本帖最后由 yf2008bj 于 2014-2-24 13:29 编辑
本人在做超级结（即Toshiba等口中的 CoolMOS）FAE，刚好遇到LED电源客户用我们的产品有Surge问题，现分享一下，：
客户电源规格：
30V/1A LED电源，（反激）ACin=120~264Vac ,f=50~60HZ
Surge 要求：L~N差模1200V（90°）
测试过程中发现客户有用Varistor（突波吸收器），但效果不是太明显，只能到800V左右，如果再提升电压，
就会发生MOS击穿，电流采样电阻烧坏，接触最早的电源还有将驱动IC打死的情况。
后续自己加一点小电路，避免了损坏IC的情况，多次试验，击穿了不少的MOS管，真的挺心疼的，其实还是想多用示波器看看击穿的波形，所以投入大了一点
最后有效的解决办法分享一下，中间的弯路就不谈了：
1.增加突波吸收器，经过试验，可以完成测试，但会增加成本，增大PCB面积，效果一般
2.添加电路，在整流后的母线上加入二极管串联电解电容10Uf左右，效果相当理想
3.从器件参数更改，如雪崩耐压等。
后续通过更改MOS参数，满足了客户要求，解决了问题，随便分享一下
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