求600V的P 沟道 MOS管

发表于 2009-12-7 10:54

现有一个项目需要600V ,5A的、 P 沟道的MOS管，请大家推一个型号呀，实在是找不到。

发表于 2009-12-7 11:08

不用找了，没有这种器件。N型是电子导电，P型是空穴导电，电子迁移比空穴容易得多，因此在同等的技术条件下，实现同等参数的器件，N型要比P型容易，且价格低廉许多。

要实现你所提及的这种P-MOS，相当于要实现2500V, 100A, 0.1R的N-MOS，硅限作用不可逾越，虽然1997年出现了超结理论，英飞凌在此方面已经小有成就，但总体改善还不是很大。

就算有了你所要的器件，驱动也是个大问题，建议选用高边驱动及N-MOS代替，技术十分的成熟。

发表于 2009-12-7 11:11

哦，谢谢

发表于 2009-12-7 14:05

耐压这么高哈？我一般都用100V以下的，嘿:funk:

发表于 2009-12-7 18:36

呵呵

发表于 2009-12-7 20:22

谢谢各位，我改成N MOS的呀，

发表于 2010-1-25 11:37

我也在找这种,只是ID电流1A就可以了,另外有600V 1-3A的PNP三极管也行

我的邮箱XIAOYSDF@163.COM

求600V的P 沟道 MOS管

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