高电平为5～15V，低电平为0V的PWM，输入级电路怎么设计？

发表于 2015-11-16 14:58

本帖最后由 zjp8683463 于 2015-11-16 14:59 编辑

一个PWM芯片，由于供电时5～15V，输出高电平等于电源电压，即高电平为5～15V，低电平为0V。
需要一个输入级电路，同时满足不同的电压需求，即5～15V都能兼容。输入级延时最好小于200ns。

发表于 2015-11-16 15:00

本人现在想到的是高速电压比较器

发表于 2015-11-16 15:12

一级抗饱和的三极管反相电路就可以了，两粒电阻，两位开关二极管（两粒1N4148或一粒BAW56），一粒9014就Ok了

发表于 2015-11-16 16:04

wh6ic 发表于 2015-11-16 15:12
一级抗饱和的三极管反相电路就可以了，两粒电阻，两位开关二极管（两粒1N4148或一粒BAW56），一粒9014就Ok ...

延时200ns达不到

发表于 2015-11-16 16:12

你仔细想想，TTL、RTL电路能达到什么样的速度？你是如何判断它做不到你要求的仅仅200nS延迟？！

发表于 2015-11-16 16:27

跃迁频率150MHz还达不到200nS延迟的要求么？

发表于 2015-11-16 22:25

本帖最后由 zjp8683463 于 2015-11-16 22:31 编辑

wh6ic 发表于 2015-11-16 16:12
你仔细想想，TTL、RTL电路能达到什么样的速度？你是如何判断它做不到你要求的仅仅200nS延迟？！ ...

你可以找找可以做到15V供电的，TPHL/TPLH/Tr/Tf都不小。三极管在没有合理偏置的情况下，输入变化从5～15V，怎么保证不深度饱和？单个三极管的反馈深度有限，怎么保证PWM的传递精度？
单个三极管做到5Mhz方波无损失，没那么简单，还不如集成芯片来的方便。

发表于 2015-11-16 22:35

gmm2015 发表于 2015-11-16 16:27
跃迁频率150MHz还达不到200nS延迟的要求么？

150Mhz只是0dB增益带宽而已。

发表于 2015-11-16 22:43

zjp8683463 发表于 2015-11-16 22:35
150Mhz只是0dB增益带宽而已。

仔细调整，还是可以达到的，你说的是事实，要求三极管的离散性不要很大，深度包和肯定不行，临界态还是可以的。ECL高速电路，就是没有处在深包和下达到的。

发表于 2015-11-17 00:25

本帖最后由 wh6ic 于 2015-11-17 00:27 编辑

zjp8683463 发表于 2015-11-16 22:25
你可以找找可以做到15V供电的，TPHL/TPLH/Tr/Tf都不小。三极管在没有合理偏置的情况下，输入变化从5～15V ...

怎么说你好。
3楼已经告诉你了，抗饱和电路，用普通的9014就可以做到15MHz以上的开关速度。不过做不到0V，大概是0.6V左右，三极管接近饱和。

发表于 2015-11-17 08:21

就算某个值做到临界饱和，怎么保证5～15V都在临界饱和。
用一个150M的管子去做15M的开关，没有占空比误差，你可以去试试。9014去做1M的开关都很吃力，占空比有很大畸形

发表于 2015-11-17 08:57

跟着学习

发表于 2015-11-17 10:40

分立电路搭还是有些困难的, 建议用高电压的电平转换器, 或是高电压模拟开关+小功率N/P摸死管, 几十nS问题不大.

发表于 2015-11-17 10:43

901X是"高"频管, 高频=/=高速, 找了很多901X的datasheet, 都不提供td, tr, ts, tf参数, 估计数据很难看

登录 · 发表于 2015-11-17 11:43

用这个电路里面的T1电路部分，变变形，改成15V的，做到15MHz估计没什么问题的。当年小RB拿低频管用这个电路，做出来收音机的高放。

发表于 2015-11-17 12:15

这些TTL电路, 是按开关特性的工艺做的吧, 用高频管来做, 难

发表于 2015-11-17 12:28

9014能做个500KHZ的开关频率就很不错了

发表于 2015-11-17 12:42

PMBT2369
BSV52
7002

发表于 2015-11-17 12:52

推荐楼主用IR21XX半桥驱动芯片, 只用低边一个单元即可, 延迟一般几十nS, 省时省心省力.

发表于 2015-11-17 21:20

zjp8683463 发表于 2015-11-16 22:35
150Mhz只是0dB增益带宽而已。

好的，谢谢指教！