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这个一键开机电路如何做到上电自动开启?

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楼主: ipman
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21楼
ipman|  楼主 | 2013-10-21 16:49 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
仿真和实际都是OK的,就是无法做到上电自动开

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zyj9490 2013-10-21 18:20 回复TA
上电自动开就失去了一键开机的目的了 
zyj9490 2013-10-21 18:18 回复TA
加大c5容量 
22楼
zyj9490| | 2013-10-21 18:16 | 只看该作者
ipman 发表于 2013-10-21 16:22
我的PCB样机有这个功能

其实你这个方案是有点问题，关键在于c5容量的选取上，过大，失去一键开机的目的，一上电就开机了。
过小，关不了机，因为负载边的电容电压没有降低通过二个电阻对c5充电。

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23楼
DianGongN| | 2013-10-21 19:23 | 只看该作者
ipman 发表于 2013-10-21 16:49
仿真和实际都是OK的,就是无法做到上电自动开

从原理上分析，上电时肯定关闭。

原因：只要SW3不闭合，上电时Q1的VGS最大=10K/(10K+220K)*5V=0.217V,Q1肯定截至。

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zyj9490 2013-10-21 19:46 回复TA
C5容量足够大，其栅极电压没有上升，Q1导通，输出电压通过二个电阻使Q2的集电极电位下降到足够维持Q1导通。这就是上电自动开机。失去一键开机的目 
24楼
micropower| | 2013-10-21 19:26 | 只看该作者
把Q1的D和S正向接上一个二极管即可。

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25楼
DianGongN| | 2013-10-21 19:32 | 只看该作者
这个电路还是挺有意思的，干脆焊了个电路测试一下。

电路改了一点，其实和LZ的原理一样。
R14改了位置，LZ原来的位置没有用，放在这里键闭合时没有大电流。C1是抗干扰的，防止误导通，环境好可以省略。

这是原理图，测试功能正常。（没有上电自动开功能）

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lphaff 2014-7-15 21:16 回复TA
你这里的R14也没用。 
26楼
DianGongN| | 2013-10-21 19:43 | 只看该作者
然后，加上上电自动启功能。测试正常。

加了J1，拔插头以后，电路掉电同时+5V和gnd短路，让C2放电。
如果断电后，+5V开路，C2不能放电，下次上电不能自动开启。

如果LZ的系统，在断电后+5V只能开路，情况就比较复杂，需要另外讨论。


这是调试过的原理图，肯定有更合适的方案。本人抛砖引玉，呵呵！

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27楼
Lgz2006| | 2013-10-22 06:49 | 只看该作者
如果能够实现“一键开关”，下电路应能实现“上电开机”

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28楼
ipman|  楼主 | 2013-10-22 10:38 | 只看该作者
本帖最后由 ipman 于 2013-10-22 10:40 编辑
DianGongN 发表于 2013-10-21 19:43
然后，加上上电自动启功能。测试正常。

加了J1，拔插头以后，电路掉电同时+5V和gnd短路，让C2放电。


非常感谢!
上电时,由于C2作用, Q1 Gate电压约短期保持1V以下,2301开启,Vout得到5V, 然后驱动Q2导通,从而将Q1 Gate锁定在0.3V,看似合理,仿真失效为何?

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29楼
ipman|  楼主 | 2013-10-22 10:57 | 只看该作者
micropower 发表于 2013-10-21 19:26
把Q1的D和S正向接上一个二极管即可。

恕我直言, 那还不如短路Q1的 D和S?

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30楼
ipman|  楼主 | 2013-10-22 11:03 | 只看该作者
DianGongN 发表于 2013-10-21 19:32
这个电路还是挺有意思的，干脆焊了个电路测试一下。

电路改了一点，其实和LZ的原理一样。

R14是保护2301 Vgs过大而增加的, 测试发现Q1 容易烧, 通过R14分压可以降低Q1的负担, Q2的基极限流已经有R3,  目前你的R14只是避免按键压下瞬间对Q1的伤害? 不吝赐教

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lphaff 2014-7-15 21:23 回复TA
你这里搞错了。R14分压后只会抬高MOS管的VGS，从而导致MOS管处于非完全导通状态。这样会加大系统的功耗。VGS越小，MOS管导通越完全，越不容易烧坏。 
31楼
DianGongN| | 2013-10-22 11:41 | 只看该作者
IRF9530是不能用的，开启电压太高。
可以用Si2301或者类似的 低Vgsth mosfet。

请看参数：

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32楼
DianGongN| | 2013-10-22 11:43 | 只看该作者
用IRF9530估计实际电路也不能正常工作。

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33楼
ipman|  楼主 | 2013-10-22 11:44 | 只看该作者
呵呵, 谢谢, 我也怀疑这个原因,可惜 Multisim 零件库实在少的可怜, 已经请同事帮忙实地考察, 谢谢!

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34楼
DianGongN| | 2013-10-22 11:53 | 只看该作者
本帖最后由 DianGongN 于 2013-10-22 11:54 编辑
ipman 发表于 2013-10-22 11:03
R14是保护2301 Vgs过大而增加的, 测试发现Q1 容易烧, 通过R14分压可以降低Q1的负担, Q2的基极限流已经有R ...

Vgs过大不是Q1烧毁原因。普通MOSFET的Vgs限额肯定大于5V。烧毁是另外的原因，请取消输入电容和输出电容，试试看。

R14保护的是Q2不是Q1，另外R14可以抬高 导通状态下 C5上的电压，电路稳定性改善。

再说明我的看法，你原来的电路不可能上电自动开启，如果实验中开启了，那是干扰！
如果你确信原电路可以自动开启，请详细讲解过程，也有可能我理解错了。

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35楼
DianGongN| | 2013-10-22 11:56 | 只看该作者
本帖最后由 DianGongN 于 2013-10-22 12:06 编辑
ipman 发表于 2013-10-22 11:44
呵呵, 谢谢, 我也怀疑这个原因,可惜 Multisim 零件库实在少的可怜, 已经请同事帮忙实地考察, 谢谢! ...

Q1可以用pnp晶体管仿真看看。比如2N5401

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36楼
ipman|  楼主 | 2013-10-22 12:09 | 只看该作者
换了个规格的MOS管仿真正确,为防止C2在快速插拔异常,增加R7放电电阻,仿真测试OK,谢谢DianGongN

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37楼
DianGongN| | 2013-10-22 12:27 | 只看该作者
ipman 发表于 2013-10-22 12:09
换了个规格的MOS管仿真正确,为防止C2在快速插拔异常,增加R7放电电阻,仿真测试OK,谢谢DianGongN
...

R7最好接在GND和+5V之间，避免负载效应，计算更方便。阻值可以再大一点。

不过加了这个电阻之后，电路就不是零功率待机了。刚看到你的电路，认为要求零功率待机，呵呵。

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38楼
ipman|  楼主 | 2013-10-22 13:01 | 只看该作者
谢谢! 完美的东西太少,总要忍受些牺牲,用电池供电一般不要求自动开启,用DC供电允许小小的跑电.产品还是可靠最重要.

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39楼
ipman|  楼主 | 2013-10-22 16:34 | 只看该作者
DianGongN:
仿真正确,实际飞线测试无法关机? 你测试了没有?

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40楼
DianGongN| | 2013-10-22 17:26 | 只看该作者
本帖最后由 DianGongN 于 2013-10-22 23:05 编辑
ipman 发表于 2013-10-22 16:34
DianGongN:
仿真正确,实际飞线测试无法关机? 你测试了没有?

实际电路测试正常。

请去掉R7测试。或者R7接在+5V和GND之间。

R1 R2还是LZ原来设计的10k更合理。


（下面这两个图片删除不了，不知为何？ 只能让它在这里啦）

Si2301_Vgs.GIF (57.51 KB )

Si2301_Vgs.GIF

IRF9530_Vgs.GIF (54.33 KB )

IRF9530_Vgs.GIF

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