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模拟开关的电阻问题

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本帖最后由 magic_yuan 于 2014-12-5 12:34 编辑

大神们,
  网上看到一种大电流模拟开关,关心其导通电阻。规格书给出10毫安时最大内阻为2欧姆以下(性能中又说最大电阻不超过2欧)。
  问题:
   1,其导通内阻在全电流区域会是怎么样的变化呢?即很微小的电流其导通内阻是否变大,或者说大电流---到100毫安时电阻会变小?---大概会变化到何种程度呢?
         貌似是电流变大内阻会变小。。。。个人认为。
   2,其电路图见附件。电流从D-S间通过还是从D-D间通过?或者说三个端口中的任意两个就可以了?
         看到别人连接的电路图使用D-D连接方式,是否有区别呢?
        十分感谢!

111.jpg (5.62 KB )

111.jpg

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沙发
forgot| | 2014-12-5 12:33 | 只看该作者
1、会
2、考虑到S-D的二极管,管子关了电流可以反向流;D-D可以不进行正负极考虑导通和关断,D-S不可以了

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板凳
magic_yuan|  楼主 | 2014-12-5 12:35 | 只看该作者
forgot 发表于 2014-12-5 12:33
1、会
2、考虑到S-D的二极管,管子关了电流可以反向流;D-D可以不进行正负极考虑导通和关断,D-S不可以了 ...

感谢大神!
  内阻的变化大概会到何种程度呢,规格书中没描绘曲线图。

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地板
huayuliang| | 2014-12-5 12:39 | 只看该作者
还以为是什么呢,原来光耦场效应管啊

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5
shalixi| | 2014-12-5 12:48 | 只看该作者
内阻随Vgs变化,没有听说随Id变化。即使有,也可忽略。

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6
shalixi| | 2014-12-5 12:50 | 只看该作者
这里的Vgs就是光的强度和波长。

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7
yanwen217| | 2014-12-5 14:01 | 只看该作者
如果是模拟开关,导通内阻主要跟温度有关,信号大小的影响很小

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8
magic_yuan|  楼主 | 2014-12-5 16:36 | 只看该作者
shalixi 发表于 2014-12-5 12:50
这里的Vgs就是光的强度和波长。

多谢大神。
   是不是用MOS管的那个方程好像是二次方的,名字忘记了,来大致推导?

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magic_yuan|  楼主 | 2014-12-5 16:37 | 只看该作者
yanwen217 发表于 2014-12-5 14:01
如果是模拟开关,导通内阻主要跟温度有关,信号大小的影响很小

多谢。
  资料里有写10MA通电一秒钟以内测试电阻,估计就是考虑温度的要素。

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mmuuss586| | 2014-12-6 12:40 | 只看该作者

这是光耦继电器;

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