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/* --- STC MCU Limited ------------------------------------------------*/
/* --- STC15F4K60S4 系列 通过BandGap电压精确测量外部输入电压值举例-----*/
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/* 如果要在程序中使用此代码,请在程序中注明使用了宏晶科技的资料及程序 */
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//本示例在Keil开发环境下请选择Intel的8058芯片型号进行编译
//假定测试芯片的工作频率为18.432MHz
#include "reg51.h"
#include "intrins.h"
typedef unsigned char BYTE;
typedef unsigned int WORD;
//说明:
// ADC的第9通道是用来测试内部BandGap参考电压的,由于内部BandGap参考电
//压很稳定,不会随芯片的工作电压的改变而变化,所以可以通过两次测量和一次计算
//便可得到外部的精确电压.公式如下:
//ADCbg / Vbg = 1023 / VCC
//ADCx / Vx = 1023 / VCC
//由于两次测量的时间间隔很短,VCC的电压在此期间的波动可忽略不计
//从而可推出 ADCbg / Vbg = ADCx / Vx
//进一步得出 Vx = Vbg * ADCx / ADCbg
//其中:ADCbg为Bandgap电压的ADC测量值
// Vbg为实际Bandgap的电压值,在单片机进行CP测试时记录的参数,单位为毫伏(mV)
// ADCx为外部输入电压的ADC测量值
// Vx外部输入电压的实际电压值,单位为毫伏(mV)
//
//具体的测试方法:首先将P1ASF初始化为0,即关闭所有P1口的模拟功能
//然后通过正常的ADC转换的方法读取第0通道的值,即可通过ADC的第9通道读取当前
//内部BandGap参考电压值ADCbg,然后测量有外部电压输入的ADC通道,测量出
//外部输入电压的ADC测量值ADCx,接下来从RAM区或者ROM区读取实际Bandgap的电压值Vbg,
//最后通过公式Vx = Vbg * ADCx / ADCbg,即可计算出外部输入电压的实际电压值Vx
//-----------------------------------------
WORD idata Vbg_RAM _at_ 0xef; //对于只有256字节RAM的MCU存放地址为0EFH
//WORD idata Vbg_RAM _at_ 0x6f; //对于只有128字节RAM的MCU存放地址为06FH
//注意:需要在下载代码时选择"在ID号前添加重要测试参数"选项,才可在程序中获取此参数
//WORD code Vbg_ROM _at_ 0x03f7; //1K程序空间的MCU
//WORD code Vbg_ROM _at_ 0x07f7; //2K程序空间的MCU
//WORD code Vbg_ROM _at_ 0x0bf7; //3K程序空间的MCU
//WORD code Vbg_ROM _at_ 0x0ff7; //4K程序空间的MCU
//WORD code Vbg_ROM _at_ 0x13f7; //5K程序空间的MCU
//WORD code Vbg_ROM _at_ 0x1ff7; //8K程序空间的MCU
//WORD code Vbg_ROM _at_ 0x27f7; //10K程序空间的MCU
//WORD code Vbg_ROM _at_ 0x2ff7; //12K程序空间的MCU
//WORD code Vbg_ROM _at_ 0x3ff7; //16K程序空间的MCU
//WORD code Vbg_ROM _at_ 0x4ff7; //20K程序空间的MCU
//WORD code Vbg_ROM _at_ 0x5ff7; //24K程序空间的MCU
//WORD code Vbg_ROM _at_ 0x6ff7; //28K程序空间的MCU
//WORD code Vbg_ROM _at_ 0x7ff7; //32K程序空间的MCU
//WORD code Vbg_ROM _at_ 0x9ff7; //40K程序空间的MCU
//WORD code Vbg_ROM _at_ 0xbff7; //48K程序空间的MCU
//WORD code Vbg_ROM _at_ 0xcff7; //52K程序空间的MCU
//WORD code Vbg_ROM _at_ 0xdff7; //56K程序空间的MCU
WORD code Vbg_ROM _at_ 0xeff7; //60K程序空间的MCU
//-----------------------------------------
sfr ADC_CONTR = 0xBC; //ADC控制寄存器
sfr ADC_RES = 0xBD; //ADC高8位结果
sfr ADC_LOW2 = 0xBE; //ADC低2位结果
sfr P1ASF = 0x9D; //P1口第2功能控制寄存器
#define ADC_POWER 0x80 //ADC电源控制位
#define ADC_FLAG 0x10 //ADC完成标志
#define ADC_START 0x08 //ADC起始控制位
#define ADC_SPEEDLL 0x00 //540个时钟
#define ADC_SPEEDL 0x20 //360个时钟
#define ADC_SPEEDH 0x40 //180个时钟
#define ADC_SPEEDHH 0x60 //90个时钟
/*----------------------------
软件延时
----------------------------*/
void Delay(WORD n)
{
WORD x;
while (n--)
{
x = 5000;
while (x--);
}
}
BYTE GetADC(BYTE ch)
{
ADC_CONTR = ADC_POWER | ADC_SPEEDLL;
Delay(2); //ADC上电并延时
ADC_CONTR = ADC_POWER | ADC_SPEEDLL | ch | ADC_START;
_nop_(); //等待4个NOP
_nop_();
_nop_();
_nop_();
while (!(ADC_CONTR & ADC_FLAG)); //等待ADC转换完成
ADC_CONTR &= ~ADC_FLAG; //清除ADC标志
return ADC_RES;
}
void main()
{
BYTE ADCbg;
BYTE ADCx;
WORD Vx;
//第一步:通过ADC的第2通道测试外部输入电压的ADC测量值
ADC_RES = 0; //清除结果寄存器
P1ASF = 0x02; //设置P1.1口为模拟通道
GetADC(1);
GetADC(1);
ADCx = GetADC(1);
//第二步:通过ADC的第9通道测试Bandgap电压的ADC测量值
ADC_RES = 0; //清除结果寄存器
P1ASF = 0x00; //不设置P1ASF,即可从ADC的第9通道读取内部Bandgap电压的ADC测量值
GetADC(1);
GetADC(1);
ADCbg = GetADC(1);
//第三步:通过公式计算外部输入的实际电压值
Vx = Vbg_RAM * ADCx / ADCbg; //使用RAM中的Bandgap电压参数进行计算
//Vx = Vbg_ROM * ADCx / ADCbg; //使用ROM中的Bandgap电压参数进行计算
while (1);
}
我觉得这里
//第二步:通过ADC的第9通道测试Bandgap电压的ADC测量值
ADC_RES = 0; //清除结果寄存器
P1ASF = 0x00; //不设置P1ASF,即可从ADC的第9通道读取内部Bandgap电压的ADC测量值
GetADC(1);
GetADC(1);
ADCbg = GetADC(1);
应该改为
//第二步:通过ADC的第9通道测试Bandgap电压的ADC测量值
ADC_RES = 0; //清除结果寄存器
P1ASF = 0x00; //不设置P1ASF,即可从ADC的第9通道读取内部Bandgap电压的ADC测量值
GetADC(0);
GetADC(0);
ADCbg = GetADC(0);
否则取不出 BandGap 的ADC值
(这段例程在手册和ISP v6.75里面都有) |
楼主
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