大家帮我看p沟道mosfet管电路有问题吗

只看该作者 · 2008-11-1 23:19

大家帮我看看电路有问题吗？电路图如下：

只看该作者 · 2008-11-1 23:26

说明一下，这是控制48V的mosfet管，选用负压控制的P channel mosfet，IRF5210，在没有外界输入时，由于IN4740的嵌位电压的存在，使G极和S极电压为-10V，即Ugs=-10V，5210导通，当外界信号（任意一个光藕导通）加上时，Ugs=-0.5V，所以电路不导通。
请大家帮忙审审原理设计，谢谢！

只看该作者 · 2008-11-2 00:18

（当图中S48是以GND为参考的48V）
1.如果单片机灌电流能力够强，光耦可采用灌流驱动，注意限流电阻大小的选择，如果不够应该加三极管驱动，为了使光耦具有较高的CE输出电流能力和较快的频率响应，需要加大IF电流；
2.2k电阻选择太小，应该加大，以减少工作电流，一方面是降低电阻的功耗，另一方面是光耦CE过较大电流时压降过高可能无法（或不牢靠）达到MOS管关闭的效果。
3.以上参数配置应该根据实际控制信号的使用情况来定。需要考虑光耦的频率响应特性。
4.第一个光耦的I1功能不明，但需要考虑光耦的开关条件，否则根本起不到控制的作用。

只看该作者 · 2008-11-2 21:19

谢谢了。
   光耦电流应该是可以的。I=（3.3V-0.5V）/1k=2.6mA,能导通.对于TLP280来说,If最好从2mA到5mA,最好不要到5mA,很容易接近SOA曲线.
  1 这点我同意您的看法.
  2 2k电阻是为了让稳压管工作在两个电流之间,即工作电流和最大限定电流,应该比20mA稍大.
  3 同意.
  4 另外一路是,当MCU不听指挥了,通过外加IO信号切IRF5210的.
  总之,谢谢您了.

只看该作者 · 2008-11-2 21:57

1.光耦用2.5mA驱动情况；
假设此时CE输出端能够产生5V压降，那么根据DATASHEET的说明，此时其传输比在50%～600%之间，就参考datasheet提供的IC-IF曲线图，就取最理想的IC=10mA。可是楼主设计的电路要留给光耦近20mA的电流才能让PMOS管栅极的电压达到关闭的要求。可实际上，在光耦的这个工作状态下，光耦输出端只会产生更高的压降，而要让PMOS管关闭必须保证栅极有大于-4V的电压，很明显，这种条件下光耦是控制不了PMOS管关闭的。

2.按现在采用的齐纳管，设计20mA的工作电流，那么假设光耦完全导通时，加在2k电阻上的电压就接近48V，这时，电阻功耗将达1.152W，楼主难道想加个这么大的热源在电路上。

3.光耦提供的时间响应参数中，在以CE端串1.9K电阻，5V供电，IF=15mA（或-15mA）下测试，光耦的关掉时间最大都达40us，如果按楼主的设计，这个关掉时间恐怕要长很多，这种效果在PWM控制时，恐怕会让PMOS管发热严重甚至是损坏。