新唐FAQ问答汇总【来自牛卧堂】

只看该作者 · 2014-11-26 23:13

问：新唐提供那些 USB 例子?
答：NuMicro™家族支持 USB2.0 全速设备,其内建 6 个或者 8 个支持控制传输、批量传输、中断传输及同步传输的可编程端点(endpoint)。在设计初期需要注意 USB 类别使用可编程端点的数量。另外,Nuvoton 在 BSP 库里提供各式各样的 USB 范例,像 HID、Touch Digitizer、HID Transfer、UAC (USB Audio Class)、UVC、Virtual COM Port、UDC (USB DeviceControl)、Mass storage 等。请从 Nuvoton NuMicro™ website 下载。

只看该作者 · 2014-11-26 23:14

问：USB转虚拟串口数据出错
答：客户将BSP中USB转虚拟串口DEMO的UART0改为UART1传输16个数据之后出错，原因是UART0是64个FIFO,UART1是16个FIFO。

只看该作者 · 2014-11-26 23:15

问：請問 I2C address registers I2CADDRn (n=0~3) 為何需要4組，使用時機為何？
答：I2C做从机时，用于多地址识别

只看该作者 · 2014-11-26 23:15

问：I2C NAslave是什么状态？总线如果不连得话中断程序怎么编写？如何跳出啊？
答：总线不连就不用写中断程序。NAslave 是Not address Slave mode

只看该作者 · 2014-11-26 23:17

问：I2C 总线的外部上拉电阻大小是多少?
答：对于标准模式 I2C 总线系统，图中电阻 RP 值取决于以下参数：
  电源电压
  总线电容
  连接设备的数量（输入电流+漏电流）。
电源电压（VDD）和最大输出低电平确定上拉电阻 Rp 的最小值。
例如，一个 4.5V 的电源电压，VOL= 0.45 V 和 Rp 为 4.7K 欧姆。

RP 值限制的最大总线电容限制到约 400 PF（容性负载），以满足最大的 tr（SCL/ SDA 上升时
间）为 300 ns 的要求。

只看该作者 · 2014-11-26 23:19

问：I2C程式會卡在while(I2Cx.SI != 1);?
答：檢查是否有接pull-high電阻。
結果NUC100可以正常動作，是因為客戶板子有lay I2C pull-high電阻；
NUC123無法動作，是因為客戶用NUC123 tiny board進行測試，沒有接I2C pull-high電阻，因此程式會永遠卡在while(I2Cx.SI != 1);。

只看该作者 · 2014-11-26 23:20

问：如何处理 I2C 总线在从模式中的死锁？
答：MCU 提供一个 14 位超时的计数器来处理当 I2C 总线锁死时的情况。如果 I2 总线锁
死，会使 I2CSTATUS 及 SI 标志不再更新， 14-位超时计数器会发生溢出从而产生 I2C该
中断通知 MCU。参考下图 14 位元超时计数器。用户可以写 1 清 TIF 为 0。

举例，如果 Pclk 为 1Mhz，超时值的时间是 1us*214=16384us。

只看该作者 · 2014-11-26 23:20

问：LDROM为4k，而APROM才8k如果不用岂不是很浪费,LDROM是否可以配置用来做APROM？
答：并不是我们所有的系列都不可以配置为APROM可见，NANO系列就可以.

只看该作者 · 2014-11-26 23:21

问：页擦除闪存和燒寫的容量為多少?
答：擦除每页為512字节，燒寫為每4个字节(1個字)。

只看该作者 · 2014-11-26 23:21

问：EBI主要应用在哪儿?
答：EBI主要用来扩展存储器和/TFT LCD以及其它符合intel mode接口规范的设备.

只看该作者 · 2014-11-26 23:23

问：在用户编程的代码中能否进行代码保护处理？
答：可以，它支持设置用户配置字的 LOCK 位去保护用户代码。当 LOCK 位被设置后，所有的 FLASH 空间上的数据只能读成 0xFFFFFFFF。

只看该作者 · 2014-11-26 23:23

问：如何去解锁用户配置字的 LOCK 位?
答：仅仅用 "整片擦除" 命令去解锁 LOCK 位

只看该作者 · 2014-11-26 23:24

问：DATAFLASH怎么读写数据？
答：1.数组指定到 dataflash地址编译进代码,
2程序运行时可以读写DataFlash。读写DataFlash, 和读写APROM是完全一样的做法，只是读写的地址不同；Smpl_DrvFMC_SimpleLD.uvproj项目中有读写APROM的代码。

只看该作者 · 2014-11-26 23:24

问：CBS in Config0 在哪里配置，是加在文件头里吗？
答：可以通过ICP设置，或者在Keil的Options->utilities->Settings->Config来设置。当然，也可以在程序中设置，跟FMC的其它操作一样，即可以通过FMC_Erase, FMC_Write等函数来更新

只看该作者 · 2014-11-26 23:25

问：Flash 存储器都包括什么?
答：1，APROM 中用户应用程序固件代码块。
2，LDROM 存放新唐的 ISP 引导装载代码或用户引导代码块。
3，数据闪存块为用户存储芯片的电源之前的一些依赖于应用程序的数据。
4，用户配置提供控制逻辑的几个字节，flash 安全锁，开机选择，dataflash 的基址，欠压电压等级......，它是在芯片上电後从內存加载到其相应的控制寄存器。

只看该作者 · 2014-11-26 23:26

问：APROM,LDROM, Data Flash 的大小是多少?
答：APROM 中的大小取决于芯片編號，有 8K/16K/32K/64K/128K 字节。NUC1XX/M051 系列的 LDROM 是 4K 字节; MINI51/Nano 系列的 LDROM 是 2K 字节。在APROM 中是 8K/16K/32K/64K 的芯片，Data Flash 是 4K 字节。APROM 中的大小是 128K字节版本，data flash 大小是可配置的。

只看该作者 · 2014-11-26 23:27

问：在code中修改CONFIG1的值，设定data flash的base address为何不起作用？
答：CINFGI1中的值要chip reset或者/RESET pin复位才会加载到FMC DFBR寄存器中，所以在code中修改CONFGI1不会马上起作用，要等复位之后才可以。

所以不论使用ICP tool修改CONFIG0/CONFIG1，还是使用Keil/IAR修改CONFIG0/CONFIG1，还是软件中修改CONFIG0/CONFIG1，修改完之后都需要复位一下MCU

只看该作者 · 2014-11-26 23:27

问：怎么得到芯片UID？
答：可以通过 DrvFMC_ReadUID函数查询 UID

只看该作者 · 2014-11-26 23:28

问：EEROM的问题 --M0的内部的ROM可拿来当EE来使用吗?
答：我们内部的数据区有4K，是EPROM，每次擦除512字节，每次写4字节。拿来存数据没有问题，但是如果要强调擦除次数达到EEPROM的百万级是不行的，可是data flash比较大，利用一定的算法也可以达到。例如：等1页写满再一起擦除，防止擦除+写时间太长中间掉电可以2页轮流，等等方法还是比较多的

只看该作者 · 2014-11-27 00:06

问：针对高速及低速串口,两者之间在编辑程序有什么不同了?
答：针对编辑程序的流程,两者几乎是相同了。首先必须知道高速及低速串口在硬件上不同之处只在于数据缓冲长度。高速串口支持64字节数据缓冲长度,但低速串口只支持16字节。所以在编辑程序时,对于高速或者低速串口,唯一要注意的地方,必须针对RDA中断及RTS信号选择适当的触发少级别。

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