mos烧毁！

登录 · 发表于 2017-3-15 22:12

为何这个电路的一上电总是会烧 2N7002 ？
1：把r167加大也没什么效果，Q29的Vds为60v,而上面电源输入为24V(此为24v铅酸电池，200AH的)。
2：烧毁特征表现为开机上电瞬间击穿MOS.
这里难道是过压？望指教！

发表于 2017-3-15 22:17

上电浪涌电压有没有测量？

发表于 2017-3-15 22:19

在我的理解这里供电是电池，电压变化应该不大，比较平稳，至于上电浪涌电压的测量没用相关仪器不知如何测量。

发表于 2017-3-15 22:47

感觉怪怪的，24V，居然有60V，

发表于 2017-3-16 10:52

2N7002的G极信号电压是多少？

发表于 2017-3-16 11:37

应该先烧MOSFET-P。

之后才是2N7002烧。

这样才对。

因为24V电压给PMOS通常Vsg小于20V。

所以PMOS先烧之后假如Vsg短路那么2N7002因为漏极没有电阻从而必烧无疑。

发表于 2017-3-16 12:57

不应该，24v电池，电压没那么高

发表于 2017-3-16 18:02

lihui567 发表于 2017-3-16 12:57
不应该，24v电池，电压没那么高

你应该关注一下电源刚接通的时候会发生什么事情。

发表于 2017-3-16 19:14

C118后级是否有大电容

发表于 2017-3-16 19:14

在24V和GND上加一个共模电感，再把电容增大到4.7uF试试

发表于 2017-3-16 19:44

Q29上面100K下面接一个10K电阻。

就可以了。

就不会烧2N7002了。

即使不是因为24V 的Vsg导致PMOS烧毁。

也是因上电瞬间Vsg的电容较大而导致2N7002电流过大而烧毁。

谢谢大家！

发表于 2017-3-16 21:12

Q29 的G级接下拉电阻

发表于 2017-3-17 13:57

整个现象弄明白了：1：c27和r167最初因为丝印放错了，所以2者位置放反了。导致电路一直有烧的情况。纠正后不明白是否是后遗症的原因，还是有烧MOS的情况。
2：2N7002的G极信号电压是3。3V，MOSFET-P也有被烧毁的情况；有可能是后级负载为容性负载-超声探头，另PMOS后有330uh电感的缘故。

mos烧毁！

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