大家帮我看p沟道mosfet管电路有问题吗

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 楼主| entepino 发表于 2008-11-1 23:19 | 显示全部楼层 |阅读模式
大家帮我看看电路有问题吗?电路图如下:
   
 楼主| entepino 发表于 2008-11-1 23:26 | 显示全部楼层

说明

  说明一下,这是控制48V的mosfet管,选用负压控制的P channel  mosfet,IRF5210,在没有外界输入时,由于IN4740的嵌位电压的存在,使G极和S极电压为-10V,即Ugs=-10V,5210导通,当外界信号(任意一个光藕导通)加上时,Ugs=-0.5V,所以电路不导通。
  请大家帮忙审审原理设计,谢谢!
msliang18 发表于 2008-11-2 00:18 | 显示全部楼层

光耦驱动电流太小

(当图中S48是以GND为参考的48V)
1.如果单片机灌电流能力够强,光耦可采用灌流驱动,注意限流电阻大小的选择,如果不够应该加三极管驱动,为了使光耦具有较高的CE输出电流能力和较快的频率响应,需要加大IF电流;
2.2k电阻选择太小,应该加大,以减少工作电流,一方面是降低电阻的功耗,另一方面是光耦CE过较大电流时压降过高可能无法(或不牢靠)达到MOS管关闭的效果。
3.以上参数配置应该根据实际控制信号的使用情况来定。需要考虑光耦的频率响应特性。
4.第一个光耦的I1功能不明,但需要考虑光耦的开关条件,否则根本起不到控制的作用。
 楼主| entepino 发表于 2008-11-2 21:19 | 显示全部楼层

回复

谢谢了。
   光耦电流应该是可以的。I=(3.3V-0.5V)/1k=2.6mA,能导通.对于TLP280来说,If最好从2mA到5mA,最好不要到5mA,很容易接近SOA曲线.
  1 这点我同意您的看法.
  2 2k电阻是为了让稳压管工作在两个电流之间,即工作电流和最大限定电流,应该比20mA稍大.
  3 同意.
  4 另外一路是,当MCU不听指挥了,通过外加IO信号切IRF5210的.
  总之,谢谢您了.
msliang18 发表于 2008-11-2 21:57 | 显示全部楼层

跟楼主对TLP280的理解有些出入

1.光耦用2.5mA驱动情况;
假设此时CE输出端能够产生5V压降,那么根据DATASHEET的说明,此时其传输比在50%~600%之间,就参考datasheet提供的IC-IF曲线图,就取最理想的IC=10mA。可是楼主设计的电路要留给光耦近20mA的电流才能让PMOS管栅极的电压达到关闭的要求。可实际上,在光耦的这个工作状态下,光耦输出端只会产生更高的压降,而要让PMOS管关闭必须保证栅极有大于-4V的电压,很明显,这种条件下光耦是控制不了PMOS管关闭的。

2.按现在采用的齐纳管,设计20mA的工作电流,那么假设光耦完全导通时,加在2k电阻上的电压就接近48V,这时,电阻功耗将达1.152W,楼主难道想加个这么大的热源在电路上。

3.光耦提供的时间响应参数中,在以CE端串1.9K电阻,5V供电,IF=15mA(或-15mA)下测试,光耦的关掉时间最大都达40us,如果按楼主的设计,这个关掉时间恐怕要长很多,这种效果在PWM控制时,恐怕会让PMOS管发热严重甚至是损坏。
A12345678 发表于 2008-11-2 22:11 | 显示全部楼层

楼主电路有问题

1. 48V对于光耦来说显然过高,容易导致过压失效
2. 这个电路不适合用来控制,需要加转换
lyjian 发表于 2008-11-3 12:43 | 显示全部楼层

3楼都说了问题所在了

MOS管上面的下地电阻才2K,你也不算一下这上面加48V电压是多大的电流,光藕能输出这么大的电流吗?驱动电流才2.6MA。
zjp8683463 发表于 2008-11-3 14:07 | 显示全部楼层

还有个问题就是2K电阻上的功耗为0.7W

会烫的厉害。

此驱动只能作为低频开关应用,高频开关时MOS会烧
 楼主| entepino 发表于 2008-11-3 22:56 | 显示全部楼层

改动

   msliang,说的比较好,确实光耦电流有点小。
   修改如下,把102电阻变成220,把2k电阻变成10k,这样光耦驱动电流变为11.6mA。
 楼主| entepino 发表于 2008-11-3 23:02 | 显示全部楼层

回复

  这个电路就是低频控制,不是PWM输出。
  但这样可能有一个问题。
  刚上电的时候,稳压管能正常工作吗?稳压管电流(5mA)小于测试电流(20mA)时,稳压管能正常工作吗?
zjp8683463 发表于 2008-11-4 10:43 | 显示全部楼层

稳压管5ma够了

gx_huang 发表于 2008-11-4 12:32 | 显示全部楼层

感觉不好!

PMOS的控制和PNP的类似。
光耦一端应该接地,集电极接2个分压电阻到PMOS管,这样可以省去稳压管。
也就是把光耦当成NPN三极管对待。
大辉郎 发表于 2008-11-4 13:12 | 显示全部楼层

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SampsonKong 发表于 2012-1-12 08:36 | 显示全部楼层
xiaotann 发表于 2012-1-12 11:49 | 显示全部楼层
需要加大IF电流
jinghui1978 发表于 2012-1-13 09:36 | 显示全部楼层
我觉得如果48V电源是稳定的,那么直接用电阻分压产生-10V就行了,没必要用稳压管。
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