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直流有刷电机驱动考虑的问题

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楼主: dsoyy
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dsoyy|  楼主 | 2013-8-26 16:12 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
本帖最后由 dsoyy 于 2013-8-26 16:15 编辑
maychang 发表于 2013-8-26 14:52
“因为有了上拉电阻,这个限流电阻就不需要了。”

限流电阻R2R6R4R8仍需要,将上拉电阻改成接地。


"注意后一图ENABLE并不能产生“死区”。要由ENABLE产生“死区”还要增加两个反相器"
反相器已经在图中画了,即图中的IC1和IC3。原理图表述的方式不够直观。

且在IC2中En和另外三个与门中的 xA 引脚都是短接的,没有画出来。

另外,单片机IO出来控制门电路,再利用H桥去控制电机,在单片机的IO部分有必要增加光耦隔离吗?
会继续完善

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dsoyy|  楼主 | 2013-9-1 14:33 | 只看该作者
请老师看看改进的电路

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1.jpg

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dsoyy|  楼主 | 2013-9-1 14:34 | 只看该作者
maychang 发表于 2013-8-26 14:52
“因为有了上拉电阻,这个限流电阻就不需要了。”

限流电阻R2R6R4R8仍需要,将上拉电阻改成接地。

老师,现在的电路怎么样

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maychang| | 2013-9-1 19:48 | 只看该作者
dsoyy 发表于 2013-9-1 14:34
老师,现在的电路怎么样

更糟糕。PMOS功率管都用反了。

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dsoyy|  楼主 | 2013-9-1 22:21 | 只看该作者
maychang 发表于 2013-9-1 19:48
更糟糕。PMOS功率管都用反了。

老师指的是Q3\Q5默认是导通而不是关闭吗?

Q3\Q5默认是导通,Q4,Q6默认是关闭啊

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maychang| | 2013-9-1 22:25 | 只看该作者
dsoyy 发表于 2013-9-1 22:21
老师指的是Q3\Q5默认是导通而不是关闭吗?

Q3\Q5默认是导通,Q4,Q6默认是关闭啊 ...

Q3Q5漏极源极反了。
功率MOS管最好把内部寄生二极管画出来,就像管子的datasheet那样,那么初学者也一眼就能够看出正反。

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草民| | 2013-9-1 22:41 | 只看该作者
maychang 发表于 2013-9-1 22:25
Q3Q5漏极源极反了。
功率MOS管最好把内部寄生二极管画出来,就像管子的datasheet那样,那么初学者也一眼 ...

maychang老师模电知识确实深厚!

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maychang 2013-9-1 22:49 回复TA
这实在是小问题,根本说不上深厚。比如路过兄那些打酱油的帖,才当得起深厚二字。当然坛里还有许多高手。 
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dsoyy|  楼主 | 2013-9-1 22:59 | 只看该作者
谢谢老师,竟然是原理图封装错了

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dsoyy|  楼主 | 2013-9-2 08:34 | 只看该作者
maychang 发表于 2013-9-1 22:25
Q3Q5漏极源极反了。
功率MOS管最好把内部寄生二极管画出来,就像管子的datasheet那样,那么初学者也一眼 ...

感谢。
老师治学严谨,功底扎实。
我这个原理图封装是之前用过的,翻看老师在之前的回帖,老师早就指出这个问题,一直没有领会,再次谢谢老师。
原理图封装已修改

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dsoyy|  楼主 | 2013-9-2 10:56 | 只看该作者
maychang 发表于 2013-9-1 22:25
Q3Q5漏极源极反了。
功率MOS管最好把内部寄生二极管画出来,就像管子的datasheet那样,那么初学者也一眼 ...

老师,我的单片机输出PWM,通过H桥驱动直流电机,80W,24V您觉得有必要在PWM和H桥之间增加光耦隔离吗?

通常H桥驱动在什么情况下增加光耦隔离?

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maychang| | 2013-9-2 11:28 | 只看该作者
dsoyy 发表于 2013-9-2 10:56
老师,我的单片机输出PWM,通过H桥驱动直流电机,80W,24V您觉得有必要在PWM和H桥之间增加光耦隔离吗?

...

如果H桥供电不是24V而是240V,你还能用这种直接耦合的电路吗?此时上面两支功率管门极对电源负端有很大的共模信号,必须与驱动电路隔离。
如果H桥供电是市电220V直接整流得到,那么上电后你不能接触你的单片机(可能有按键,或者串行通讯,等等),否则有触电危险。此时应该将所有与市电有电气联系的部分和控制部分隔离。
隔离不一定用光耦,也可以是其它方式。不过用光耦比较简单方便。

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dsoyy|  楼主 | 2013-9-2 13:32 | 只看该作者
明白了

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33
dsoyy|  楼主 | 2013-9-10 08:41 | 只看该作者
maychang 发表于 2013-9-2 11:28
如果H桥供电不是24V而是240V,你还能用这种直接耦合的电路吗?此时上面两支功率管门极对电源负端有很大的 ...

老师,有些地方继续请教。

1、MOS 上面用了12V,可以驱动 但是是可能在线性区
不是开关区 所以要饱和驱动 要>=20V
所以是+24V才对吧

2、我用工频变压器,2路输出,一路给单片机供电,一路给电机供电。
   2组地应该是不公地吧,Q1\Q2\Q7\Q8用单片机的地,但是这4个管子导通后集电极和射级就不公地了,这样是不是我上面电路的地选择错了?应该怎么区分两组地?
本意是如上图的做法,有些地方想不通,请教老师了。

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maychang| | 2013-9-10 09:36 | 只看该作者
dsoyy 发表于 2013-9-10 08:41
老师,有些地方继续请教。

1、MOS 上面用了12V,可以驱动 但是是可能在线性区

1、查该功率MOS管datasheet,是否允许24V电压加在门极源极之间。
2、两组直流电源必须共地,否则不能直接驱动。

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dsoyy|  楼主 | 2013-9-10 09:40 | 只看该作者
maychang 发表于 2013-9-10 09:36
1、查该功率MOS管datasheet,是否允许24V电压加在门极源极之间。
2、两组直流电源必须共地,否则不能直接 ...

几个问题:
1、工频电源2组输出,一般都是交流,所以公地只能靠0欧姆电阻或者磁珠来解决
2、如果用了磁珠或者0欧姆电阻就不是严格意义上的2组电源了吧?如果和一组电源的效果相当,我用2组电源来做,是不是画蛇添足?

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qzlbwang| | 2013-9-10 09:54 | 只看该作者
1、P沟道管接法再斟酌!
2、过流保护经AD速度显得慢,也不可靠(如果程序飞了呢?)
3、所谓“死区”是指转换的瞬间有一微小时间段上下管都必须处于关断状态。

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qzlbwang| | 2013-9-10 09:58 | 只看该作者
MOS管栅—源电压必须限制在数据手册规定之内。一般来说有12V已经足够。

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dsoyy|  楼主 | 2013-9-10 10:02 | 只看该作者
qzlbwang 发表于 2013-9-10 09:54
1、P沟道管接法再斟酌!
2、过流保护经AD速度显得慢,也不可靠(如果程序飞了呢?)
3、所谓“死区”是指转 ...

谢谢。
1、P够到的接法再斟酌的意思是12V电源还是24V电源的选取吧?
2、CPU自带比较器,用比较器来做,中断触发的方式,会比较及时,谢谢提醒。

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qzlbwang| | 2013-9-10 10:20 | 只看该作者
dsoyy 发表于 2013-9-10 10:02
谢谢。
1、P够到的接法再斟酌的意思是12V电源还是24V电源的选取吧?
2、CPU自带比较器,用比较器来做,中 ...

中断触发也会有延时,虽然很小,更何况解决不了万一程序跑飞的问题!

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dsoyy|  楼主 | 2013-9-10 10:38 | 只看该作者
本帖最后由 dsoyy 于 2013-9-10 10:39 编辑
qzlbwang 发表于 2013-9-10 10:20
中断触发也会有延时,虽然很小,更何况解决不了万一程序跑飞的问题!


你的意思是硬件切断电源了

简单地说,不用比较器去切断电源,串联一个可恢复保险丝呢?

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