MOS管的问题

1万 · 2014-5-16 09:06

该文可能误导之处多了，例如末了关于“温度—阻抗—烧毁”，可以形成“上电必然烧毁”的强烈逻辑

只看该作者 · 2014-5-16 09:14

还有，你在3楼的部分观点是不恰当的。
1，管子在从截止到导通，是个很复杂的过程，不可避免要经过恒流区，恒流区对应到bjt就是放大区。这时候最显著特征是vgs几乎不变，甚至会降（视弥勒电容和栅源电容的比值），这就是弥勒效应。过了恒流区，才是场管的可变电阻区，对应bjt的饱和区。
当然，电流上升的趋势是对的，但绝不是可变电阻就能概括的。
2.对于感性负载的情况，如果开关速度相等，开通损耗和关断损耗是也是相等的。而实际中，我们更希望关系慢开快关，这样对EMI大有好处。所以，这点你说的和实际正好相反。
3.管子在开关状态能传输的能量，是和占空比相关的，可以说和频率没关系。你说的应该是管子只在恒流状态。

只看该作者 · 2014-5-16 09:25

gx_huang 发表于 2014-5-16 09:06
对这个“软开关”很感兴趣，能举一个实际例子么？
管子没有导通，如何使电压为0？
管子没有关断，如何使 ...

是这样的，场管的漏源之间寄生了一个电容，也从源漏寄生了一个二极管。这个二极管因为管子的制造工艺，是天生存在的。
问题就在这个二极管上。
如果能在管子导通之前，让这个二极管提前导通，那漏源之间不是就只有一个二极管的压降了吗？
这就是零电压导通。

零电压关断，就是让vds缓慢上升。管子关断的过程，也就是这个电压上升的过程。
零电流导通，从广义上来讲，感性负载都是零电流导通。
零电流关断，就是说在管子关断之前，里面的电流已经衰减到零。
这一切的本质，都在于场管是个压控流型器件，bjt是流控流型器件。

3万 · 2014-5-16 09:26

zkybuaa 发表于 2014-5-16 09:14
还有，你在3楼的部分观点是不恰当的。
1，管子在从截止到导通，是个很复杂的过程，不可避免要经过恒流区， ...

“这时候最显著特征是vgs几乎不变，甚至会降”
MOS管从截止到导通，Vgs绝对不会降，无论米勒电容和门极源极电容的比值是多少。
Vgs几乎不变，是米勒效应引起的现像，但并非米勒效应。

感性负载，若“开”和“关”速度相等，开通损耗和关断损耗绝不可能相等。注意此时负载线不是直线，而是一个环。

第三点“可以说和频率没关系”，没看明白你要说什么。

3万 · 2014-5-16 09:27

zkybuaa 发表于 2014-5-16 09:25
是这样的，场管的漏源之间寄生了一个电容，也从源漏寄生了一个二极管。这个二极管因为管子的制造工艺，是 ...

这回，可真的是乱说了。

只看该作者 · 2014-5-16 09:34

maychang 发表于 2014-5-16 09:26
“这时候最显著特征是vgs几乎不变，甚至会降”
MOS管从截止到导通，Vgs绝对不会降，无论米勒电容和门极源 ...

1，"由弥勒效应引起的现象，绝非弥勒效应"。我没看懂你这句话的逻辑。
2,感性负载下的电流是线性的。我没看懂电流是个环是什么意思，能描述下吗？
3.管子既然工作在开关状态，就会有占空比概念。能量只有在导通时才能传递。

只看该作者 · 2014-5-16 09:35

maychang 发表于 2014-5-16 09:27
这回，可真的是乱说了。

哪点乱说了，请指教。

1万 · 2014-5-16 09:39

这会儿该着老chang不懂了，出局吧

MOS原理找 xukun977
MOS应用找 GavinZ

3万 · 2014-5-16 09:42

zkybuaa 发表于 2014-5-16 09:35
哪点乱说了，请指教。

零电压开关、零电流开关等等，与MOS管中的寄生二极管没有什么关系，主要是由外部电路实现。
这个问题，说起来就太多了，而且与本帖无关。最好是到电源版面另开一帖讨论。

只看该作者 · 2014-5-16 09:43

Lgz2006 发表于 2014-5-16 09:39
这会儿该着老chang不懂了，出局吧

MOS原理找 xukun977

这似乎成你口头禅了。
原理不懂找xukun977
应用不懂找谁谁谁。
那我就只想找你，哈哈。

maychang说我乱说，请指出来我在本贴哪句话是在乱说，洗耳恭听。

只看该作者 · 2014-5-16 09:46

maychang 发表于 2014-5-16 09:42
零电压开关、零电流开关等等，与MOS管中的寄生二极管没有什么关系，主要是由外部电路实现。
这个问题，说 ...

这是因为你不懂，但不能因此说我乱说。

1万 · 2014-5-16 09:48

还有人说我反歌名呢

在那60楼，俺就出局了，就多找两个人陪陪你了

只看该作者 · 2014-5-16 09:55

Lgz2006 发表于 2014-5-16 09:48
还有人说我反歌名呢
在那60楼，俺就出局了，就多找两个人陪陪你了 ...

我在那个请教贴子的最后还回应你了呢。你不去回应下？

只看该作者 · 2014-5-16 10:11

开关也有不少的学问啊！大家一定要多注意观察生活中的点点滴滴！

2万 · 2014-5-16 11:19

zkybuaa 发表于 2014-5-16 09:25
是这样的，场管的漏源之间寄生了一个电容，也从源漏寄生了一个二极管。这个二极管因为管子的制造工艺，是 ...

其实我只关心实际电路，比如一个NMOS管，驱动一个电感+电阻的负载。
你说的，好像只是MOS管的内部原理，没有实际电路来实现，感觉无法解决实际电路的PWM开关损耗。

只看该作者 · 2014-5-16 11:21

gx_huang 发表于 2014-5-16 11:19
其实我只关心实际电路，比如一个NMOS管，驱动一个电感+电阻的负载。
你说的，好像只是MOS管的内部原理， ...

怎么没有实际电路？
你搜一下软开关技术，成熟电路一大堆。

2万 · 2014-5-16 11:35

zkybuaa 发表于 2014-5-16 11:21
怎么没有实际电路？
你搜一下软开关技术，成熟电路一大堆。

我知道软开关技术，无非是利用LC谐振。
但是感觉和你描述的技术细节有些差别。

1万 · 2014-5-17 13:04

可以画二个线,一个是U(t),i(t)在一个周期内,让二者相乖,(功率线),再在功率线基础上,乖以相应的维持时间,即得能量损失,在变化部分,叫开关损失,在平台部分叫导通损失,在一个周期内比较,这样,把导通电阻,切换速率,开关频率这三种参数对能量损失的关糸就一清二楚了.

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