P-MOS高端驱动问题！

只看该作者 · 2014-4-2 18:48

xmar 发表于 2014-4-1 13:16
改进：

感谢回复！
原先我的电路也是这样想的，在IRF4905 的G和S之间加一个稳压管，做VGS保护之用，
个人认为，用1N4740稳压管10V比较安全一些，1N4748A是22V的稳压管，
如我们就按VGS为10V算，在Q2导通时，R2上的电流就有380ma 、功耗就14W了，有点大了。
而且，电路要求在没有数据要发送时，IRF4905要导通给后面电路供电，所以，个人认为这样不行啊。

只看该作者 · 2014-4-2 18:52

NPN管基极没电流流过，它是怎样导通的？

只看该作者 · 2014-4-2 18:57

william008 发表于 2014-4-1 09:36
老了，眼花了，把电容的16V看成稳压管的耐压了。
确实是10mA，那电流是合适的。
但6N137的电源应该是5V吧 ...

呵呵，这几天忙，没上论坛，

对，6N137是5V供电，元件库里也没细找，就先找了个普通四脚的代表了一下，

PWM的频率是9600的串口信号，但有一点不同的是，逻辑0=40us低电平+64us高电平，逻辑1＝104us高电平，这样，主要是想给后面的电路供电。开关的速度是想控制在1us以内，这几天按照我1楼的电路搭的电路测试，IRF4905导通非常快，ns级，但是关断用时5us ，不知道是什么原因，是这个管是就这样，还是驱动电路上有问题呢？

只看该作者 · 2014-4-2 19:19

ddv520 发表于 2014-4-1 11:17
上图不错，，但有问题，，MOSFET的Vgs没有保护，Vgs耐压只有20V,,光耦侧串电阻，R4并稳压管，，8550和8050 ...

请问：光耦侧串电阻，R4并稳压管这两点，怎么理解啊？

只看该作者 · 2014-4-2 19:37

fulitun 发表于 2014-4-1 15:18
R3可以去了

你好，放R3的目的是考虑在下管8550导通时，6N137的感光侧和8550的E-B结上的冲击电流不要太大，而且，从我搭的电路测试来看，IRF4905的导通用时很快，所以我想，R3在存在应该不会有太大的问题，求拍砖。

但是，IRF4905的关断却很慢，有时5us的时间，不知道哪里能够改进？？

只看该作者 · 2014-4-2 19:50

YEO 发表于 2014-4-2 18:52
NPN管基极没电流流过，它是怎样导通的？

两三极管的作用是给MOS的G/S结电容充电－放电用的，
上管导通，MOS G S 两电位很快相等，MOS关闭，
下管导通，MOS G S MOS栅极电位很快被拉到VCC-10V的电位，MOS导通。

NPN基级电流，你可以理解为:VCC－NPN上拉电阻－NPN基极－NPN发射极－MOS栅极限流电阻－MOS栅极－VCC