方**

只看该作者 · 2007-8-6 14:13

　　ＬＭ２９７３

只看该作者 · 2007-8-6 21:35

这里是IC设计，我是要设计完成特定功能的一个模块。这个模块和其他模块一起构成一个单片系统。

你写的是什么型号的IC啊？没查到。

只看该作者 · 2007-8-15 11:45

楼主的想法是在芯片里面怎么做到(用3.3V工艺,接5V,不致于烧坏),不是外接其他稳压芯片.
我的想法是:
(1)用一个或者两个PMOS(Psub工艺)作二极管接法,接进去的电压就只有3.3V左右. 注意,虽然PMOS上的连接电压有5V,但是相对电压不到2V,那么是安全的.
此法最佳

(2) 外接一个能奈5V电压的mos,也就是设计一个LDO,只不过奈高压的MOS是外置的.缺点: 需要分立元件.

(3) 串联一个电阻,再用MOS实现稳压. 此法简单,但是电阻消耗很多功耗,且发热.在只需要输出小的电流的场合可用.

hspice@163.com

只看该作者 · 2007-8-17 07:43

因为还要监测电流，这样还需要外加一个很小电阻。电阻上的电压要很小才能保证效率，这要求内部检测电路的电流检测基准典雅很小，运放失调更小。

串电阻限流然后再稳压要很小心。举例一种错误，当内部电路达不到最小正常工作电压时，工作电流有可能比正常的小，也有可能比正常的大（某些结构的bandgap就这样）。如果电压低时消耗电流较大，有可能形成一个负反馈，把电压lock在正常工作电压以下。这种设计一定要小心。直接使用外接电源时，因为电源具有非常大的电流输出能力，所以不会lock。

只看该作者 · 2007-8-24 20:34

这样做出来的绝对不是好电路好芯片

只看该作者 · 2007-10-9 15:37

除了能让功耗相对低点,其他好像都没有改进,最好还是更换工艺.
想用3.3V的工艺做最高点压达到5V的芯片,如果不想添加额外的保护电路,那你就要看看这个工艺是否有支持5V的高压管了

方**

芯片

楼上

好像大家都没有明白楼主的意思!!!

楼上介绍的第一个方案还可以，就是外加元件麻烦

觉得有点搞笑

觉得这样做没有什么意义呢