这是个挺好的话题，当然，楼主本意是要解决电路参数问题，本来很简单，你哪怕用最原始的工具Protel99se或者multisim都可以进行简单仿真看看，实在不放心怕返工，你搭个电路也早就有答案了，不要这么懒
不过，由此引发的讨论挺有意义，大家各抒己见，重新温习理论。
我看了大家的讨论再翻翻书也有些收获，几点个人意见和部分摘自教科书的文字，有些超出楼主问题范围，仅供参考，若要深入理解，最好还是将模电的二极管、三极管、基本放大电路三个部分反复看若干遍，慢慢领会，或者就是去请教半导体、微电子专家，不要偏信、轻信任何回帖，所有的回帖都是参考点拨，都不是科学权威的解释，或许还有不当之处，包括我的，有的朋友的观点是工程实践的角度出发，虽然见效，但或许不是真相：
1。二极管的正向特性的起始部分，由于正向电压较小，外电场还不足以克服PN结的内电场，因此这时候的正向电流几乎为零，二极管呈现出一个大电阻，出现所谓的门坎电压，当正向电压大于门坎电压后，PN结的内电场被大大削弱，电流快速增长。三极管的基极-发射极也存在一个PN结，所以，让基极发射极导通，不能简单用电流来衡量。
2。半导体三极管是电流控制器件，即通过基极电流或射极电流去控制集电极电流，所谓放大作用，实质上是一种控制作用。上面说了不能简单用电流来衡量与此不矛盾，因为这电流跟它的“源”紧密相关，在楼主的问题中，也就是门电路的输出，电压是足够的了，然后问题的焦点就在于电流够不够？是依据有的朋友说的数据手册参数列表中的饱和测试值吗？我以为肯定不是，那是人家厂家的饱和测试条件，不是基极电流的参数，反正我平时使用时可从没用那个电流值去设计。饱和是三极管的一种工作状态，是一个区间，与静态工作点相关。饱和现象的产生是由于工作点上移使Vce减小到一定程度后，集电结收集载流子的能力减弱，发射极发射有余，而集电极收集不足，这时即使Ib增加，但Ic却不能增加即不再服从Ic=hFe*Ib的规律了。可以看看类似下面这幅截图的特性曲线，安森美的BC817，但这上面的曲线也只是几条抽样曲线，不代表所有值。结合35楼的截图，可以看出，让8050进入饱和区，电流也可以很小。关键还是去调整它的工作点，这与集电极负载电阻以及基极偏置电阻相关。举个例子，我经常用3.3V单片机IO输出串一个5.1k电阻去控制BC817，就是让它做开关用，集电极负载哪怕是一个LED，那才4mA左右，这种情况那么Ic/Ib差不多就是10倍了，但如果过饱和了，可能就不止10倍了。
3。楼主的电路不仅仅是8050饱和的问题，主要是能否有效驱动后面的三个门电路触发，你电路右下角那个U10D是闲置的吗？可以用它搭个反向器来代替8050不？ |
楼主
