本帖最后由 zwm2011 于 2014-5-17 09:08 编辑
在这里提出来，DB3的转折电压，在资料里面有两个转折电压：
1，转折电压
2，动态转折电压
在实践测试中，我的结论是；第一种转折电压，一般用在过压保护电路
第二种转折电压，就像我贴出来的原理图，动态电压；当可调电阻增大或者减少，DB3双向触发二极管流过电流也会变化，这也是我实际测量中得出现象是一致的，即负载越大时候，DB3和C3电容节点电压越小，负载越小，该节点电压越大
在这里做出对双向触发二极管一般理解，可能会解释不准或者甚至错误，但是我还是把我的理解说出来，就拿DB3来解释，曲线图上的32V转折电压是在不足于导通电流流通情况下，电压高于或者等于32V，DB3快速进入导通状态且电流紧急加大
当有足够通态电流准备情况下，DB3在5V情况下就会进入导通状态
=========================================================================================
以上描述，是从一般实践上解释，通过示波器我观察到，还是RC参数关系导致了：负载越大C3两端电压越小，负载越小C3两端电压越大现象，因为波形幅值始终不变
=========================================================================================
其实我拿出来这个简单电路分析，是想引出大家来讨论
我自己做研发有好几年，感觉所谓研发就是抄袭，没有深入其中分析，身边很多同事都是一样，只懂表面，不知其内
前两天我看了一本书，是电容的使用，我看了目录，我感觉很惭愧，原来一个电容竟然有那么多知识在里面；天天和电容打交道，原来不知道；
我不知道大家是如何感想的！！！！！
一个可控硅简单应用电路，就像我贴出来的一样，大家一看都会知道通过电位器阻值改变可控硅导通角，可是明白可控硅内部电流电压的变化吗？ |
楼主
这次对了。