疑问：非易失性存储器读写次数

发表于 2010-4-7 22:57

朋友们，非易失性存储器的读写周期一般是多少呢？
举例eeprom 有读写100万周期的。
一般如nor flash是多少个读写周期呢！
如果产品要求能读写300万，可以用什么方法实现的到吗？

发表于 2010-4-8 04:10

这个不是应用上的问题

发表于 2010-4-8 07:59

如果真的有频繁读写可靠性的强制要求，我想只有硬件冗余了。

发表于 2010-4-8 08:03

这还确实是应用上的问题！

首先，这不叫“读写周期”，那叫“读写寿命”（其实读不影响寿命）。Flash 的读写寿命在几万次（乃至十几万次）是没有问题的（这是最坏估计）。但这还是一个问题。为了解决这个问题，通常采用“均衡耗损”（Wear Leveling）的方法，使一个逻辑存储块“平均随机”地动态映射到具体的物理快。利用这样的机制可以延长 Flash 的使用寿命。

疑问：非易失性存储器读写次数

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