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两个IGBT管子并联,容易烧,怎么办?

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楼主: shurenfa
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maychang| | 2014-9-23 15:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
shurenfa 发表于 2014-9-23 10:37
更正,不是光耦的CE之间,是光耦的C和GND之间并了22uf电容

估计IGBT就是这么烧的。
自己计算一下:这个电容最高可以充电到多少伏?

建议楼主按照21楼gx_huang所说,换个15V驱动电源。

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bald| | 2014-9-23 17:18 | 只看该作者
毛病不少,这个图不贴出来很难发现。
栅极和发射极之间开路,一旦脉冲宽度控制有误差栅极很容易就击穿了。如果栅极过压击穿,多大电流的管子也没用。这里接电阻恐怕影响到栅极电流,加个稳压管吧。
300K电阻栅极驱动显小了一些。1mA电流33欧的电阻均流能均到哪去。通常栅极驱动电流应该不小于100mA,即使你这里条件限制也不该弄得这么小,如果三极管功率足够,可以考虑用2W20K到30K的电阻,这么窄的脉冲应该问题不大。
管子损坏可能与这两个因素无关,但这两项肯定会影响到你应用的可靠性。

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airwill| | 2014-9-24 08:02 | 只看该作者
楼上这图是个很好的改进。电容储能和简单的稳压后,保证驱动IGBT的电流。
不过稳压管的电压需要提高。专用的驱动通常是使用接近15V的电压的。
33欧姆的驱动电阻是偏大了,导致开通损耗大,而关断的速度更慢。容易 IGBT 过热损坏。所以 IGBT 需要使用富余的散热器和很好的散热性能。
最好,这么贵的 IGBT 都用上了,建议改用专用的驱动电路吧,很多厂家都有,也就几块钱的芯片。

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mmuuss586| | 2014-9-24 08:48 | 只看该作者

最好不要直接并联,加均流电路;
具体可参考MOS管或三极管的均流电路;
而且最后均流的效果,也就是流过每个IGBT电流的一致性要测试过;

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chen_jhhb| | 2014-9-24 09:00 | 只看该作者
不烧管子的最好办法是选择一个可以满足电流要求的。按照图所示的设计,2个管子并联,但是没有均流电阻肯定会烧,具备均流电阻加在发射极和地之间,电阻要很小,可以用一段导线代替;还有就是要测试匹配2个管子的导通时间,这要挑选。

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shurenfa|  楼主 | 2014-9-24 09:13 | 只看该作者
king5555 发表于 2014-9-23 18:45
僅提供一些構思,如果反應要快則電容用小一些,或者其它能使電容快速充電的電路。
...

高手啊!不好意思,我的图没画完整,稳压管和电容都是有的,稳压管是27V稳压管,电容是22uf。

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shurenfa|  楼主 | 2014-9-24 09:14 | 只看该作者
chen_jhhb 发表于 2014-9-24 09:00
不烧管子的最好办法是选择一个可以满足电流要求的。按照图所示的设计,2个管子并联,但是没有均流电阻肯定 ...

多谢,我去关注下均流电路的设计

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shurenfa|  楼主 | 2014-9-24 09:14 | 只看该作者
mmuuss586 发表于 2014-9-24 08:48
最好不要直接并联,加均流电路;
具体可参考MOS管或三极管的均流电路;
而且最后均流的效果,也就 ...

我去参考下MOS管的均流电路,谢谢~

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shurenfa|  楼主 | 2014-9-24 09:15 | 只看该作者
airwill 发表于 2014-9-24 08:02
楼上这图是个很好的改进。电容储能和简单的稳压后,保证驱动IGBT的电流。
不过稳压管的电压需要提高。专用 ...

嗯!有道理!3Q~

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mmuuss586| | 2014-9-25 08:30 | 只看该作者
shurenfa 发表于 2014-9-24 09:14
我去参考下MOS管的均流电路,谢谢~

恩,百度搜下,有**的;

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tsj1992| | 2014-9-26 21:49 | 只看该作者
一种思路:加快开启速度,加速电容串联二极管之后并联在G极电阻。

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xzkkzx| | 2014-9-28 13:10 | 只看该作者
我也刚做过这个东西,用的是两只nmos管并联,没烧过,也不热。用2只IGBT管也试过,也没烧,但是稍有点热,你的疝管功率多少?可能你的驱动不足,开关时间过长的原因。

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86hupeng| | 2014-9-28 15:55 | 只看该作者
换个驱动方式吧,最少把负压给加上。

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明天及以后| | 2014-9-29 00:09 | 只看该作者
搞个独立电源吧,你的300V怎么来的?

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xufucg| | 2020-1-8 18:38 | 只看该作者
电路有错误,驱动的npn管要接电源

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