方**

发表于 2007-6-13 16:36

通常的5v电压,最高5.5v。要设计一个电路做5v-&gt3~4v的电压变化。 可是现在最高只有3.3v的器件，直接工作似乎很不安全。有什么办法可以使它安全工作吗？

发表于 2007-6-16 09:38

可以尝试把地电压和称底电压同时抬高，本质上还是保证工作电压域的压差不超过要求

发表于 2007-6-16 23:14

用1117降压不就行了！

发表于 2007-6-18 00:27

我需要同时用到最高电压和地电压，怎么把信号转来转去好麻烦。因为芯片的PSUB是一起的，所以只能接最低的地电位了。高电压下很难使用NMOS。一个简单的开关，我都没想出来怎么做好，因为不能使用CMOS互补开关了。 不能使用外部的稳压器的，我还要用到最高电压呢。 真的很头疼。

发表于 2007-6-27 10:47

发表于 2007-6-30 10:08

发表于 2007-6-30 10:14

如果有双井，看能否采用井电位切换达到分时复用的目的？

发表于 2007-6-30 20:32

发表于 2007-6-30 21:04

发表于 2007-7-4 23:22

1,选高压工艺. 2,就是要冒险,把源漏到gate的间距拉大.

发表于 2007-7-6 11:08

用cascode架构,只要vds,vgd 不超过安全区即可

发表于 2007-7-6 16:01

换个5V工艺不就OK了！！！！

发表于 2007-7-19 16:33

1.使用电源转换:5v--3.3v 2.选用兼容较强的芯片!

发表于 2007-7-20 07:44

用二极管降压

发表于 2007-7-21 16:10

发表于 2007-7-25 11:09

还是觉得用5V转3V最直接！

发表于 2007-7-31 09:17

发表于 2007-8-2 15:24

采用cascode结构阿

发表于 2007-8-5 21:05

直接5V-〉3.3V是不行的,我还要输出4.5v呢。转工艺也不现实，已经有大部分模块使用3.3v nwell cmos工艺设计了。 cascode结构是个可行的办法。这个办法要求cascode控制信号和电源信号同时上升，不然cascode管也有可能击穿。 使用电阻实现电压变换是个不错的选择。 目前打算把大部分电路使用从5v产生的3.3v供电。输出4.5v部分要好好考虑，争取让mos管仍工作在安全区。

发表于 2007-8-5 21:14

把源漏和gate间距变大可能有改善，至少电流会平均些。希望领导能同意增加面积。 不知道器件在高压下损坏是因为什么？是因为单纯的高电压加在gate上导致gate损坏，还是高压下严重的热电子注入效应导致vth迅速变化而损坏？ 看厂家的可靠性报告，单纯加高压而无电流时对pmos的vth影响比nmos大；加高压并有电流时，nmos热点子注入效应限制了寿命，pmos的影响根本就没有测试。这样看，如果是单纯高压导致vth变化，nmos效果好；如果是热电子效应限制，pmos好。晕了！ 似乎pmos击穿电压比nmos高些。这是很多cmos工艺的共有特点么？

方**

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抬高地电压

RE：

RE

5v转3.3v不就行了吗？

还书觉得直接转电压就好了

双井

加电阻限流

5v转3.3v直接转就好了

一点建议

管子架构

换工艺

方**

另外

分压不行吗

学习中！

果然鱼龙混杂！

采用cascode结构阿

我要输出4.5v，并且只能用3.3v工艺

nmos耐压还是pmos耐压

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