求一个驱动3.3~5V的开关电路, 要求:低电平导通, 高电平截止.

只看该作者 · 2014-4-10 11:05

diy1997 发表于 2014-4-10 09:19
是的.
实验结果怎么样?

昨天弄传感器去了, 没时间, 今晚做实验.

到时候一一回复.

只看该作者 · 2014-4-10 21:36

zyj9490 发表于 2014-4-9 19:06
改进电路，单端口操作，在高阻和高电平输出时，后级电源不会开启。

试验了这个电路:

测试条件:
VCC1.8V 没有的情况下, 没有开启.---OK.
VCC1.8V 供电的情况下, IO口悬空(关机时), IO开机是(高电平), IO待机时(输入高阻态) 均不会开启---OK.

电路符合要求!

再提个问题, 如果Vcc 1.8V 那里, 可否可以是VDD5V呢?

只看该作者 · 2014-4-10 22:18

wh6ic 发表于 2014-4-9 09:45
可以看看这个电路，Port为1.8V或高阻悬浮时，电路基本无消耗（仅有3.3~5V --> 1.8V的漏电、3.3~5V 经过关闭 ...

嗯, 这个电路也试验了, 也是可以的.

谢谢!

我现在想对比一下2个电路的消耗, 再用哪一个, 这个电路的优势就是器件少...

但是听zyj9490另外那位仁兄说, 这个电路的漏电流问题.

1万 · 2014-4-10 22:33

vcxz_1982 发表于 2014-4-10 21:36
试验了这个电路:

测试条件:

不行，因为ARM的端口电压最高为1.8V，高阻和低电平时可以，高电平时关不了后级电源。

只看该作者 · 2014-4-10 22:36

zyj9490 发表于 2014-4-10 22:33
不行，因为ARM的端口电压最高为1.8V，高阻和低电平时可以，高电平时关不了后级电源。 ...

是吗? 你是说你的那个改进电路不可以?

但是我测试了是可以的啊, 5种情况我都测试了呢

1万 · 2014-4-10 22:42

ARM的电源是+5V吗？，如果不是，把端口设定成OC或OD门，这样就可以了。不能设定成PP输出。

只看该作者 · 2014-4-10 22:44

zyj9490 发表于 2014-4-10 22:42
ARM的电源是+5V吗？，如果不是，把端口设定成OC或OD门，这样就可以了。不能设定成PP输出。 ...

ARM的电源是3.3V(锂电池供电系统).

另外我开了一个新帖, 讨论2个电路的优缺点

https://bbs.21ic.com/forum.php?mod=viewthread&tid=713042&page=1&extra=#pid4131122

只看该作者 · 2014-4-10 22:46

zyj9490 发表于 2014-4-10 22:42
ARM的电源是+5V吗？，如果不是，把端口设定成OC或OD门，这样就可以了。不能设定成PP输出。 ...

我主要是要防止我无法控制的期间的高电平对开关的影响,

不开机和开机过程中, 睡眠时... 这些我的程序都无法控制到.

只看该作者 · 2014-4-10 22:49

diy1997 发表于 2014-4-10 09:19
是的.
实验结果怎么样?

两个电路都可以按照我的要求工作.

不知道哪个好了. 开了个新帖讨论这2个电路

https://bbs.21ic.com/forum.php?mod=viewthread&tid=713042&page=1&extra=#pid4131122

1万 · 2014-4-10 22:52

vcxz_1982 发表于 2014-4-10 22:46
我主要是要防止我无法控制的期间的高电平对开关的影响,

不开机和开机过程中, 睡眠时... 这些我的程序都 ...

我怕是每个端口有上下TVS管保护，外面有+5V时，会上TVS导通，这样就会开启后级电源

只看该作者 · 2014-4-10 23:03

zyj9490 发表于 2014-4-10 22:52
我怕是每个端口有上下TVS管保护，外面有+5V时，会上TVS导通，这样就会开启后级电源 ...

哦, 那54楼的图有这个问题么?

如果你觉得他的电阻过大, 可以怎么改进呢?

1万 · 2014-4-10 23:08

同样的问题。

1万 · 2014-4-10 23:10

vcxz_1982 发表于 2014-4-10 22:18
嗯, 这个电路也试验了, 也是可以的.

谢谢!

普通硅三极管漏电流偏大的时代早就一去不返了......
专门查了下，9014漏电：35V时漏电小于50nA，1.8V下应该更小。
再查PMOSFET，比如2301，源、漏间在-16V时漏电是比较大，常温下小于1uA，55度时小于10uA，但几个电路都有这个问题，实际应用似乎也不需要太担心，毕竟你的最高电压是5V，正常情况下漏电应该不会达到1uA的。
关于耗电，你不应该抓芝麻丢西瓜，先好好考虑下MPU的功耗吧。

1万 · 2014-4-10 23:10

本帖最后由 zyj9490 于 2014-4-10 23:13 编辑

也可以分压之后再进入基极，应是可以的，加二个电阻器件进行分压。实际，电路思想你应明白了，可以试下，分压下，由5V得到1.8V，实际上导通基极电流是很小的，UA级的，

只看该作者 · 2014-4-10 23:11

wh6ic 发表于 2014-4-10 23:10
普通硅三极管漏电流偏大的时代早就一去不返了......
专门查了下，9014漏电：35V时漏电小于50nA，1.8V下应 ...

哦, 那我就用你这个图了, 毕竟简单些.

非常感谢

只看该作者 · 2014-4-10 23:12

zyj9490 发表于 2014-4-10 22:52
我怕是每个端口有上下TVS管保护，外面有+5V时，会上TVS导通，这样就会开启后级电源 ...

我也不知道有没有TVS管保护, 但是当1.8v不存在时, 3.3~5V存在时, 这个电路并没有导通, 符合我的要求.

1万 · 2014-4-10 23:16

1.8V不存在时，表现为没有电流，三极管没有导通，

只看该作者 · 2014-4-10 23:20

本帖最后由 vcxz_1982 于 2014-4-10 23:37 编辑

zyj9490 发表于 2014-4-10 23:16
1.8V不存在时，表现为没有电流，三极管没有导通，

嗯, 那就没问题了.

不过我还是用那个人的图, 电路简单一些, 我的PCB板子面积有限.

我现在又有另外一个问题了, 有一个LDO, 是高电平导通(2.4V 算高电平, 悬空也会导通), 而我的IO默认是高电平...
按道理我应该能用三极管或者MOS做一个反相了, 可脑袋有些空白了, 可能太困了

你还没睡啊? 早点休息吧

只看该作者 · 2014-4-11 07:17

本帖最后由 vcxz_1982 于 2014-4-11 07:26 编辑

wh6ic 发表于 2014-4-9 09:45
可以看看这个电路，Port为1.8V或高阻悬浮时，电路基本无消耗（仅有3.3~5V --> 1.8V的漏电、3.3~5V 经过关闭 ...

请问一下:

1. 这里的1.8V可以接到3.3~5.5v那一端么? (难道栅极不能大于e级?)
2. 如果某个IO口是3.3v高电平, 那么1.8v是不是也要选择3.3v?
3. 同样的环境, 如果某个IC默认是高电平开启, 为了改成低电平开启, 那么我就可以用这个电路去做他的EN输入对吧?

1万 · 2014-4-11 08:24

vcxz_1982 发表于 2014-4-11 07:17
请问一下:

1. 这里的1.8V可以接到3.3~5.5v那一端么? (难道栅极不能大于e级?)

1、NPN三极管基极比发射极高0.5V就会导通，如果输入0~1.8V，基极接到3.3~5.5V，那么输入高电平的1.8V也比基极低不少，就导致0~1.8V，三极管都是导通的，想正常工作还是比较麻烦的（你的3.3~5.5V范围太宽，难以使用稳压管降压的办法区别0V/1.8V。不过可以尝试3.3~5.5V供电，合适的电阻加1.8V~2.2V的稳压管的办法，得到小于2.2V的基极电压源，不过这样耗电增加可能会比较多，需要你自己衡量、选择）
如果1.8V难以得到，可能需要多加一级三极管甚至更多才达到目的。
2、IO口的CMOS逻辑电平范围是0~3.3V，那么这个电路的基极电压源，有效的范围是2.0~3.7V，电压再低点也可以工作
3、可能可以，需要分析具体需求

求一个驱动3.3~5V的开关电路, 要求:低电平导通, 高电平截止.

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