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[经验知识]

求助关于驱动过程中mos管DS两端电压的问题

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楼主: delpha
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21楼
mmuuss586| | 2015-2-8 18:02 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
delpha 发表于 2015-2-7 13:05
哦，是这样，其实是在做半桥驱动，但是导通到0.3ms之后，电磁阀两端电压从24v下降到10v，电流没法继续上 ...

你应该量线圈2端的电压；
另外你控制频率这么高，你电磁阀反映也没这么快；

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22楼
william008| | 2015-2-9 12:04 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2015-2-8 17:21
MOS管导通电阻太大，可能还包括了连接线及接触点的电阻。从波形图看，VGS只有4V有点太小了，至少要10V以上 ...

完全赞同。
有人一看到线圈，就想到反电动势。其实楼主的问题跟反电动势没有关系。
根本原因还是MOS管导通电阻、导线电阻、接触电阻之类的太大。检查一下你用多粗的电线，各接点是否良好

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23楼
yujingfa| | 2015-2-11 09:34 | 只看该作者
关于楼主的问题，我觉得楼上几位所说都有一定道理，现总结如附件。原因已仿真分析出

540.JPG (73.9 KB )

异常波形

异常波形

NMOS驱动感性负载波形异常分析.pdf

46.89 KB

详细分析

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24楼
yangdiandong| | 2015-2-16 17:16 | 只看该作者
没有PWM信号时的那个6v的电平是MOS的RDS太大了，还有栅极4v是小了。增加栅极电压在一定范围可减小RDS，之一有PWM的那段时间内，VDS的电压是由感性负载的反向电动势引起的，建议给感性负载增加合适的RCD吸收电路，毕竟从你贴的图上看出VDS都远远超出70V了。要是吸收电路做的好mos电压可以用电压不是很高的。高压的nmos不便宜啊。

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