关于圈圈的“往flash写一个扇区”函数:FlashWriteOneSector()的...

只看该作者 · 2015-3-31 20:35

使用圈圈的“往flash写一个扇区”函数：
uint32 FlashWriteOneSector(uint32 Addr, uint8 * pBuf, uint32 Remain)，
调试时遇到较多让我不解的地方，希望各位前辈能指点解惑。
原函数如下：
uint32 FlashWriteOneSector(uint32 Addr, uint8 * pBuf, uint32 Remain)
{
uint32 i;
uint32 SwapPageAddr;
if(Addr>FLASH_MAX_SECTOR_ADDR)return 1; //如果地址超出范围，则返回失败代码1，越界
Addr=FlashAddrRemap(Addr); //重新影射地址
if((Addr&(~(FLASH_PAGE_SIZE-1)))!=(FlashCurrentWriteSectorAddr&(~(FLASH_PAGE_SIZE-1)))) //如果跨page
{
  if(FlashNeedWriteBack) //如果前面写了数据，则需要将当前读出的page写回
  {
if(FlashWritePage()&0x01) //写入失败
{
Addr=FlashDealBadBlock(Addr-FLASH_PAGE_SIZE,3)+FLASH_PAGE_SIZE;  //坏块处理
}
  }
  if((Addr&(~(FLASH_BLOCK_SIZE-1)))!=(FlashCurrentWriteSectorAddr&(~(FLASH_BLOCK_SIZE-1))))  //如果跨block，则需要擦除新的块，
  {
//在擦除之前，要先将原来的块复制到交换区，并且将该块前面部分数据写回
//该函数除了将整块数据复制到交换区以外，并且还将擦除掉原来的块，然后将前面部分复制回原来的块
Addr=FlashCopyBlockToSwap(Addr);
  }
  //从交换区中读出对应的一页
  FlashWriteCommand(0x00);
  FlashWriteAddr4Byte(FlashGetCurrentSwapBlock()+(Addr&(FLASH_BLOCK_SIZE-1)));
  FlashWriteCommand(0x35);
  FlashWait();
  //随机写
  FlashWriteCommand(0x85);
  FlashWriteAddr4Byte(Addr); //写4字节地址
  for(i=0;i<FLASH_SECTOR_SIZE;i++)
  {
FlashWriteDataByte(pBuf);
  }
  FlashWriteCommand(0x85);
  FlashWriteAddr2Byte(Addr&(FLASH_BLOCK_SIZE-1));
  for(i=0;i<FLASH_SECTOR_SIZE;i++)
  {
FlashWriteDataByte(pBuf);
  }
  FlashWriteCommand(0x10);
  FlashNeedWriteBack=1; //需要写回
}
else  //没有超过一页地址，则直接写数据
{
  //随机写
  FlashWriteCommand(0x85);
  FlashWriteAddr2Byte(Addr);
  for(i=0;i<FLASH_SECTOR_SIZE;i++)
  {
FlashWriteDataByte(pBuf);
  }
  FlashNeedWriteBack=1; //需要写回
}
FlashCurrentWriteSectorAddr=Addr; //保存本次地址
if(Remain==0) //剩余扇区数为0，不会再写了，需要写回
{
  if(FlashNeedWriteBack) //如果前面写了数据，则需要将当前读出的page写回
  {
if(FlashWritePage()&0x01) //写入失败
{
Addr=FlashDealBadBlock(Addr,3);  //坏块处理
}
  }
  //计算剩余页数
  Remain=(((Addr+FLASH_BLOCK_SIZE)&(~(FLASH_BLOCK_SIZE-1)))-(Addr&(~(FLASH_PAGE_SIZE-1))))/FLASH_PAGE_SIZE-1;
  //计算在交换块中的起始页地址
  SwapPageAddr=FlashGetCurrentSwapBlock()+(Addr&(FLASH_BLOCK_SIZE-1));

  for(i=0;i<Remain;i++)  //将该块内保存在交换块中剩余部分页的数据复制回该块
  {
Addr+=FLASH_PAGE_SIZE; //从下一页开始写
SwapPageAddr+=FLASH_PAGE_SIZE;
if(0x01==(FlashCopyPage(SwapPageAddr,Addr)&0x01)) //如果复制失败
{
Addr=FlashDealBadBlock(Addr,2);  //处理坏块
}
  }
  FlashNeedWriteBack=0; //清除需要写回标志
  FlashCurrentWriteSectorAddr=~0;
}
return 0;
}
在main函数中，int main(void)
{

   SystemInit();    //系统时钟初始化
Fill_Buffer(TxBuffer, 1024 , 0x00);  //给TxBuffer填充值
      FlashInit();
FlashReadId(ID_Code)；
FlashWriteOneSector(0, TxBuffer, 2);
FlashWriteOneSector(0,RxBuffer,2);
}
(1)首先，使用FlashInit()初始化了flash的一些参数：比如：FlashCurrentReadSectorAddr=~0,即为0xFFFFFFFF；
(2)然后，调用了“扇区写函数”：FlashWriteOneSector(0, TxBuffer, 2);
其中，数组TxBuffer[1024]={0,1,2,3...FF,0,1,2,3...FF,0,1,2,3...FF,1,2,3...FF...};
程序的目的是：使用FlashWriteOneSector将数组TxBuffer中的1024个数据存储在flash的两个
连续的扇区中(定义flash扇区大小为512字节)。
(3)最后，用FlashWriteOneSector(0,RxBuffer,2);验证写入扇区的数据的正确型。
不管程序对不对，直接使用上述程序，发现：读出的数据全部是0x00，可见TxBuffer中的数据
并没有写入flash。
看nand  flash的datasheet手册，发现“页面复制-随机写入”的流程如图所示：
但上述程序只执行了前半部分，即最后一次0x85+具体的页内偏移地址+0x10(0x10命令用来启动写)；
于是，对上述程序进行了修改：添加了的程序见蓝色字体。
调试的结果是：数据写入成功且正确，但只有512个数据，即只有一半，如图所示。
而至于原因：(1)确实只写入了一半；(2)确实全部写入了，只读了一半；
对这段程序，我不理解的是参数Remain。
上面已经提到，在我的main函数中，
我是这样调用写函数的：FlashWriteOneSector(0, TxBuffer, 2);
如果按照上述程序执行，写完一个扇区后，即写入512个数据后，就没有继续写入下一个扇区。
也进入了if(Remain==0)。确实没怎么搞懂，它到底是怎样连续写扇区的？
各位前辈，能给点提示吗？谢谢了

只看该作者 · 2015-4-2 21:23

今天调试时：
unsigned char TxBuffer0[512];
unsigned char TxBuffer1[512];
unsigned char TxBuffer2[512];

unsigned char RxBuffer0[512];
unsigned char RxBuffer1[512];
unsigned char RxBuffer2[512];

Fill_Buffer(TxBuffer0, 512, 0);
Fill_Buffer(TxBuffer1, 512, 1);
Fill_Buffer(TxBuffer2, 512, 2);
数组TxBuffer0、TxBuffer1、TxBuffer2，分别通过
Fill_Buffer()函数填充，有
Fill_Buffer0[512]={0,1,2,3...0xFF,0,1,2,3...0xFF,0,1,2,3...0XFF,0,1,2,3...0xFF};
Fill_Buffer1[512]={1,2,3...0xFF,0,1,2,3...0xFF,0,1,2,3...0XFF,0,1,2,3...0xFF,0};
Fill_Buffer2[512]={2,3...0xFF,0,1,2,3...0xFF,0,1,2,3...0XFF,0,1,2,3...0xFF,0,1};
然后:
FlashWriteOneSector(788,TxBuffer0);
FlashWriteOneSector(1300,TxBuffer1);
FlashWriteOneSector(1812,TxBuffer2);
即：
数组Fill_Buffer0中的512个数据，写入flash起始地址为788(十进制)的一个扇区内：788~1299;
数组Fill_Buffer1中的512个数据，写入flash起始地址为1300(十进制)的一个扇区内：1300~1811;
数组Fill_Buffer2中的512个数据，写入flash起始地址为1812(十进制)的一个扇区内：1812~2323;
其中：1812~2323这个扇区时跨页的，1812~2047属于Page0,2048~2323 属于Page1。
最后通过读扇区来验证数据的正确性:
FlashReadOneSector(788,RxBuffer0);
FlashReadOneSector(1300,RxBuffer1);
FlashReadOneSector(1812,RxBuffer2);
结果是：
地址范围为788~1299,1300~1800的两个扇区中的数据：读出的与之前写入的完全一致；
但地址范围为1812~2323，即跨页的这个扇区的数据：前面部分数据一致，后面的数据却是D3。
如图1所示。

后来我也试了一下跨块的扇区，
FlashWriteOneSector(130000,TxBuffer3);
FlashWriteOneSector(130512,TxBuffer4);
FlashWriteOneSector(131024,TxBuffer5);//跨块扇区

FlashReadOneSector(130000,RxBuffer3);
FlashReadOneSector(130512,RxBuffer4);
FlashReadOneSector(131024,RxBuffer5); //跨块扇区
结果依旧是：跨块扇区的数据：前面部分数据一致，后面的数据则是D3。

在此之前，我一直以为，当数据比较长时，会自动的跨到下一页。
但，这是错误的。
“NAND flash存储器会自动累加器内部的操作地址，读写数据时没有必要变换
数据的操作地址，即不必对连续的地址区操作”
“写入过程在NAND flash内部是有边界对齐的，也就是说，写入起始地址不是
页对齐时，只能从当前字节写到本页末尾，而不能跨越到第二页继续写，即使
写入够长，也不能一次跨两页”
“读取过程在NAND flash内部也是有边界对齐的，也就是说，读取地址不是
页对齐时，之恩给你从当前字节地址开始读到本页末尾，而不能跨越到第二页
继续读取，即使读取够长，也不能跨越两页读取”

后来，我避开跨块和跨页的问题，将地址都改成页对齐(Addr%FLASH_PAGE_SIZE==0)
去读和写，结果读和写的数据都是完全一致的。