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43楼的怕炸*啊,呵呵

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楼主: syhgc88
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这个电路没错。

继电器线圈中的电流在三极管关断后通过2个二极管续流,流向电源,给电源主电容充电。
所以,关断的时候电源电压可能会略微地升高一点点。
我觉得起码有2个好处:
(1)因为电源内阻很小,线圈中的电流将迅速衰减到0,这样继电器可以迅速释放。
而传统的在线圈两端并联二极管或电阻电容之类的,若只使用二极管,则二极管受到冲击容易损坏,电流衰减会变慢。若加入电容,则电流可能形成振荡,产生干扰。一般加入电容后还要并联电阻,电路变复杂,且电流仍衰减的不够快。电流衰减时间太长可能导致继电器释放速度变慢,而烧蚀继电器的触点。
(2)两个IO口只有1高1低时,继电器才吸合,而在单片机上电过程中,一般IO口都同时为高电平或高阻(偶尔也会出先同为低电平),这样就保证上电瞬间继电器处于不吸合的状态。
这个电路的确富含深意,在以后的设计中我也将借鉴这个思路。

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杨真人| | 2008-8-14 01:34 | 只看该作者

咋蛋......?

难道...
你们聊,我走先.

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PowerAnts| | 2008-8-14 02:33 | 只看该作者

加快继电器关断速度是很显然的

由于磁场储能以较高的自感电动势辞放(VCC+2Vd),去磁时间比单个二极管“短路”(Vd)去磁要快得多,触点断开的反应速度较快。
不同意42楼意见,继电器的吸合时间通常在数十mS,而单片机上电复位出现IO失控的时间是很短暂的(1mS以内),即使误触发,继电器线圈根本无法在该时间内建立足够的电流让触点闭合。双管串联控制,主要是为了提高可靠性,单个开关管击穿损坏不至于使继电器“非法”闭合。
一个反面的证据,便是高端达林顿的驱动,需要承受23V电压的GPIO?得专门找OC(OD)输出的吧!!!

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3.3v| | 2008-8-14 08:47 | 只看该作者

43楼的怕炸*啊,呵呵

我们是做变频器的,我现在这公司是负责搞中功率变频,280KW到680KW,我来这公司之前的以前电路设计的不是很好啊,IGBT炸的很心疼,后来全部给改进了,现在返修率比较低,也希望同行们都借鉴这个电路。少被"炸"

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Wxy8030| | 2008-8-14 09:01 | 只看该作者

to PowerAnts

“由于磁场储能以较高的自感电动势辞放(VCC+2Vd),去磁时间比单个二极管“短路”(Vd)去磁要快得多,触点断开的反应速度较快。”

这句话理论上成立,可事实使用场合如果真的需要这么精确的控制,很显然用继电器是不合适的,毕竟继电器是机械结构,为什么不考虑用开关管?

如果使用了继电器,相对与机械动作的时间而言,那么多或者少那么点触点释放时间就应该忽略不计,否则只是小题大做

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Wxy8030| | 2008-8-14 09:06 | 只看该作者

......

要是兄弟们谁有逻辑分析仪,可以按楼主的电路测试一下继电器触点的释放时间,再测试一下两端直接并二极管时触点的释放时间,结果就一目了然了

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PowerAnts| | 2008-8-14 09:30 | 只看该作者

何需动用逻辑分析仪?

普通的示波器便可看出来了。
24V,达林顿管,可大致估计受控电路的触点容量了,大容量继电器的吸合/辞放时间可达100mS,主要原因是线包电感量大,磁场能量的辞放需要较长的过程。
大电流的继电器触点,除了响应时间很慢以外,别的参数是电子开关无法比拟的,如触点电流容量、通态电阻、工作电压、开关速度、隔离等级等等...

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LGZ2006| | 2008-8-14 11:19 | 只看该作者

这两个说法大错特错

"(1)因为电源内阻很小,线圈中的电流将迅速衰减到0,这样继电器可以迅速释放。"
"若只使用二极管,则二极管受到冲击容易损坏,"

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2345897| | 2008-8-14 15:23 | 只看该作者

我来踩踩

为了保护TR1,TR2的吧,

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