关于startup_stm32f10x_hd.s 和stm32f10x_flash.icf 的几个疑问

发表于 2016-12-8 11:13

本帖最后由我听闻于 2016-12-8 11:29 编辑

在版本号为V3.1.0标准库中，startup_stm32f10x_hd.s 中对于堆栈顶的地址在75行有这样的一句话
复制
```
__intial_sp EQU 0x20000400</font>
```
从工程生成的bin文件来看，栈顶地址确实是0x20000400，但是从.map文件来看，栈的地址范围为0x20000688 -0x20000a88，这两处不一致，而程序正常，这是为什么？
复制
```
CSTACK$Base            0x20000688           --   Gb  - Linker created -

CSTACK$Limit           0x20000a88           --   Gb  - Linker created -</font>
```
看了一些工程，有些stm32f10x_flash.icf中，定义ROM的范围时，开始的地址是从0x08003000，而不是标准的0x08000000，那么烧写bin文件的时候，会自动从0x08003000开始烧写么？然后就是在启动配置中，从主闪存存储器启动时，主闪存存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，这个时候能识别从0x08003000开始的代码区么？
复制
```
/*-Specials-*/

define symbol __ICFEDIT_intvec_start__ = 0x08003000;

/*-Memory Regions-*/

define symbol __ICFEDIT_region_ROM_start__ = 0x08003000;

define symbol __ICFEDIT_region_ROM_end__   = 0x0807FFFF;

define symbol __ICFEDIT_region_RAM_start__ = 0x20000000;

define symbol __ICFEDIT_region_RAM_end__   = 0x2000FFFF;</font>
```

发表于 2016-12-8 12:36

栈顶指针通常不要去指定在哪个地址，而是指定栈大小。因为一个Bin文件编译出来后运行时的区域段依次为代码段(RO)+已经初始化全局变量段(RW)+ZI段 + 堆 + 栈，站栈顶指针正好指在运行时区域的最高点，因此栈顶指针位置跟全局变量的多少，栈的大小都有直接关系。如果指定的栈顶指针正好指在全局变量区域或者堆区域，就有问题了。

发表于 2016-12-8 12:38

针对第二个问题，人为可以控制bin文件烧写在flash中的位置，因为STM32的flash是可编程修改的。

发表于 2016-12-8 13:47

这个是不是得对应着表flash表来看呢

发表于 2016-12-8 14:02

feelhyq 发表于 2016-12-8 12:36
栈顶指针通常不要去指定在哪个地址，而是指定栈大小。因为一个Bin文件编译出来后运行时的区域段依次为代码 ...

系统开始运行，从flash启动，先从地址0x0000 0000获取堆栈顶的地址，所以这个应该是栈在 ram中的结束地址，就是.map中的0x2000 0a88，您所说的“是指定栈的大小”应该是不对的。不知道我理解对不对

发表于 2016-12-8 14:15

feelhyq 发表于 2016-12-8 12:38
针对第二个问题，人为可以控制bin文件烧写在flash中的位置，因为STM32的flash是可编程修改的。 ...

烧写是可以人为控制，这工程配置是可以解决。我看数据手册说的是闪存存储器启动是主闪存存储器被映射到启动空间（0x00000000），即闪存存储器的内容可以在两个地址区域访问， 0x00000000或0x0800 0000。按我上面的工程，偏移的0x3000，单片机是怎么识别的。

发表于 2016-12-8 14:35

本帖最后由 feelhyq 于 2016-12-8 14:38 编辑

STM的启动代码 .S文件中，通常设置栈的大小，栈顶指针并不是一定要指向RAM区域的最高地址，栈顶指针可以指向任何RAM中可以被利用的位置(该片RAM位置没有存放代码段，数据段，全局变量段，堆)

发表于 2016-12-8 14:39

我听闻发表于 2016-12-8 14:15
烧写是可以人为控制，这工程配置是可以解决。我看数据手册说的是闪存存储器启动是主闪存存储器被映射到 ...

STM32里面的Flash类似于一块NORflash，里面自带操作这块flash的寄存器，包括读，写，擦除，具体你去看看芯片手册，讲得很清楚了

发表于 2016-12-8 14:42

我听闻发表于 2016-12-8 14:02
系统开始运行，从flash启动，先从地址0x0000 0000获取堆栈顶的地址，所以这个应该是栈在 ram中的结束地址 ...

发表于 2016-12-8 18:22

我听闻发表于 2016-12-8 14:15
烧写是可以人为控制，这工程配置是可以解决。我看数据手册说的是闪存存储器启动是主闪存存储器被映射到 ...

如果有偏移,就是另外有boot的

发表于 2016-12-9 08:41

zhanzr21 发表于 2016-12-8 18:22
如果有偏移,就是另外有boot的

程序的执行不都是从0地址开始的么，f1的boot有三种，主闪存，system memory和sram。您这里说的另外的boot是指什么勒？

发表于 2016-12-9 08:42

feelhyq 发表于 2016-12-8 14:39
STM32里面的Flash类似于一块NORflash，里面自带操作这块flash的寄存器，包括读，写，擦除，具体你去看看 ...

不知道是不是我说的不清楚。。。

发表于 2016-12-9 09:02

STM32F1的片子通常情况下从0x08000000开始的，0x08000000存放的就是你说的栈顶指针，0x08000004开始存放的中断向量表

发表于 2016-12-9 09:31

feelhyq 发表于 2016-12-9 09:02
STM32F1的片子通常情况下从0x08000000开始的，0x08000000存放的就是你说的栈顶指针，0x08000004开始存放的 ...

对是这样！
您看我上面 flash的配置程序开始的地址是0x08003000，这个跳转是怎么实现的勒

发表于 2016-12-9 09:54

STM32固定式从0x08000000开始执行代码，因此上电后直接从0x08003000是不可能的(除非是调试模式，指定PC寄存器值为0x08003000)。通常的要想跳转到指定的地址可以通过汇编和C语言实现

C语言：
      void(* function)(void);
      function = (void (*)(void))0x08003000;
      function();

汇编(cortex-M系列的芯片通常使用Thumb指令跳转)：
         ldr r0, =0x08003000
         BX r0

发表于 2016-12-9 10:46

feelhyq 发表于 2016-12-9 09:54
STM32固定式从0x08000000开始执行代码，因此上电后直接从0x08003000是不可能的(除非是调试模式，指定PC寄存 ...

看来是我那里理解出错了，应该是0x08000000处是有一段代码的，这段代码实现了对0x08003000的跳转。谢谢

发表于 2016-12-9 11:09

不客气，我们公司自己做cortex-M内核的芯片，我们的片子从0地址开始执行的，每个厂家的不一样

发表于 2016-12-9 13:16

感谢大家的回答，结个贴。理解了之后，才发现版主一语中的，自己的修为还不够，加油

[STM32F1] 关于startup_stm32f10x_hd.s 和stm32f10x_flash.icf 的几个疑问

相关帖子

浏览过的版块

技术新星奖章