首先，这个话是错误的，至少在这里，会产生严重误导：
“我们一般会在MOS管的栅极加个下拉电阻，在上电的时候把栅极拉低，不让MOS管导通”。
这里，要防止MOS管在开机未特定状态下，产生误导通，我们必须让驱动芯片TC442X芯片的输出端，处于确定的电平，这里是OUT非，需要保证这种情况，一个上拉到VCC的电阻，接到INA和INB是必须的，这样，在芯片上电、初始化完成之前，INA和INB都保证在+电平，OUT非就可以维持低电平，让输出MOS管可靠关断，如果你靠MOS管的栅极下拉来完成这个未定状况，除非你的下拉可以永远关闭MOS管，不过这样一来，驱动就失效了，否则当TC4426输出高电平，你靠栅极下拉来是不可能完成这个任务的。
其二，一般电机调速，我们驱动频率都会在音频范围以外，比如20KHz，至少15KHz以上。这样才能让调速不吵人。而你这样进行栅极的电阻T型分压，直接的后果是造成MOS管导通截止时间过长，加大开关损耗，而如果把T型电阻网络调总阻值调小，无疑就加大了无用的栅极驱动功耗。这也是我们设计时候不可取的。
因此，这里我们也许会通过合适的串联电阻串联到栅极，来稍稍限制一下MOS管开关速度，（有时候速度要快但不是无限快就最好）。而栅极并联电阻，只是因为栅极的电容性，只是作为一个典型的释放回路来考虑，约定成俗的好像大家一般也就是10K。而完全不是用该电阻来再次拉低栅极电压来考虑的。
也有时候，我们会在串联的限速电阻上面，反向并联一个二极管，来对MOS管的关闭进行2次加速，也就是说，限速电阻，只限制开启速度，这在某些应用会特别有效。
需要限制MOS管栅极电压，按照你这个典型的线路，我们只需要控制TC4426的供电电压，就完全OK了。像艾默生大多数电源的栅极驱动，他们精确的要求限制在10.5V（内部工艺控制）就是一个很好的范本，这个值，既可以获得最低导通电阻，同时又限制了驱动功耗的进一步加大。而不是通常所说的12V。
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