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一个延时电路,请教器件选取(小弟没有积分)

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zy_zhaoyi|  楼主 | 2014-11-25 14:54 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 zy_zhaoyi 于 2014-11-25 16:59 编辑

我现在做一个延时电路,要求给放大器供电28v,静态电流2A。我的想法是先通过比较器产生一个逻辑控制信号,然后控制MOSFET驱动芯片,然后驱动芯片的输出控制开关管的栅极。整个流程完成一个延时的功能。
问题是:1、现在MOSFET驱动芯片和开关管的选型找不到合适的,还请各位指导一下!!!
              2、第一次做这种电路,发现很多能用的原器件都没有办法仿真,请问是不是这种电路都是买原器件来搭然后自己调啊?谢谢

这是我用AD画的一个电路,当然MOSFET驱动和开关管部分我是用其他原器件代替的。请大家指导!

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沙发
maychang| | 2014-11-25 15:55 | 只看该作者
先要有电路,然后才谈得到器件选型。

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板凳
fiy1985| | 2014-11-25 16:29 | 只看该作者
管子用N沟道的话NTD2955怎么样,你这也没电路图。mos管电压驱动,不知道你想说什么驱动芯片,看速度了。少的话,用三极管搭怎样

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地板
dianziyangshu| | 2014-11-25 16:34 | 只看该作者

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zy_zhaoyi|  楼主 | 2014-11-25 16:50 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-11-25 15:55
先要有电路,然后才谈得到器件选型。

我自己用AD画了一个电路,但是原器件我用其他代替的,请见编辑后的主题,谢谢版主!

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piaoyiliu03| | 2014-11-25 17:29 | 只看该作者
路过

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maychang| | 2014-11-25 18:47 | 只看该作者
电路太复杂了,用了两片芯片,还需要另一个9V电源。
如果对延时时间的要求不是非常严格,两三支三极管即可。即使是用运放(当比较器用),也只需要一片双运放,而且能够承受28V电源电压的运放多得很,没有必要另用9V电源。
用9V电源,若9V电源有问题,会影响到28V电源不能正常工作。

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zy_zhaoyi|  楼主 | 2014-11-25 20:04 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-11-25 18:47
电路太复杂了,用了两片芯片,还需要另一个9V电源。
如果对延时时间的要求不是非常严格,两三支三极管即可 ...

嗯  9V是给前一级放大器供电用的,不过你说用两支三极管当延时器用,我不太懂,但是我觉得你的方案更好,能说详细点吗版主!谢谢了!

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zy_zhaoyi|  楼主 | 2014-11-25 20:06 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-11-25 18:47
电路太复杂了,用了两片芯片,还需要另一个9V电源。
如果对延时时间的要求不是非常严格,两三支三极管即可 ...

还有一个问题就是,延时电路这一路需要过大电流,峰值电流估计会到4A以上,所以综上,我对实现这个功能的电路没有什么好的方法

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xmar| | 2014-11-26 09:27 | 只看该作者

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zy_zhaoyi|  楼主 | 2014-11-26 09:44 | 只看该作者
@maychang  版主大人,我的帖子怎么就结题了呢?

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3AG1A| | 2014-11-26 10:16 | 只看该作者
zy_zhaoyi 发表于 2014-11-25 20:04
嗯  9V是给前一级放大器供电用的,不过你说用两支三极管当延时器用,我不太懂,但是我觉得你的方案更好, ...

用两只三极管组成施密特电路,输入端加上RC延时,后面输出端控制场管的导通/关闭。

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13
3AG1A| | 2014-11-26 10:19 | 只看该作者
xmar 发表于 2014-11-26 09:27

场管要加分压,现在这样会击穿的。

另外场管选型不合适,一般大电流负载要用低导通电阻的场管。

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zy_zhaoyi|  楼主 | 2014-11-26 10:20 | 只看该作者
xmar 发表于 2014-11-26 09:27

@xmar 你好,你的电路我仿真,电压能达到要求,但是我不知道怎么电流是否达到要求,因为是给大功率放大器漏极供电,所以Imax估计会比较大(4A)。谢谢!

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zy_zhaoyi|  楼主 | 2014-11-26 10:24 | 只看该作者
3AG1A 发表于 2014-11-26 10:16
用两只三极管组成施密特电路,输入端加上RC延时,后面输出端控制场管的导通/关闭。 ...

谢谢,我看刚才你提到了xmar的电路,凭你的经验,请问你有低导通电阻的场管的推荐吗?

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16
3AG1A| | 2014-11-26 10:30 | 只看该作者
zy_zhaoyi 发表于 2014-11-26 10:24
谢谢,我看刚才你提到了xmar的电路,凭你的经验,请问你有低导通电阻的场管的推荐吗? ...

低导通电阻的场管型号有很多。

用什么型号还要看你是使用NMOS还是PMOS场管,低内阻的场管NMOS的性能较好,价格也便宜。

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17
zy_zhaoyi|  楼主 | 2014-11-26 10:32 | 只看该作者
3AG1A 发表于 2014-11-26 10:19
场管要加分压,现在这样会击穿的。

另外场管选型不合适,一般大电流负载要用低导通电阻的场管。 ...

我看了一下IRF9641的datasheet,看耐受vdd与Id都挺高的

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3AG1A| | 2014-11-26 10:41 | 只看该作者
zy_zhaoyi 发表于 2014-11-26 10:32
我看了一下IRF9641的datasheet,看耐受vdd与Id都挺高的

不要只看vdd与Id,还要看Vgs,导通电阻。
截图:IRF9641的datasheet:

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19
zy_zhaoyi|  楼主 | 2014-11-26 10:44 | 只看该作者
3AG1A 发表于 2014-11-26 10:41
不要只看vdd与Id,还要看Vgs,导通电阻。
截图:IRF9641的datasheet:

嗯,谢谢你!我第一次做这种电路,有一个很大的问题在与我知道需求但是不知道如何去找我想要的原器件,不知道你觉得新手在这方面应该怎么去入手呢?

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20
3AG1A| | 2014-11-26 11:08 | 只看该作者
多看多积累,查找常见零件的厂家资料

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