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楼主注意，以上各位工程师已经给你解释的比较详细了，希望对你有所帮助，我这里再为你做些简单的补充，以便供你参考：在专业基础中，电感这一块，有一个名词叫自感现象，自感现象会导致自感电动势的产生，根据楞次定律，自感电动势的方向总是反抗原有电动势（换句话说就是与原有电动势方向相反），所以这就是各位工程师提到的反电动势的来源。那么，这个自感电动势的大小和什么参数有关系呢？1、电感中的磁通变化率（也就是你关断正向电压的速度）成正比关系；2、电感本身的电感量（就是电感线圈的匝数和是否带有铁芯）成正比关系。这样一来，你关断IGBT或三极管的速度越快（在推挽驱动方式下速度更快），接触器或继电器的体积、型号越大，这个反电动势越大，如果这个电动势完全加在IGBT或者三极管上，会导致开关器件不稳定，这个时候就需要把这个反电动势解决掉，于是我们想到了二极管的单向导电性，在正向电动势对继电器电感进行充电的过程中，二极管反向不导通，而在反电动势产生时候，二极管正向导通，泄走反向浪涌电流，对开关器件进行保护，所以，专业上说续流二极管，我觉得不如叫泄流二极管给你更好理解。说到这里可能你已经明白了许多，那最后还有一个小小的问题，也就是这个泄流二极管的导通速度，你可以结合我前面说过的想想，如果这个二极管导通的速度越快，是不是反电动势持续的时间就越短，对开关器件的保护就越迅速可靠啊，对了，正是因为这样，所以在下个人认为，在此处应用的IN4007这种整流型二极管，远不如6PKE系列的TVS瞬变二极管来的有效，因为该管的导通时间小于等于25纳秒，从伏安特性曲线上可以看到基本为没有斜率的一条直线。所以今后设计此类电路的时候你可以考虑使用TVS瞬变二极管来放在这个位置。好了，打了半天也累了，我吃饭去了。希望对你有所帮助 |
