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直流有刷电机驱动考虑的问题

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dsoyy|  楼主 | 2013-8-19 17:31 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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dsoyy|  楼主 | 2013-8-20 13:27 | 只看该作者
这是个难题吗? 大家别只看不语啊

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maychang| | 2013-8-20 21:31 | 只看该作者
“H桥和 “单桥+一对继电器” 两种控制方式有何优劣?”
所谓“单桥”,是指上下两支管子构成的推挽电路吧?
这种电路,开关电源中通称“半桥”,音频放大器中通称“串联推挽”。

“单桥+一对继电器”
不知道有何优点。若要求可以改变电机旋转方向,用多触点的继电器,一支即可。若要求可以PWM调速,一支管子即可。若要求可以PWM调速同时可以改变旋转方向,才用得上H桥(开关电源中称全桥),或者一支多触点继电器加一支管子。

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andyany + 4 很给力!
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dsoyy|  楼主 | 2013-8-21 10:56 | 只看该作者
maychang 发表于 2013-8-20 21:31
“H桥和 “单桥+一对继电器” 两种控制方式有何优劣?”
所谓“单桥”,是指上下两支管子构成的推挽电路吧 ...

讲解的很透彻,感谢。

我的需求60W,24V直流有刷电机,出厂前调整好电机转速,使用中需要改变方向。

电机启动的最大电流为 3-5倍额定电流
选用的控制方式是4个MOS管,电流参数按照5倍的额定电流选择元件。
在电机中串联一个电阻,经过AD采样检测是否赌转,如果赌转停止电机。
这里没有问题吧?

此外,又个问题:
1、我同时导通H桥的上臂或者下臂的两个管子,是不是电机会锁死或者运行中紧急刹车?
2、采用一对继电器+一对MOS的组合,有可能出现继电器触点黏住吧?寿命相对MOS会低一点吗?
3、电源用模拟变压器和开关电源哪个更好?为什么?

直流有刷电机驱动,还有哪里需要注意吗?



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maychang| | 2013-8-21 11:15 | 只看该作者
dsoyy 发表于 2013-8-21 10:56
讲解的很透彻,感谢。

我的需求60W,24V直流有刷电机,出厂前调整好电机转速,使用中需要改变方向。

MOS管按照5倍额定电流选取,电流容量还嫌小,最好用10倍甚至更大。
在电机上串联电阻来检测电流,不如在全桥上端或者下端串联电阻检测,这样联接比较方便(电阻处于电源电位或者地电位)。

同时导通全桥的上臂或者下臂,前提是全桥的两支下臂均关断或者两支上臂均关断。此时电机不会“锁死”,会“紧急刹车”,刹车的快慢与电机种类有关,永磁电机刹车快。

“采用一对继电器+一对MOS的组合”
不知道这是什么组合。

“有可能出现继电器触点黏住吧?”
不一定。

“寿命相对MOS会低一点吗?”
继电器触点动作次数寿命比MOS管少很多,MOS管动作次数寿命几乎是无限的。

“电源用模拟变压器和开关电源哪个更好?”
不知道什么是“模拟变压器”。

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dsoyy|  楼主 | 2013-8-21 13:29 | 只看该作者
maychang 发表于 2013-8-21 11:15
MOS管按照5倍额定电流选取,电流容量还嫌小,最好用10倍甚至更大。
在电机上串联电阻来检测电流,不如在 ...

模拟变压器,指的是小的线包式的变压器,之前称为小变压器或者模拟电源,专业术语就不清楚了。

“采用一对继电器+一对MOS的组合”
这是我描述的错误,应该是一个驱动的MOS加一对换向的继电器。

刹车的电流也会很大吗?

今天晚上我画个具体的电路图请您看看,指教一下。

非常感谢!



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7
dsoyy|  楼主 | 2013-8-21 13:35 | 只看该作者
普通工频变压器

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dsoyy|  楼主 | 2013-8-22 00:01 | 只看该作者
本帖最后由 dsoyy 于 2013-8-22 00:04 编辑
maychang 发表于 2013-8-21 11:15
MOS管按照5倍额定电流选取,电流容量还嫌小,最好用10倍甚至更大。
在电机上串联电阻来检测电流,不如在 ...

现将电机驱动部分画出来,请指教。


几个问题:
1、这个驱动电路是否满足我驱动24V,60W的直流电机?
2、AD网络的目的是监测是否堵转,但是R5的取值不知道按照什么原则去计算,所以很随意的放了1K 2W的电阻。

感谢。


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9
maychang| | 2013-8-22 00:51 | 只看该作者
dsoyy 发表于 2013-8-22 00:01
现将电机驱动部分画出来,请指教。  

1、管子容量够用。
2、P沟管极性错误。
3、5V电压,不足以令P沟管关断。
4、上下管门极接在一起,用同一个信号驱动,相当危险。因驱动脉冲自高变低和自低变高,必定经过某中间值,例如12V,而该值可以使上下管均导通,称为“共同导通”,管子损耗很大,严重时烧毁管子。驱动信号最好能够加入“死区”。
5、四支二极管D1~D4没有太大必要。

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dsoyy|  楼主 | 2013-8-22 09:31 | 只看该作者
maychang 发表于 2013-8-22 00:51
1、管子容量够用。
2、P沟管极性错误。
3、5V电压,不足以令P沟管关断。

感谢。
3和4点,我也发现问题了。

我在整理一份出来,今天有些忙,最迟明天将整理后的再请老师过目。

再次表示感谢!
此外注意身体啊,这么晚还在线。

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草民| | 2013-8-22 10:11 | 只看该作者
dsoyy 发表于 2013-8-22 00:01
现将电机驱动部分画出来,请指教。  

1、楼主原理图少画一根线,右边MOS管上下桥中间未连接至电机。

2、关于“H桥”和“继电器”方法:
在电机换向频率不高的情况下,继电器控制更为简单,不需要考虑死区问题。楼主这个电机达到额定功率时电流将近3A,采用H桥驱动必须考虑死区问题。

3、直流有刷除了考虑赌转还有什么?
过流保护!应采取硬件过流加软件过流双重保护。

个人意见,供参考!

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dsoyy|  楼主 | 2013-8-22 10:20 | 只看该作者
草民 发表于 2013-8-22 10:11
1、楼主原理图少画一根线,右边MOS管上下桥中间未连接至电机。

2、关于“H桥”和“继电器”方法:

感谢
1、MOS上下桥之间确实少了一根线
2、
电机换向频率确实不高,不过额定3A,瞬间可能达到10A,大电流的继电器体积大,成本高,还可能会出现火花,或者黏住触点,基于这个考虑选择的MOS管H桥。
3、赌转和过流,都是流经电机的电流突然变大,我这个原理图上用AD去检测电流的大小,软件判断是否过六合赌转。
不过硬件处理到没有想到,难道要加过流判断和保护?比如通过比较器判断电流,电流过高启动MOS切断电机通路?

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草民| | 2013-8-22 10:28 | 只看该作者
dsoyy 发表于 2013-8-22 10:20
感谢
1、MOS上下桥之间确实少了一根线
2、

AD检测电流当然可以,可必须建立在单片机正常工作的前提下,万一单片机走神,如何是好?

电机驱动强调安全稳定,如果是做产品建议增加硬件过流保护,楼主已经想到了,可以运用比较器。

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14
dsoyy|  楼主 | 2013-8-22 10:42 | 只看该作者
草民 发表于 2013-8-22 10:28
AD检测电流当然可以,可必须建立在单片机正常工作的前提下,万一单片机走神,如何是好?

电机驱动强调安 ...

感谢,最迟明天我再发一个原理图,再请您指点。

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草民| | 2013-8-22 10:45 | 只看该作者
dsoyy 发表于 2013-8-22 10:42
感谢,最迟明天我再发一个原理图,再请您指点。

交流经验,指点实不敢当!

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dsoyy|  楼主 | 2013-8-26 00:50 | 只看该作者
maychang 发表于 2013-8-22 00:51
1、管子容量够用。
2、P沟管极性错误。
3、5V电压,不足以令P沟管关断。

根据您的指点,并找找H桥的死去电路,我做了些调整,电路如下:



修改了5V的三极管不能控制MOS的问题,修改了多余的MOS上的反向二极管,增加了逻辑死区,大电流依旧靠监测R9上的电流并通过软件实现。

电机调速靠调整R9的阻值来实现。

请指点是否可以?

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dsoyy|  楼主 | 2013-8-26 00:51 | 只看该作者
草民 发表于 2013-8-22 10:45
交流经验,指点实不敢当!

也请您指点,谢谢

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maychang| | 2013-8-26 01:13 | 只看该作者
dsoyy 发表于 2013-8-26 00:50
根据您的指点,并找找H桥的死去电路,我做了些调整,电路如下:

此图并未解决MOS管门极电压最大可达24V,超过允许值20V的问题。
各三极管根本不必加基极上拉电阻R1R12R13R14,四支电阻叫做画蛇添足。这是从三极管线性放大电路抄过来的。
下面一图,DIR-L和DIR-R是从哪里来的?如果是由单片机产生,那么电机调速,不必调整R9,可以靠软件实现。如果是由某脉冲信号分频得到,那么此电路并不能产生“死区”。

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dsoyy|  楼主 | 2013-8-26 14:06 | 只看该作者
maychang 发表于 2013-8-26 01:13
此图并未解决MOS管门极电压最大可达24V,超过允许值20V的问题。
各三极管根本不必加基极上拉电阻R1R12R13 ...

1、"MOS管门极电压最大可达24V,超过允许值20V的问题"这个没有考虑,晚些时候做些修改。
2、“R1R12R13R14,四支电阻叫做画蛇添足。这是从三极管线性放大电路抄过来的。”确实是抄过来的,因为有了上拉电阻,这个限流电阻就不需要了。
3、DIR-L\DIR-H,对应于我上面画的IO1、IO2是单片机输出。
   IO1,IO2接PWM,调整占空比即可调速。

最后整理后,再次发原理图,感谢!

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maychang| | 2013-8-26 14:52 | 只看该作者
dsoyy 发表于 2013-8-26 14:06
1、"MOS管门极电压最大可达24V,超过允许值20V的问题"这个没有考虑,晚些时候做些修改。
2、“R1R12R13R1 ...

“因为有了上拉电阻,这个限流电阻就不需要了。”

限流电阻R2R6R4R8仍需要,将上拉电阻改成接地。

注意后一图ENABLE并不能产生“死区”。要由ENABLE产生“死区”还要增加两个反相器。

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