maychang 发表于 2014-8-2 14:14 
这种射随当然没有问题。
但你的计算中未考虑MOS管米勒电容，而米勒电容比GS之间电容大得多。驱动电流峰值 ...
的确，精确计算时间，要考虑米勒电容效应。
但在此例，粗略计算的话，可以忽略米勒电容效应，因为这个不占主导地位。
原因之一是米勒电容比起输入电容一般比较小，另一个是MOS管工作在开关状态下，电压放大倍数（的绝对值）不大。
比如很常见的管子IRF540N：
输入电容接近2000pF，但米勒电容只有40pF，当输入电压从0升到10V，D的电压从30V下降到0V，由米勒效应等价多增加的电容为160pF，不到输入电容的10%。
话说回来，做设计的确要查看数据表，不同管子参数差异可能会很大。 |
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