晶振的寄生电容怎么测量

只看该作者 · 2013-11-5 11:15

有的说是12pf，有的说22pf

还有的说7.5pf。我应怎么测量？

只看该作者 · 2013-11-5 11:20

你说的是内部寄生还是外部的负载匹配电容
内部电容有个串联电容比较小有个并联电容有些大不知楼主说的是哪个

只看该作者 · 2013-11-5 12:09

MCU52 发表于 2013-11-5 11:20
你说的是内部寄生还是外部的负载匹配电容
内部电容有个串联电容比较小有个并联电容有些大不知楼主说的是哪 ...

就是说晶体，晶振。

1万 · 2013-11-5 12:22

连寄生电容是啥在哪含谁都不清晰，测什么测

2万 · 2013-11-5 13:01

这篇**是最早的全面阐述晶体模型及模型参数测量的**：

E. Hafner:The piezoelectric crystal unit—Definitions and methods of measurement

只看该作者 · 2013-11-5 16:07

大概是想问晶振引脚接地的电容接多大的吧。

只看该作者 · 2013-11-6 15:40

本帖最后由 henryyam 于 2013-11-7 10:18 编辑

LZ说的应该是晶体的负载电容。

这个电容量取决于晶体，它是晶体的一个基本参数。就是说，同样是12M的晶体，负载电容有10PF,12PF,18PF,20PF等等，都是根据客户的电路设计要求来做的。这个电容的大小会直接影响到实际振荡频率（这个最关键），以及工作稳定性（次之）。晶体的负载电容可以用专用仪器测出，但是普通电子工程师往往手头没有这个仪器。

对于普通应用的单片机来说，振荡频率的要求可能不是最关键的（晶体可以轻松达到100PPM量级的准确度），而稳定性更重要，因为一旦停振了单片机也就OVER了。因此在不知道所用晶体的负载电容的情况下，这个电容宜大不宜小，相对大一些会提高稳定性，当然也会降低一些振荡频率。一般说来这个负载电容取10-20PF左右都是没有问题的。

需要注意的是，负载电容都是成对应用的，而这两个电容的等效电容是串联关系，相当于小一半，再考虑到单片机芯片内部电容和电路分布电容，一般取略小于负载电容的2倍即可。例如，对于负载电容10PF，可以选用两个15PF的电容；而对于15PF左右的负载电容，可以选用两个22PF。

只看该作者 · 2013-11-6 15:58

LZ如果真想买这个专用晶体测量仪器的话，推荐型号有：S&A 250B-1, B110, HP 5100A等。都比较贵，几W元*币。

其中第一个型号是准确度最高的，也是行业标准。

只看该作者 · 2013-11-7 08:41

这都想测，你真行

只看该作者 · 2013-11-7 13:47

本帖最后由 henryyam 于 2013-11-7 16:50 编辑

不知道如何对点评内容作回复，就在这里回复吧。

关于负载电容大小对晶体的频率和稳定性的影响的大小，是从单位容量变化对其影响大小来说的。一般说来，晶体的TS（Trim Sensitivity 牵引率）值在20ppm/pF左右，即负载电容每变化1PF则振荡频率改变20ppm. 对于在电子市场上买到的不知负载电容大小的晶体来说，随便选择负载电容的话误差一般会在5-10PF左右。按最大值10PF算的话（TS已经取中间值了）频率变化可达200PPM。这么大的频率变化对于多数要求必须使用晶体的场合已经是太大了。而对于工作稳定性而言，负载电容从10PF改变到20PF一般是不会有太大影响的，就是说，只要工作条件（温度范围、震动等）不是太苛刻就不容易停振。

晶振的寄生电容怎么测量

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