方**

2007-6-13 16:36

通常的5v电压,最高5.5v。要设计一个电路做5v->3~4v的电压变化。
可是现在最高只有3.3v的器件，直接工作似乎很不安全。有什么办法可以使它安全工作吗？

2007-6-18 00:27

我需要同时用到最高电压和地电压，怎么把信号转来转去好麻烦。因为芯片的PSUB是一起的，所以只能接最低的地电位了。高电压下很难使用NMOS。一个简单的开关，我都没想出来怎么做好，因为不能使用CMOS互补开关了。

不能使用外部的稳压器的，我还要用到最高电压呢。

真的很头疼。

2007-8-5 21:05

直接5V-〉3.3V是不行的,我还要输出4.5v呢。转工艺也不现实，已经有大部分模块使用3.3v nwell cmos工艺设计了。

cascode结构是个可行的办法。这个办法要求cascode控制信号和电源信号同时上升，不然cascode管也有可能击穿。

使用电阻实现电压变换是个不错的选择。

目前打算把大部分电路使用从5v产生的3.3v供电。输出4.5v部分要好好考虑，争取让mos管仍工作在安全区。

2007-8-5 21:14

把源漏和gate间距变大可能有改善，至少电流会平均些。希望领导能同意增加面积。

不知道器件在高压下损坏是因为什么？是因为单纯的高电压加在gate上导致gate损坏，还是高压下严重的热电子注入效应导致vth迅速变化而损坏？
看厂家的可靠性报告，单纯加高压而无电流时对pmos的vth影响比nmos大；加高压并有电流时，nmos热点子注入效应限制了寿命，pmos的影响根本就没有测试。这样看，如果是单纯高压导致vth变化，nmos效果好；如果是热电子效应限制，pmos好。晕了！

似乎pmos击穿电压比nmos高些。这是很多cmos工艺的共有特点么？

2007-8-6 21:35

这里是IC设计，我是要设计完成特定功能的一个模块。这个模块和其他模块一起构成一个单片系统。

你写的是什么型号的IC啊？没查到。

2007-8-17 07:43

因为还要监测电流，这样还需要外加一个很小电阻。电阻上的电压要很小才能保证效率，这要求内部检测电路的电流检测基准典雅很小，运放失调更小。

串电阻限流然后再稳压要很小心。举例一种错误，当内部电路达不到最小正常工作电压时，工作电流有可能比正常的小，也有可能比正常的大（某些结构的bandgap就这样）。如果电压低时消耗电流较大，有可能形成一个负反馈，把电压lock在正常工作电压以下。这种设计一定要小心。直接使用外接电源时，因为电源具有非常大的电流输出能力，所以不会lock。

方**

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RE

我要输出4.5v，并且只能用3.3v工艺

nmos耐压还是pmos耐压

楼上

楼上介绍的第一个方案还可以，就是外加元件麻烦