用三极管做的非门怎么成这样了？

只看该作者 · 2007-1-30 18:04

用三极管做的非门怎么成这样了？

只看该作者 · 2007-1-30 18:26

周期40nS合频率25M，这个频率下PN结电容不可忽略，R1与结电容之积达到脉宽量数量级后，基极电压波形正如图中VF2所示，R1越小，波形就会越接近VG1，但减小R1会让T1饱合程度加深，故不宜减小R1，只可在R1上并入加速电容；
解决方法：R1的取值方法，为保证Ib*hfe略大于1.2倍Ic即可；加速电容取值方法，加速电容与R1之积，约为周期之十分之二至十分之三。

4万 · 2007-1-30 20:17

只看该作者 · 2007-1-30 21:05

只看该作者 · 2007-1-30 22:46

要知道面再的数字电路多数要遵循TTL逻辑。这个电路在电气上，就不符合TTL电路的标准。不信，楼主自己搭一个，看看接到标准TTL系统中能不能正常工作。

1万 · 2007-1-30 22:55

只看该作者 · 2007-1-31 09:02

xlander 要这个软件吗？想要给你发一个。

减小R1会让T1饱合程度加深，故不宜减小R1
饱和程度加深有什么不好的影响吗？

只看该作者 · 2007-1-31 09:18

楼主可找数字电路基础教材看一下。

只看该作者 · 2007-1-31 15:07

关断时间与CE间的电容有很大关系吧
CE间电容存贮的越多，关断时间应该越长吧

只看该作者 · 2007-1-31 16:05

如果三极管深度饱和，基区载流子会过多。当基极停止电流注入后，载流子消散比较慢，所以三极管由导通转为截止时间比被延长，关断就变慢了。

这个时间，在一些文献中被称为基极载流子消散时间，是影响三极管开关速度的主要因素。

只看该作者 · 2007-2-1 08:19

昨天晚上找书看了一下，基本明白了。诸位都是强人啊！怎么学的这么好呢？
我是白学了。

只看该作者 · 2007-2-1 11:27

只看VF1和VG1，可以理解为深度饱合引起，但VF2的电压波形，可以肯定是结电容的作用。

错了，不是11楼，是10楼

只看该作者 · 2007-2-1 12:38

我一般都是在控制电路中用这个开关电路，看了上面的才知道原来其中也有这么多知识，学习了

只看该作者 · 2007-2-1 13:38

ljxh401@sohu.com

只看该作者 · 2007-2-1 13:46

我对这个小软件有兴趣，可否共享？
qsb@sac-china.com

我们的系统仿真软件太大太麻烦。

只看该作者 · 2007-2-1 16:11

一般场合，开关晶体管的结电容都比较小（这是根据开关管子的用途决定的）。所以，用在高速开关的场合，影响关断速度的主要因素就是因为管子深度饱和导致的过长载流子消散时间。

有些场合是没办法的，必须用加速电容解决开关时间延迟问题。比如示波器的输入放大级，用加速电容就比较合理，因为它传输的是模拟信号。但是开关电路，不一定非用加速电容，除非负载比较重，必须保证集电极有足够大的电流。

楼主的这个电路只是信号倒相而已，选用合适的开关管就行了。50ns的时间，对于高速开关管不是什么难题。很早TTL电路就超过这个时限了。例如，早期的标准TTL与非门7400的典型延迟是22ns/15ns。为了进一步提升速度，改进的TTL电路也没有集成进加速电容(当然，这也是因为工艺上很困难)，而是在基极和集电极间并入了肖特基二极管，来减小管子的饱和、缩短载流子消散时间,这就是所谓的74Sxx/54Sxx肖特基TTL。采用肖特基抗饱和的74S00与非门的速度，轻松提高到4.5ns/5ns。上面这些延迟参数还是80年代工艺的水平就能达到的。

另外，楼主没有给出元件参数，为分析这个问题带来了不确定性。